ISSN 2307-4469 · EISSN 2949-5636

Языки: ru · en

Статья: Фото- и наноэлектроника на основе двумерных 2D-материалов (обзор) (Часть II. 2D-нанотранзисторы) (2020)

Читать

Читать онлайн

Описаны устройство и основные параметры полевых транзисторов (FETs) на основе 2D-материалов, таких как графен (Gr) и его производные, графеновые наноленты (GNR), ди- и трихалькогениды переходных металлов MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, Mo1-xWxSe2, ZrS2, ZrSe2, HfS2, HfSe2, PtS2, PtSe2, PtTe2, PdSe2, ReS2, ReSe2, HfS3, ZrS3, TiS3, TaSe3, NbS3, фосфорен (bP), антимонен (2DSb), арсенен (2DAs), сили-цен (2DSi), германен (2DGe), станен (2DSn). Рассмотрены конструкции полевых нанотранзисторов на гибких подложках, туннельных (TFET), одноэлектронных (SET), транзисторов, содержащих 2D-гетеропары Gr-(h)BN, Gr-WS2, Gr-(h)BC2N, Gr-FGr, SnS2-WS2, SnSe2-WSe2, HfS2-MoS2, PdSe2-MoS2, WSe2-WO3-x.

Structures and parameters of field-effect transistors (FETs) based on two-dimensional 2D-materials are reported, such as graphene (Gr) and graphene-like materials, graphene nanoribbons (GNR), transition metal di- and trichalcogenides MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, Mo1-xWxSe2, ZrS2, ZrSe2, HfS2, HfSe2, PtS2, PtSe2, PtTe2, PdSe2, ReS2, ReSe2, HfS3, ZrS3, TiS3, TaSe3, NbS3, phos-phorene (bP), antimonene (2DSb), silicene (2DSi), germanene (2DGe), stanene (2DSn). Structures of FETs based on flexible substrates, tunneling FETs, single-electron FETs, field-effect transistors based on 2D-materials heterostructures such as Gr-(h)BN, Gr-WS2, Gr-(h)BC2N, Gr-FGr, SnS2-WS2, SnSe2-WSe2, HfS2-MoS2, PdSe2-MoS2, WSe2-WO3-x are also reported.

Ключевые фразы: гетероструктура, нанотранзистор, одноэлектронный, туннельный, ди- и трихалькогениды, графен, фосфорен, силицен, химия, heterostructure, nanotransistor, single-electron transistor, tunneling transistor, di- and trichalcogenides, graphene, phosphorene, silicene

Автор (ы): Пономаренко Владимир

Соавтор (ы): Попов Виктор

Журнал: Успехи прикладной физики

Идентификаторы и классификаторы

SCI: Физика
УДК: 621.383. Фотоэлектроника
eLIBRARY ID: 42534228

Для цитирования:

ПОНОМАРЕНКО В., ПОПОВ В. ФОТО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА НА ОСНОВЕ ДВУМЕРНЫХ 2D-МАТЕРИАЛОВ (ОБЗОР) (ЧАСТЬ II. 2D-НАНОТРАНЗИСТОРЫ) // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2020. ТОМ 8 № 1

Текстовый фрагмент статьи

Известный закон Мура предсказывает увеличение вычислительной мощности компьютеров приблизительно вдвое в течение каждых полутора лет. Это требует столь же регулярного роста миниатюризации и повышения быстродействия элементной базы полупроводниковой электроники, прежде всего полевых транзисторов и др. Вместе с тем, как считают многие специалисты, технологические возможности современной электроники фактически подходят к своему физическому пределу. Даже в случае перехода к 10-нм проектной норме крайне усложняется высоко-точное совмещение наноэлементов в изготавливаемых схемах, не говоря уже о переходе к уровню топологических норм 2–1,5 нм, который по прогнозу IRDS ожидается к 2030 году. Кроме уменьшения размеров элементов в цифровой электронике все острее становится проблема снижения времени и энергии переключения (<< 0,1 нс и < 1 нДж, соответственно).

Последнее десятилетие связано с активным поиском различных решений вышеназванных проблем. Одним из них являются исследования по использованию двумерных и квазидвумерных материалов и структур для изготовления полевых нанотранзисторов, обзору которых посвящена настоящая статья. Можно констатировать весьма заметный прогресс при создании лабораторных образцов FET на основе монослойного MoS2 (ON/OFF > 108), WSe2 (ON/OFF  5108), туннельных FET и транзисторов на гибких подложках. Вместе с тем, эти результаты по большей мере лишь доказывают физическую возможность использования исследованных 2D-материалов в технологиях электроники, но никак не свидетельствуют о создании способов их промышленного применения. В частности это связано с отсутствием надежных и недорогих технологий получения рассматриваемых 2D-материалов
(за исключением, может быть, графена) на подложках с размерами, сравнимыми с кремнием, арсенидом галлия, фосфидом индия и др. при сохранении их уникальных электро-физических свойств.

