ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Свойства высокочистой шихты для производства объёмных монокристаллов карбида кремния (2022)

Читать онлайн

Исследованы гранулометрические и теплофизические характеристики порошков SiC-шихты, а также ультрачистого порошка (GMF-CVD, Japan). Шихта получена методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. Показано, что отечественный SiC дисперсный материал по ряду характеристик не уступает зарубежным аналогам и может с успехом применяться для промышленного производства монокристаллического SiC. По результатам исследований разработан процесс, на основе которого из синтезированных порошков выращен объемный монокристалл SiC диаметром 100 мм.

The granulometric and thermophysical characteristics of SiC charge powders, as well as imported ultrapure powder (GMF-CVD, Japan) were studied. The charge was obtained by self-propagating high-temperature synthesis. It is shown that the domestic SiC dispersed material is not inferior to foreign analogues in a number of characteristics and can be successfully used for the industrial production of SiC single-crystal. Based on the research results, a technological route was developed and a bulk SiC single crystal with a diameter of 100 mm was grown on the basis of one of the synthesized powders.

Ключевые фразы: карбид кремния, шихта, теплофизические характеристики, silicon carbide, powder, thermophysical characteristics
Автор (ы): Скворцов Денис Александрович
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
536.2. Теплопроводность. Теплопередача
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2022-6-76-82
eLIBRARY ID
50054142
Для цитирования:
СКВОРЦОВ Д. А. СВОЙСТВА ВЫСОКОЧИСТОЙ ШИХТЫ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ОБЪЁМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2022. № 6
Текстовый фрагмент статьи