ISSN 2307-4469 · EISSN 2949-5636
Языки: ru · en

Статья: Фотоприемные устройства на основе гомо- и гетероструктур двойных и тройных соединений группы антимонидов (2022)

Читать онлайн

Исследованы фотоприемные устройства (ФПУ), детектирующие излучение в средневолновом инфракрасном (ИК) диапазоне спектра, изготовленные на основе многослойных структур антимонидов с поглощающими слоями InSb, AlxIn1-xSb и InAs1-xSbx в том числе структуры с барьерными слоями InAlSb (InSb/InAlSb/InSb) и InAsSb (InAsSb/AlAsSb/InAsSb), предназначенные для оптико-электронных систем и приборных комплексов. Изготовлены фоточувствительные элементы (ФЧЭ) различной топологии, показано, что широкозонные тройные растворы AlxIn1-xSb и InAs1-xSbx, являются альтернативой узкозонному бинарному соединению InSb, поскольку фотодиоды на их основе имеют меньшие темновые токи, а, следовательно, шу-мы. Рассчитаны средние значения обнаружительной способности и эквивалентной шуму разности температур (ЭШРТ) ФПУ, изготовленных на основе матриц фоточувствитель-ных элементов (МФЧЭ) различной топологии.

Focal plane arrays (FPAs) detecting radiation in the medium-wave infrared (IR) range (MWIR) based on the antimonide group materials with absorber layers InSb, AlxIn1-xSb or InAs1-xSbx, includ-ing XBn-structures with AlInSb barrier layer (InSb/AlInSb/InSb) and XBn-structures with AlAsSb barrier layer (InAsSb/AlAsSb/InAsSb) have been developed and investigated. Various topology pho-tosensitive elements (PSE) with absorbing layers InSb, AlxIn1-xSb or InAs1-xSbx were fabricated. It is shown that wideband ternary alloys AlInSb or AlAsSb are considered as an alternative to the nar-rowband binary compound InSb, since, due to wide-band material properties, photodiodes have lower dark currents, and, consequently, noise. The average values of detectivity D* and noise-equivalent temperature difference (NETD) have been measured for various topology photodetectors, so D* was more than 1011 cmW-1Hz1/2 in homostructures, and D* exceed of 1012 cmW-1Hz1/2 in barrier structures.

Ключевые фразы: MWIR, эпитаксиальные слои InSb, матрица фоточувствительных элементов (МФЧЭ), темновой ток, InSb, AlxIn1-xSb, homostructure, heterostructure, barrier structure, photodetector, Detectivity
Автор (ы): Болтарь Константин
Соавтор (ы): Лопухин Алексей Алексеевич, Власов Павел Валентинович, Яковлева Наталья
Журнал: Успехи прикладной физики

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
621.383.5. Фотоприемники с запирающим слоем
Префикс DOI
10.51368/2307-4469-2022-10-4-381-388
eLIBRARY ID
49432932
Для цитирования:
БОЛТАРЬ К., ЛОПУХИН А. А., ВЛАСОВ П. В., ЯКОВЛЕВА Н. ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ ГОМО- И ГЕТЕРОСТРУКТУР ДВОЙНЫХ И ТРОЙНЫХ СОЕДИНЕНИЙ ГРУППЫ АНТИМОНИДОВ // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2022. ТОМ 10 № 4
Текстовый фрагмент статьи