Список литературы

Ponomarenko V. P., Quantum Photosensorics (Orion R&P Association, Moscow, 2018. – 648 p.) [in Russian].
Carbon nanotubes and graphene for photonic applications. Eds. by S. Yamashita, Y. Saita, and J.H. Choi (WP Publishing, Oxford, Cambridge, Philadelphia, New York, 2013).
Graphene Optoelectronics. Synthesis, Characterization, Properties, and Applications. Ed. A. Rashid bin Mohd Yusoff (Wiley-VCH, Weinheim, Germany, 2014).
Serhii Shafraniuk. Graphene. Fundamentals, De-vices, and Applications (Pan Stanford Publishing, 2015).
Carbon Nanomaterials Sourcebook. Vol. II. Ed. K. D. Sattler (CRC Press, Boen Raton, London, New York, 2016).
2D Materials for Nanoelectronics. Eds. M. Houssa, A. Dimoulas, A. Molle (CRC Press, Boen Raton, London, New York, 2016).
Two-Dimensional Materials – Synthesis, Charac-terization and Potential Applications. Ed. P. K. Nayak (Published in Tech, Croatia, 2016).
Graphene Photonics, Optoelectronics, and Plasmonics. Eds. Q. Bao, H.Y. Hoh, Y. Zhang (Pan Stanford Publishing, Singapore, 2017).
Nan Guo. Infrared Photodetectors Based on Low-Dimensional Materials (Springer Nature Singapore Pte Ltd., Beijing, China, 2018).
Ng L. W., Hu G., Howe R. C. T., Zhu X., Yang Z., Jones C. G., Hasan T. Printing of Graphene and Related 2D Materials (Springer Int. Publ. AG, Switzerland, 2019).
Ponomarenko V. P., Popov V. S., Popov S. V., Chepurnov E. L. // Usp. Prikl. Fiz. 7 (1), 10 (2019).
Novaya mezhdunarodnaya marshrutnaya karta razvitiya poluprovodnikovyh priborov, Zarubezhnaya elektronnaya tekhnika 8 (6631), 4–9 (2017).
Perspektivy razvitiya tekhnologij vedushchih postavshchikov logiki i kremnievyh zavodov, Zarubezhnaya elektronnaya tekhnika 6 (6680), 16–19 (2019).
Schwierz F. // Proceedings of the IEEE, 101 (7), 1567 (2013).
Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V., Jiang D., Zhang Y., Dubonos S. V., Grigorieva I. V., Firsov A. A. // Science, 306, 666 (2004).
Lemme M. C., Echtermeyer T. J., Baus M., Kurtz H. // IEEE Electron Device Lett. 28 (4), 282 (2007).
Meric I., Han M. Y., Young A. F., Ozyilmaz B., Kim P., Shepard K. L. // Nature Nanotechnology 2008, doi: 10.1038/nnano.2008.268.
Meric I., Baklitskaya N., Kim P., Shepard K. L. // IEDM, 2008, doi: 10.1109/IEDM.2008.4796738.
Meric I., Dean C. R., Young A. F., Hone J., Kim P., Shepard K. L. // IEDM, 2010, doi: 10.1109/IEDM.2010.5703419.
Kedzierski J., Hsu P.-L., Healey P., Wyatt P. W., Keast C. L., Sprinkle M., Berger C., Walt A. de Heer // IEEE Trans. on Electron Devices, 55 (8), 2078 (2008).
Katsnelson Mikhail I. Graphene: carbon in two dimensions. Cambridge University Press, N.-Y., 2012.
Novoselov K. S. // Phys. Usp. 54 (12), 1227 (2011).
Giannazzo F., Greco G., Roccaforte F., Sonde S. S. // Crystals 2018, 8, 70, doi: 10.3390/cryst8020070.
Schwierz F., Wong H., Liou J. J., Nanometer CMOS. Singapore: Pan Stanford, 2010.
Wolf P. // IBM J. Res. Develop. 14, 125 (1970).
Tasker P. J., Hughes B. // IEEE Electron Device Lett. 10, 7, 291 (1989).
Wu Y., Jenkins K. A., Valdes-Garcia A., Farmer D. B., Zhu Y., Bol A. A., Dimitrakopoulos C., Zhu W., Xia F., Avouris P., Lin Y.-M. // Nano Letters, 12, 3062 (2012).
Moon J. S., Curtis D., Hu M., Wong D., McGuire C., Campbell P. M., Jernigan G., Tedesco J. L., VanMil B., Myers-Ward R., Eddy C., Jr., Gaskill D. K. // IEEE Electron. Devices Lett. 30 (6), 650 (2009).
Lin Y.-M., Dimitrakopoulos C., Jenkins K. A., Farmer D. B., Chiu H.-Y., Grill A., Avouris Ph. // Science 327, 662 (2010).
Han S.-J., Oida S., Jenkins K. A., Lu D., Zhu Y. // IEEE Electron Device Lett. 34, 1340 (2013).
Guo Z., Dong R., Chakraborty P. S., Lourenco N., Palmer J., Hu Y., Ruan M., Hankinson J., Kunc J., Cressler J. D., Berger C., De Heer W. A. // Nano Lett. 13, 942 (2013).
Feng Z. H., Yu C., Li, J., Liu Q. B., He Z. Z., Song, X. B., Wang J. J., Cai S. J. // Carbon. 75, 249 (2014).
Wu Y., Zou X., Sun M., Cao Z., Wang X., Huo S., Zhou J., Yang Y., Yu X., Kong Y., Yu G., Liao L., Chen T. // ACS Appl. Mater. Interfaces 8, 25645 (2016).
Cheng R., Bai J., Liao L., Zhou H., Chen Y., Liu L., Lin Y.-C., Jiang S., Huang Y., Duan X. // Proc. Nat. Acad. Sci. USA 2012;109(29):11588–92.
Liao L., Lin Y.-C., Bao M., Cheng R., Bai J., Liu Y., Qu Y., Wang R.L., Huang Y., Duan X. // Nature 467, 305 (2010).
Puurunen R. L. // Journ. Appl. Physics 97, 121301 (2005).
Knez M., Nielsch K., Niinistö L. // Adv. Mater. 19, 3425 (2007).
George S. M. // Rev. 110, 111 (2010).
Ananth Dodabalapur. // Materials Today 9 (4), 24 (2006).
Lee J., Tao L., Hao Y., Ruoff R. S., Akinwande D. // Appl. Phys. Lett. 100, 152104 (2012).
Petrone N., Meric I., Hone J., Shepard K. L. // Nano Letters 13 (1), 121 (2013), doi: 10.1021/nl303666m.
Meric I., Petrone N., Hone J., Shepard K. L. // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, 2013, doi: 10.1109/MWSYM.2013.6697801.
Petrone N., Meric I., Chari T., Shepard K. L., Hone J. // Journ. Electron Devices Society 3 (1), 44 (2015).
Wang L., Meric I., Huang P.Y., Gao Q., Gao Y., Tran H., Taniguchi T., Watanabe K., Campos L. M., Muller D. A., Guo J., Kim P., Hone J., Shepard K. L., Dean C. R. // Science 342, 614 (2013).
Chari T., Meric I., Dean C., Shepard K. // IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, doi: 10.1109/TED.2015.2482823.
Yeh C.-H., Lain Y.-W., Chiu Y.-C., Liao C.-H., Moyano D. R., Hsu S. S. H., Chiu P.-W. G. // ACS Nano 8 (8), 7663 (2014).
Guerriero E., Pedrinazzi P., Mansouri A., Habibpour O., Winters M., Rorsman N., Behnam A., Carrion E. A., Pesquera A., Centeno A., Zurutuza A., Pop E., Zirath H., Sordan R. // Scientific Reports, 2017, doi: 10.1038/s41598-017-02541-2.
Schwierz F., Pezoldt J., Granzner R. // Nanoscale, 2015, doi:10.1039/C5NR01052G.
Sorokin P. B., Chernozatonskii L. A. // Uspekhi Fizicheskikh Nauk 183 (2), 113 (2013).
Castro Neto A. H., Guinea F., Peres N. M. R., No-voselov K. S., Geim A. K. // Reviews of Modern Phys. 81, 109 (2009).
Britnell L., Gorbachev R. V., Jalil R., Belle B. D., Schedin F., Mishchenko A., Georgiou T., Katsnelson M. I., Eaves L., Morozov S. V., Peres N. M. R., Leist J., Geim A. K., Novoselov K. S., Ponomarenko L. A. // Science 335, 947 (2012).
Svintsov D., Vyurkov V., Lukichev V., Orlikovsky A., Burenkov A., Oechsner R. // Fizika i Technika Po-luprovodnikov 47 (2), 244 (2013).
Fiori G., Iannaccone G. // IEEE Electron. Dev. Lett. 30 (3), 261 (2009).
Fiori G., Iannaccone G. // IEEE Electron. Dev. Lett. 30 (10), 1096 (2009).
Ryzhii V., Ryzhii M., Satou A., Otsuji T., Kirova N. // J. Appl. Phys. 105, 104510 (2009).
Svintsov D., Vyurkov V., Ryzhii V., Otsuji T. // Jpn. J. Appl. Phys. 50, 070112 (2011).
Alymov G., Vyurkov V., Ryzhii V., Svintsov D. // Scientific Reports, 2016, doi: 10.1038/srep24654.
Chae M.-S., Lee T. H., Son K. R., Kim Y. W., Hwangb K.S., Kima T. G. // Nanoscale Horizons 2013, doi: 10.1039/C8NH00374B.
Ilatikhameneh H., Klimeck G., Appenzeller J., Rahman R. // IEEE Electron. Dev. Lett. 36 (7), 726 (2015).
Lahgere A., Sahu C., Singh J. // Electronics Lett. 51 (16), 1284 (2015).
Nigam K., Pandey S., Kondekar P., Sharma D., Verma M., Gedam A. // Micro & Nano Letters 12 (4), 239 (2017).
Abedini M., Ziabari S. A. S., Eskandarian A. // In-ternational Nano Letters, 2018, doi: 10.1007/s40089-018-0250-6.
Xu W., Lee T.-W. // Mater. Horiz. 3, 186 (2016).
Geng Z., Hëahnlein B., Granzner R., Auge M., Lebedev A. A., Davydov V. Y., Kittler M., Pezoldt J., Schwierz F. // Ann. Phys. (Berlin) 2017, 1700033, doi: 10.1002/andp.201700033.
Bai J., Duan X., Huang Y. // Nano Lett. 9 (5), 2083 (2009).
Li X., Wang X., Zhang L., Lee S., Dai H. // Science 319, 1229 (2008).
Llinas J. P., Fairbrother A., Barin G. B., Shi W., Lee K., Wu S., Choi B. Y., Braganza R., Lear J., Kau N., Choi W., Chen Chen C., Pedramrazi Z., Dumslaff T., Narita A., Feng X., Müllen K., Fischer F., Zettl A., Ruffieux P., Yablonovitch E., Crommie M., Fasel R., Bokor J. // Nature Communications, 2017, doi: 10.1038/s41467-017-00734-x.
Hwang W. S., Tahy K., Li X., Huili (Grace) Xing, Seabaugh A. C., Sung C. Y., Jena D. // Appl. Phys. Lett. 100, 203107 (2012).
Bennett P. B., Pedramrazi Z., Madani A., Chen Y.-C., de Oteyza D. G., Chen C., Fischer F. R., Crommie M. F., Bokor J. // Appl. Phys. Lett. 103, 253114 (2013).
Mele D., Mehdhbi S., Fadil D., Wei W., Ouerghi A., Lepilliet S., Happy H., Pallecchi E. // Electronic Materials Letters, 2018, doi: 10.1007/s13391-018-0038-x.
Chen Z., Lin Y.-M., Rooks M. J., Avouris P. // Physica E 40, 228 (2007).
Wang Xinran., Ouyang Y., Li X., Wang Hailiang, Guo J., Dai H. // Physical Rev. Lett. 100, 206803 (2008).
Jeong S.-J., Jo S., Lee J., Yang K., Lee H., Lee C.-S., Park H., Park S. // Nano Lett., 2016, doi: 10.1021/acs.nanolett.6b01542.
Gholipour M., Masoumi N., Chen Ying-Yu (Chris-tine), Chen D., Pourfath M. // IEEE Trans. on Electron Dev., 2014, doi: 10.1109/TED.2014.2362774.
Khatami Y., Kang J., Banerjee K. // Appl. Phys. Lett. 102, 043114 (2013).
Banadaki Y. M., Srivatsava A. // 2013 IEEE 56th Int. Midwest Symp. on Circuits and Systems, doi: 10.1109/mwscas.2013.6674801.
Ghadiry M., Ahmad H., Yi C. W., Manaf A. A. // Mater. Express. 6 (3), 265 (2016).
Fuechsle M., Miwa G. A., Mahapatra S., Ryu H., Lee S., Warschkow O., Hollenberg L. C. L., Klimeck G., Simmons M. Y. // Nature Nanotechnology 7, 242 (2012).
Deshpande V. Scaling Beyond Moore: Single Electron Transistor and Single Atom Transistor. Integra-tion on CMOS. Micro and nanotechnologies/Microelectro-
nics. Université de Grenoble, 2012.
Nguyen H. C., Retouty M., Lepennetier G. // arXiv:1701.05543v1 [cond-mat.mes-hall] 19 Jan 2017.
Xie F., Peukert A., Bender T., Obermair C., Wertz F., Schmieder P., Schimmel T. // Adv. Mater. 2018, 1801225, doi: 10.1002/adma.201801225.
Averin D. V., Likharev K. K. Single-electronics: Correlated transfer of single electrons and Cooper pairs in small tunnel junctions. In: Mesoscopic Phenomena in Solids, B. Altshuler, P. Lee, and R. Webb, Eds. Amsterdam, The Netherlands: Elsevier, 1991, pp. 173–271.
Soldatov E. S., Khanin V. V., Trifonov A. S., Pres-nov D. E., Yakovenko S. A., Khomutov G. B. // JETP Lett. 64 (10), 556 (1996).
Ponomarenko L. A., Schedin F., Katsnelson M. I., Yang R., Hill E. W., Novoselov K. S., Geim A. K. // Science 320, 356 (2008).
Kim G., Kim S.-S., Jeon J., Yoon S. I., Hong S., Cho Y. J., Misra A., Ozdemir S., Yin J., Ghazaryan D., Holwill M., Mishchenko A., Andreeva D. V., Kim Y.-J., Jeong H. Y., Jang A-R., Chung H.-Y., Geim A. K., Novoselov K. S., Sohn B.-H., Shin H. S. // Nature Communications, 2019, 10.1038/s41467-018-08227-1.
Khademhosseini V., Dideban D., Ahmadi M. T., Ismail R., Heidari H. // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, doi:10.1007/s10854-019-01121-6
Khademhosseini V., Dideban D., Ahmadi M. T., Ismail R., Heidari H. // ECS Journal of Solid State Science and Technology 7 (10), М145 (2018).
Stampfer C., Schurtenberger E., Molitor F., Güttinger J., Ihn T., Ensslin K. // Nfno Lett. 8 (8), 2378 (2008).
Ihn T., Güttinger J., Molitor F., Schnez S., Schurtenberger E., Jacobsen A., Hellmüller S., Frey T., Dröscher S., Stampfer C., Ensslin K. // Materials Today 13 (3), 44 (2010).
Puczkarski P., Gehring P., Lau C. S., Liu J., Arda-van A., Warner J. H., Briggs G. A. D., Mol J. A. // Appl. Phys. Lett. 107, 133105 (2015).
Gehring P., Sowa J. K., Cremers J., Wu Q., Sadeghi H., Sheng Y., Warner J. H., Lambert C. J., Briggs G. A. D., Mol J. A. // ACS Nano 11, 5325 (2017).
Hosseini V. K., Dideban D., Ahmadiz M. T., Is-mail R. // International Journal of Modern Physics B 32, 1850235 (2018).
Sofo J. O., Chaudhari A. S., Barber G. D. // Phys. Rev. B 75, 153401 (2007).
Lebègue S., Klintenberg M., Eriksson O., Katsnelson M. I. // Phys. Rev. B 79, 245117 (2009).
Klintenberg M., Lebègue S., Katsnelson M. I., Eriksson O. // Phys. Rev. B 81, 085433 (2010).
Karlický F., Otyepka M. // J. Chem. Theory Comput. 9, 4155 (2013).
Sahin H., Leenaerts O., Singh S. K., Peeters F. M. GraphAne: From Synthesis to Applications // arXiv:1502.05804v1 [cond-mat.mtrl-sci], 2015.
Majidi R. // JMNS 4 (1-2), 11 (2015).
Son J., Lee S., Kim S. J., Park B. C., Lee H.-K., Kim S., Kim J. H., Hong B. H., Hong J. // Nature Communications, 2016, doi: 10.1038/ncomms13261.
Hou X., Xie Z., Li C., Li G., Chen Z. // Materials, 2018, doi: 10.3390/ma11020188.
Liu Y., Bo M., Sun C. Q., Huang Y. // Nano-materials, 2018, doi: 10.3390/nano8020092.
Peng Q., Dearden A. K., Crean J., Liang Han L., Liu S., Wen X., De S. // Nanotechnology, Science and Applications, 2014, doi: 10.2147/NSA.S40324.
Lundie M., Sljivancanin Z., Tomi S. // Journal of Physics: Conference Series 526 (2014) 012003, doi: 10.1088/1742-6596/526/1/012003.
Einollahzadeh H., Fazeli S. M., Dariani R. S. // Science and Technology of Advanced Materials 17 (1), 610 (2016).
Vargas-Bernal R. // In Two-Dimensional Materials – Synthesis, Characterization and Potential Applications. Chapter 6. Ed. P. K. Nayak (Published inTech, Croa-tia, 2016).
Kondrin M. V., Brazhkin V. V. // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics 7 (1), 44 (2016).
Nechaev Y. S., Veziroglu N. // The Open Fuel Cells Journal 6, 21 (2013).
Di L., Yu-Rong Y., Yang X., Xiao-Yu Z. // Chin. Phys. B 20 (11), 118101 (2011).
Solis D. A., Borges D. D., Woellner C. F., Galvão D. S. // ACS Appl. Mater. Interfaces, 2018, doi: 10.1021/acsami.8b03481.
Fiori G., Lebègue S., Betti A., Michetti P., Klintenberg M., Eriksson O., Iannaccone G. // Phys. Rev. B 82, 153404 (2010).
Gharekhanlou B., Tousaki S. B., Khorasani S. // Journal of Physics: Conference Series 248, 012061 (2010).
Huang Liang-feng, Zeng Z. // Front. Phys. 7 (3), 324 (2012), doi: 10.1007/s11467-011-0239-3.
Ho K.-I., Huang C.-H., Liao J.-H., Zhang W., Li L.-J., Chao-Sung Lai C.-S., Su C.-Y. // Scientific Reports, 2014, doi: 10.1038/srep05893.
Bao Z., Dodabalapur A., Lovinger A. J. // Appl. Phys. Lett. 69 (26), 4108 (1996).
Sirringhaus H., Tessler N., Friend R. H. // Science 280, 1741 (1998).
Ridley B. A., Nivi B., Jacobson J. M. // Science 286, 746 (1999).
Kagan C. R., Mitzi D. B., Dimitrakopoulos C. D. // Science 286, 945 (1999).
Duan X., Niu C., Sahi V., Chen J., Parce J. W., Empedocles S., Goldman J. L. // Nature 425, 274 (2003).
Podzorov V., Gershenson M. E., Kloc Ch., Zeis R., Bucher E. // Appl. Phys. Lett. 84 (17), 3301 (2004), doi: 10.1063/1.1723695.
Yoon Y., Ganapathi K., Salahuddin S. // Nano Lett. 11, 3768 (2011).
Radisavljevic B., Radenovic A., Brivio J., Gia-cometti V., Kis A. // Nature Nanotechnology 6, 147 (2011).
Das S., Chen H.-Y., Penumatcha A. V., Appen-zeller J. // Nano Lett., 2012, doi: 10.1021/nl303583v.
Kim S., Konar A., Hwang W.-S., Lee J. H., Lee J., Yang J., Jung C., Kim H., Yoo J.-B., Choi J.-Y., Jin Y. W., Lee S. Y., Jena D., Choi W., Kim K. // Nature communica-tions, 2012, doi: 10.1038/ncomms2018.
Liu H., Ye P. D. // IEEE Electron. Device Lett. 33 (4), 546 (2012).
Pu J., Yomogida Y., Liu K.-K., Li L.-J., Iwasa Y., Takenobu T. // Nano Lett. 12, 4013 (2012).
Lee G.-H., Yu Y.-J., Cui X., Petrone N., Lee C.-H., Choi M. S., Lee D.-Y., Lee C., Yoo W. J., Watanabe K., Taniguchi T., Nuckolls C., Kim P., Hone J. // ACS Nano 7 (9), 7931 (2013).
Yoon J., Park W., Bae G.-Y., Kim Y., Jang H. S., Hyun Y., Lim S. K., Kahng Y. H., Hong W.-K., Lee B. H., Ko H. C. // Small, 2013, doi: 10.1002/smll.201300134.
Cheng R., Jiang S., Chen Y., Liu Y., Weiss N., Cheng H.-C., Wu H., Huang Y., Duan X. // Nature Com-munications, 2014, doi: 10.1038/ncomms6143.
Roy T., Tosun M., Kang J. S., Sachid A. B., Desa S. B., Hettick M., Hu C. C., Javey A. // ACS Nano, 2014, doi: 10.1021/nn501723y.
Cho A.-J., Park K. C., Kwon J.-Y. // Nanoscale Research Letters, 2015, doi: 10.1186/s11671-015-0827-1.
Han S. A., Bhatia R., Kim S.-W. // Nano Con-vergence, 2015, doi: 10.1186/s40580-015-0048-4.
Sanne A., Ghosh R., Rai A., Movva H. C. P., Sharma A., Rao R., Mathew L., Banerjee S. K. // Appl. Phys. Lett. 106, 062101 (2015).
Tong X., Ashalley E., Lin F., Li H., Wang Z. M. // Nano-Micro Lett., 2015, doi: 10.1007/s40820-015-0034-8.
Friedman A. L., Hanbicki A. T., Perkins F. K., Jernigan G. G., Culbertson J. C., Campbell P. M. // Scientific Reports, 2017, doi: 10.1038/s41598-017-04224-4.
Horri A., Faez R., Pourfath M., Darvish G. // IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, doi: 10.1109/TED.2017.2716938.
Robertson J., Liu X., Yue C., Escarra M., Wei J. // 2D Mater. 2017, doi: 10.1088/2053-1583/aa8678.
Sanne A., Park S., Ghosh R., Yogeesh M. N., Liu C., Mathew L., Rao R., Akinwande D., Banerjee S. K. // 2D Materials and Applications, 2017, doi: 10.1038/s41699-017-0029-z.
Xu H., Zhang H., Guo Z., Shan Y., Wu S., Wang J., Hu W., Liu H., Sun Z., Luo C., Wu X., Xu Z., Zhang D. W., Bao W., Zhou P. // Small, 14, 1803465 (2018).
Pradhan N. R., Rhodes D., Xin Y., Memaran S., Bhaskaran L., Siddiq M., Hill S., Ajayan P. M., Balicas L. // ACS Nano, 2014, doi: 10.1021/nn501693d.
Das S. R., Kwon J., Prakash A., Delker C. J., Das S., Janes D. B. // Appl. Phys. Lett. 106, 083507 (2015), doi: 10.1063/1.4913714.
Jeong Y., Park J. H., Ahn J., Lim J. Y., Kim E., Im S. // Adv. Mater. Interfaces, 1800812 (2018).
Lee H., Ahn J., Im S., Kim J., Choi W. // Scientific Reports, 2018, doi: 10.1038/s41598-018-29942-1.
Fathipour S., Ma N., Hwang W. S., Protasenko V., Vishwanath S., Xing H. G., Xu H., Jena D., Appenzeller J., Seabaugh A. // Appl. Phys. Lett. 105, 192101 (2014).
Pradhan N. R., Rhodes D., Feng S., Xin Y., Me-maran S., Moon B.-H., Terrones H., Terrones M., Balicas L. // ACS Nano, 2014, doi: 10.1021/nn501013c.
Yin L., Zhan X., Xu K., Wang F., Wang Z., Huang Y., Wang Q., Jiang C., Heb J. // Appl. Phys. Lett. 108, 043503 (2016), doi: 10.1063/1.4941001.
Sirota B., Glavin N., Krylyuk S., Davydov A. V., Voevodin A. A. // Scientific Reports, 2018, doi: 10.1038/s41598-018-26751-4.
Liu X., Hu J., Yue C., Fera N. D., Ling Y., Mao Z., Wei J. // ACS Nano, 2014, doi: 10.1021/nn505253p.
Iqbal M. W., Iqbal M. Z., Khan M. F., Shehzad M. A., Seo Y., Eom J. // Nanoscale, 2014, doi: 10.1039/C4NR05129G.
Iqbal M. W., Iqbal M. Z., Khan M. F., Shehzad M. A., Seo Y., Park J. H., Hwang C., Eom J. // Scientific Reports, 2015, doi: 10.1038/srep10699.
Cui Y., Xin R., Yu Z., Pan Y., Ong Z.-Y., Wei X., Wang J., Nan H., Ni Z., Wu Y., Chen T., Shi Y., Wang B., Zhang G., Zhang Y.-W., Wang X. // Adv. Mater. 27, 5230 (2015).
Fang H., Chuang S., Chang T. C., Takei K., Takahashi T., Javey A. // Nano Lett., 2012, doi: 10.1021/nl301702r.
Liu W., Kang J., Sarkar D., Khatami Y., Jena D., Banerjee K. // Nano Lett. 13, 1983 (2013).
Liu B., Ma Y., Zhang A., Chen L., Abbas A. N., Liu Y., Shen C., Wan H., Zhou C. // ACS Nano, 2016, doi: 10.1021/acsnano.6b00527.
Pudasaini P. R., Oyedele A., Zhang C., Stanford M. G., Cross N., Wong A. T., Hoffman A. N., Xiao K., Duscher G., Mandrus D. G., Ward T. Z., Rack P. D. // Nano Res., 2017, doi: 10.1007/s12274-017-1681-5.
He J., Fang N., Nakamura K., Ueno K., Tanigu-chi T., Watanabe K., Nagashio K. // Adv. Electron. Mater., 1800207 (2018), doi: 10.1002/aelm.201800207.
Si M., Jiang C., Chung W., Du Y., Alam M. A., Ye P. D. // Nano Lett. 18, 3682 (2018).
Liu F., Wang J., Guo H. // Nanotechnology 26, 175201 (2015), doi: 10.1088/0957-4484/26/17/175201.
Zhang M., Wu J., Zhu Y., Dumcenco D. O., Hong J., Mao N., Deng S., Chen Y., Yang Y., Jin C., Chaki S. H., Huang Y.-S., Zhang J., Xie L. // ACS Nano, 8 (7), 7130 (2014), doi: 10.1-21/nn5020566.
Zhang M., Zhu Y., Wang X., Feng Q., Qiao S., Wen W., Chen Y., Cui M., Zhang J., Cai C., Xie L. // J. Am. Chem. Soc., 2015, doi: 10.1021/jacs.5b03807.
Zhu Y., Wang X., Zhang M., Cai C., Xie L. // Nano Res. 9, 2931 (2016).
Yan C., Gong C., Wangyang P., Chu J., Hu K., Li C., Wang X., Du X., Zhai T., Li Y., Xiong J. // Adv. Funct. Mater., 1803305 (2018).
Mleczko M. J., Zhang C., Lee H. R., Kuo H.-H., Magyari-Köpe B., Moore R. G., Shen Z.-X., Fisher I. R., Nishi Y., Pop E. // Sci. Adv., 2017, doi: 10.1126/sciadv. 1700481.
Xu K., Wang Z., Wang F., Huang Y., Wang F., Yin L., Jiang C., He J. // Adv. Mater. 27, 7881 (2015).
Kanazawa T., Amemiya T., Ishikawa A., Upadhyaya V., Tsuruta K., Tanaka T., Miyamoto Y. // Scientific Reports, 2016, doi: 10.1038/srep22277.
Fu L., Wang F., Wu B., Wu N., Huang W., Wang H., Jin C., Zhuang L., He J., Fu L., Liu Y. // Adv. Mater., 29, 1700439 (2017).
Nie X.-R., Sun B.-Q., Zhu H., Zhang M., Zhao D.-H., Chen L., Sun Q.-Q., Zhang D. W. // ACS Appl. Mater. Interfaces, 2017, doi: 10.1021/acsami.7b06160.
Kang M., Rathi S., Lee I., Lim D., J Wang J., Li L., Khan M. A., Kim G.-H. // Appl. Phys. Lett. 106, 143108 (2015).
Kang M., Rathi S., Lee I., Li L., Khan M. A., Lim D., Lee Y., Park J., Yun S. J., Youn D.-H., Jun C., Kim G.-H. // Nanoscale, 9, 1645 (2017).
Zhao D., Xie S., Wang Y., Zhu H., Chen L., Sun Q., Zhang D. W. // AIP Advances 9, 025225 (2019), doi: 10.1063/1.5086447.
Zhao Y., Qiao J., Yu Z., Yu P., Xu K., Lau S. P., Zhou W., Liu Z., Wang X., Ji W., Chai Y. // Adv. Mater., 29, 1604230 (2017).
Ciarrocchi A., Avsar A., Ovchinnikov D., Kis A. // Nature Communication, 2018, doi: 10.1038/s41467-018-03436-0.
Huifang M., Chen P., Li B., Li J., Ai R., Zhang Z., Sun G., Yao K., Lin Z., Zhao B., Wu R., Tang X., Duan X., Duan X. // Nano Lett., 2018, doi: 10.1021/acs. nanolett.8b00583.
Ghorbani-Asl M., Kuc A., Miró P., Heine T. // Adv. Mater. 28, 853 (2016).
Perucchini M., Marian D., Marin E. G., Iannac-cone G., Fiori G. // Graphene, 2019
Chow W. L., Yu P., Liu F., Hong J., Wang X., Zeng Q., Hsu C.-H., Zhu C., Zhou J., Wang X., Xia J., Yan J., Chen Y., Wu D., Yu T., Shen Z., Lin H., Jin C., Tay B. K., Liu Z. // Adv. Mater., 1602969 (2017), doi: 10.1002/adma. 201602969.
Corbet C. M., McClellan C., Rai A., Sonde S. S., Tutuc E., Banerjee S. K. // ACS Nano 9 (1), 363 (2015).
He X., Liu F., Hu P., Fu W., Wang X., Zeng Q., Zhao W., Liu Z. // Small, 2015, doi: 10.1002/smll.201501488.
Liu E., Fu Y., Wang Y., Feng Y., Liu H., Wan X., Zhou W., Wang B., Shao L., Ho C.-H., Huang Y.-S., Cao Z., Wang L., Li A., Zeng J., Song F., Wang X., Shi Y., Yuan H., Hwang H. Y., Cui Y., Miao F., Xing D. // Nature Communi-cations, 2015, doi: 10.1038/ncomms7991.
Zhang E., Jin Y., Yuan X., Wang W., Zhang C., Tang L., Liu S., Zhou P., Weida Hu W., Xiu F. // Adv. Funct. Mater. 25, 4076 (2015), doi: 10.1002/adfm. 201500969.
Shim J., Oh A., Kang D.-H., Oh S., Jang S. K., Jeon J., Jeon M. H., Kim M., Choi C., Lee J., Lee S., Yeom G. Y., Song Y. J., Park J.-H. // Adv. Mater., 2016, doi: 10.1002/adma.201601002.
Mohammed O. B., Movva H. C. P., Prasad N., Valsaraj A., Kang S., Corbet C. M., Taniguchi T., Watanabe K., Register L. F., Tutuc E., Banerjee S. K. // Journ. Appl. Phys., 122, 245701 (2017).
Park J. Y., Joe H.-E., Yoon H. S., Yoo S.-H., Kim T., Kang K., Min B.-K., Jun S. C. // ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, doi: 10.1021/acsami.7b06432.
Gao N., Zhou S., Liu N., Bai Y., Zhao J. // J. Mater. Chem. C, 2018, doi: 10.1039/C8TC02116C.
Liao W., Wei W., Tong Y., Chim W. K., Zhu C. // ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, doi: 10.1021/acsami.8b00193.
Khosravi A., Addou R., Catalano M., Kim J., Wallace R. M. // Materials, 2019, doi: 10.3390/ma12071056.
Kang B., Y Kim Y., Cho J. H., Lee C. // 2D Materials, 025014 (2017).
Lee K.-C., Yang S.-H., Sung Y.-S., Chang Y.-M., Lin C.-Y., Yang F.-S., Li M., Watanabe K., Taniguchi T., Ho C.-H., Lien C.-H., Lin Y.-F. // Adv. Funct. Mater. 1809011 (2019).
Pradhan N. R., Garcia C., Isenberg B., Rhodes D., Feng S., Memaran S., Xin Y., McCreary A., Walker A. R. H., Raeliarijaona A., Terrones H., Terrones M., McGill S., Balicas L. // Scientific Reports, 2018, doi: 10.1038/s41598-018-30969-7.
Zhang W., Huang Z., Zhang W., Li Y. // Nano Res. 7 (12), 1731 (2014).
Desai S. B., Madhvapathy S. R., Sachid A. B., Llinas J. P., Wang O., Ahn G. H., Pitner G., Kim M. J., Bokor J., Hu C., Wong H.-S. P., Javey A. // Science 354 (6308), 99 (2016).
Ovchinnikov D., Gargiulo F., Allain A., Pasquier D.J., Dumcenco D., Ho C.-H., Yazyev O. V., Kis A. // Nature Communications, 2016, doi: 10.1038/ncomms12391.
Lin Z., McCreary A., Briggs N., Subramanian S., Zhang K., Sun Y., Li X., Borys N. J., Yuan H., Fullerton-Shirey S. K., Chernikov A., Zhao H., McDonnell S.,
Lindenberg A. M., Xiao K., LeRoy B. J., Drndić M., Hwang J. C. M., Jiwoong Park J., Chhowalla M., Schaak R. E., Javey A., Hersam M. C., Robinson J., Terrones M. // 2D Mater. 3, 042001 (2016), doi: 10.1088/2053-1583/3/4/042001.
Ye M., Zhang D., Yap Y. K. // Electronics 6 (43), 2017, doi: 10.3390/electronics6020043.
Xiong W.-W., Chen J.-O., Wu X.-C. Zhu J.-J. // J. Mater. Chem. C 2, 7392 (2014).
Tao Y.-R., Wu J.-J., Wu X.-C. // Nanoscale, 2015, doi: 10.1039/C5NR03589A.
Island J. O., Buscema M., Barawi M., Clamagirand J. M., Ares J. R., Sánchez C., Ferrer I. J., Steele G. A., van der Zant H. S. J., Castellanos-Gomez A. // Adv. Optical Mater., 2014, doi: 10.1002/adom.201400043.
Lipatov A., Wilson P. M., Shekhirev M., Teeter J. D., Netusil R., Sinitskii A. // Nanoscale 7, 12291 (2015).
Island J. O., Barawi M., Biele R., Almazán A., Clamagirand J. M., Ares J. R., Sánchez C., van der Zant H. S. J., Álvarez J. V., D’Agosta R., Ferrer I. J., Andres Castel-lanos-Gomez A. // Adv. Mater., 2015, doi: 10.1002/adma.201405632.
Molina-Mendoza A. J., Island J. O., Paz W. S., Clamagirand J. M., Ares J. R., Flores E., Leardini F., Sánchez C., Agraït N., Rubio-Bollinger G., van der Zant H. S. J., Ferrer I. J., Palacios J. J., Castellanos-Gomez A. // Adv. Funct. Mater. 2017, 1605647, doi: 10.1002/adfm.201605647.
Stolyarov M. A., Liu G., Bloodgood M. A., Aytan E., Jiang C., Samnakay R., Salguero T. T., Nika D. L., Rumyantsev S. L., Shur M. S., Bozhilov K. N., Balandin A. A. // Nanoscale, 2016, doi: 10.1039/c6nr03469a.
Liu G., Rumyantsev S., Bloodgood M. A., Sal-guero T. T., Shur M., Balandin A. A. // Nano Lett. 17, 377 (2017), doi: 10.1021/acs.nanolett.6b04334.
Island J. O., Molina-Mendoza A. J., Barawi M., Biele R., Flores E., Clamagirand J. M., Ares J. R., Sánchez C., van der Zant H. S. J., D’Agosta R., Ferrer I. J., Castella-nos-Gomez A. // 2D Materials, 4, 022003 (2017), doi: 10.1088/2053-1583/aa6ca6.
Abdulsalam M., Joubert D. P. // Eur. Phys. J. B, 2015, doi: 10.1140/epjb/e2015-60005-x.
Abdulsalam M., Joubert D. P. // Phys. Status Sol-idi B 253 (5), 868 (2016), doi: 10.1002/pssb.201552705.
Li M., Dai J., Zeng X. // Nanoscale 37 (7), 15385 (2015), doi: 10.1039/c5nr04505c.
Dai J., Zeng X. C. // Angew. Chem. Int. Ed. 54, 7572 (2015), doi: 10.1002/anie.201502107.
Qiao J., Kong X., Hu Z.-X., Yang F., Ji W. // Na-ture Communications, 2014, doi: 10.1038/ncomms5475.
Das S., Demarteau M., Roelofs A. // ACS Nano, 2014, doi: 10.1021/nn505868h.
Du Y., Liu H., Deng Y., Ye P. D. // ACS Nano 8 (10), 10035 (2014), doi: 10.1021/nn502553m.
Li L., Yu Y., Ye G. J., Ge Q., Ou X., Wu H., Feng D., Chen X. H., Zhang Y. // Nature Nanotechnology 9, 2014, doi: 10.1038/nnano.2014.35.
Liu H., Neal A.T., Zhu Z., Luo Z., Xu X., Tomànek D., Ye P. D. // ACS Nano, 2014, doi: 10.1021/nn501226z.
Wang H., Wang X., Xia F., Wang L., Jiang H., Xia Q., Chin M. L., Dubey M., Han S.-J. // Nano Lett., 2014, doi: 10.1021/nl5029717.
Ang K.-W., Ling Z.-P., Zhu J. // 2015 IEEE Int. Conf. on Digital Signal Processing (DSP), doi: 10.1109/icdsp.2015.7252075.
Lee Y. T., Kwon H., Kim J. S., Kim H.-H., Lee Y. J., Lim J. A., Song Y.-W., Yi Y., Choi W.-K., Hwang D. K., Seongil Im S. // ACS Nano, 2015, doi: 10.1021/acsnano.5b04592.
Kim J.-S., Liu Y., Zhu W., Kim S., Wu D., Tao L., Dodabalapur A., Lai K., Akinwande D. // Scientific Reports, 2015, doi: 10.1038/srep08989.
Ling X., Wang H., Huang S., Xia F., Dressel-haus M. S. // PNAS Early Edition, 2015, doi: 10.1073/pnas.1416581112.
Xiong K., Luo X., Hwang J. C. M. // 2015 IEEE MTT-S International Microwave Workshop Series on Ad-vanced Materials and Process for RF and THz Applications (IMWS-AMP), doi: 10.1109/IMWS-AMP.2015.7324944.
Zhu W., Yogeesh M. N., Yang S., Aldave S. H., Kim J., Sonde S. S., Tao L., Lu N., Akinwande D. // Nano Lett., 2015, doi: 10.1021/nl5047329.
Liu X., Ang K.-W., Yu W., He J., Feng X., Liu Q., Jiang H., Tang D., Wen J., Lu Y., Liu W., Cao P., Han S., Wu J., Liu W., Wang X., Zhu D., He Z. // Scientific Reports, 2016, doi: 10.1038/srep24920.
Haratipour N., Koester S. J. // IEEE Electron De-vice Lett. 37 (1), 103 (2016).
Yang L. M., Qiu G., Si M. W., Charnas A. R., Milligan C. A., Zemlyanov D. Y., Zhou H., Du Y. C., Lin Y. M., Tsai W., Paduano Q., Snure M., Ye P. D. // IEDM Tech. Dig., 2016, pp. 5.5.1–5.5.4, doi: 10.1109/IEDM.2016.7838354.
Illarionov Y. Y., Waltl M., Rzepa G., Knobloch T., Kim J.-S., Akinwande D., Grasser T. // npj 2D Materials and Applications, 2017, doi: 10.1038/s41699-017-0025-3.
Si M., Yang L., Du Y., Ye P. D. // Proc. Device Res. Cjnf. (DRC), 2017, pp. 1–2, doi: 10.1109/DRC.2017. 7999395.
Li T., Zhang Z., Li X., Huang M., Li S., Li S., Wua Y. // Appl. Phys. Lett. 110, 163507 (2017).
Ma Y., Shen C., Zhang A., Chen L., Liu Y., Chen J., Liu Q., Li Z., Amer M. R., Nilges T., Abbas A. N., Zhou C. // ACS Nano 11, 7126 (2017), doi: 10.1021/ acsnano.7b02858.
Xiong X., Li X., Huang M., Li T., Gao T., Wu Y. // IEEE Electron Device Lett. 39 (1), 127 (2018).
Dickerson W., Tayari V., Fakih I., Korinek A., Caporali M., Serrano-Ruiz M., Peruzzini M., Heun S., Botton G. A., Szkopek T. // Applied Phys. Lett. 112, 173101 (2018).
He D., Wang Y., Huang Y., Shi Y., Wang X., Duan X. // Nano Lett., 2018, doi: 10.1021/acs.nanolett. 8b03940.
Wu P., Ameen T., Zhang H., Bendersky L. A., Ilatikhameneh H., Klimeck G., Rahman R., Davydov A. V., Appenzeller J. // ACS Nano, 2018, doi: 10.1021/acsnano. 8b06441.
Zheng S., Wu E., Zhang H. // IEEE Trans. on Nanotechnoligy 17 (3), 590 (2018).
Zheng Y., Hu Z., Han C., Guo R., Xiang D., Lei B., Wang Y., He J., Lai M., Chen W. // Nano Res., 2018, doi: 10.1007/s12274-018-2246-y.
Xia Y., Li G., Jiang B., Yang Z., Liu X., Xiao X., Flandre D., Wang C., Liu Y., Liao L. // Nanoscale, 11, 10420 (2019), doi: 10.1039/c9nr02907a.
Xing B., Guan L., Yu Y., Niu X., Yan X., Zhang S., Yao J., Wang D., Sha J., Wang Y. // Nanotechnology, 30 (2019), doi: 10.1088/1361-6528/ab1ffe.
Zhang L., Shao L. Y., Gu G., Wang T., Sun X. W., Chen X. // Adv. Electron. Mater. 5, 1900133, (2019), doi: 10.1002/aelm.201900133.
Wang Y., Huang P., Ye M., Quhe R., Pan Y., Zhang H., Zhong H. Shi J., Lu J. // Chem. Mater. 29, 2191 (2017); doi: 10.1021/acs.chemmater.6b04909.
Ersan F., Kecik D., Ozcelik V. O., Kadioglu Y., Akturk U., Durgun E., Akturk E., Ciraci S. // Appl. Phys. Rev. 6, 021308 (2019); doi: 10.1063/1.5074087.
Pizzi G., Gibertini M., Dib E., Marzari N., Iannaccone G., Fiori G. // Nature Communications, 2016, doi: 10.1038/ncomms12585.
Zhang S., Guo S., Chen Z., Wang Y., Gao H., Goґmez-Herrero J., Ares P., Zamora F., Zhu Z., Zeng H. // Chem. Soc. Rev., 2017, doi: 10.1039/c7cs00125h.
Chang J. // Nanoscale, 2018, doi: 10.1039/C8NR03191F.
Chen J., Yang Z., Zhou W., Zou H., Li M., Ouyang F. // Phys. Status Solidi RRL, 2018, 1800038, doi: 10.1002/pssr.201800038.
Sun X., Song Z., Liu S., Wang Y., Li Y., Wang W., Lu J. // ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, doi: 10.1021/acsami.8b03840.
Zhang H., Xiong J., Ye M., Li J., Zhang X., Quhe R., Song Z., Yang J., Zhang Q., Shi D., Yan J., Guo W., Rob-ertson J., Wang Y., Pan F., Lu J. // Phys. Rev. Appl. 11, 064001 (2019).
Zhou W., Chen J., Bai P., Guo S., Zhang S., Song X., Tao L., Zeng H. // Research, 2019, doi: 10.34133/2019/1046329.
Zhong M., Xia Q., Pan L., Liu Y., Chen Y., Deng H.-X., Li J., Wei Z. // Adv. Funct. Mater. 2018, 1802581, doi: 10.1002/adfm.201802581.
Yang Z., Wu Z., Lyu Y., Hao J. // InfoMat. 1 (1), 98 (2019), doi: 10.1002/inf2.12001.
Zhao J., Liu H., Yu Z., Quhe R., Zhou S., Wang Y., Liu C., Zhong H., Han N., Lu J., Yao Y., Wuf K. // Progress in Materials Science 83, 24 (2016), doi: 10.1016/j.pmatsci.2016.04.001.
Ni Z., Liu Q., Tang K., Zheng J., Zhou J., Qin R., Gao Z., Yu D., Lu J. // Nano Lett. 12, 113 (2012), doi: 10.1021/nl203065e.
Vali M., Dideban D., Moezi N. // J. Comput. Electron., 2015, doi: 10.1007/s10825-015-0758-1.
Tao L., Cinquanta E., Chiappe D., Grazianetti C., Fanciulli M., Dubey M., Molle A., Akinwande D. // Na-ture Nanotechnology, 10 (2015), doi: 10.1038/nnano.2014.325.
Quhe R., Fei1 R., Liu Q., Zheng J., Li H., Xu C., Ni Z., Wang Y., Yu D., Gao Z., Lu J. // Scientific Reports, 2012, doi: 10.1038/srep00853.
Pan F., Wang Y., Jiang K., Ni Z., Ma J., Zheng J., Quhe R., Shi J., Yang J., Chen C., Lu J. // Scientific Reports, 2015, doi: 10.1038/srep09075.
Grazianetti C., Cinquanta E., Tao L., De Padova P., Quaresima C., Ottaviani C., Akinwande D., Molle A. // ACS Nano 11, 3376 (2017), doi: 10.1021/acsnano.7b00762.
Satta M., Colonna S., Flammini R., Cricenti A., Ronci F. // PRL, 115, 026102 (2015), doi: 10.1103/ PhysRevLett.115.026102.
Quhe R.-G., Wang Y.-Y., Lü J. // Chin. Phys. B 24 (8), 088105 (2015).
Gablech I., Pekarek J., Klempa J., Svatos V., Sagedi-Moghaddam A., Neuzil P., Pumera M. // Trends in Analytical Chemistry, 2018, doi: 10.1016/j.trac.2018.05.008.
Ezawa M., Salomon E., De Padova P., Solonen-ko D., Vogt P., D’avila M. E., Molle A., Angot T., Le Lay G. // Rivista del Nuovo Cimento 41 (3), 175 (2018), doi: 10.1393/ncr/i2018-10145-y.
Molle A., Goldberger J., Houssa M., Xu Y., Zhang S.-C., Akinwande D. // Nature Materials, 2017, doi: 10.1038/NMAT4802.
Li H., Wang L., Liu Q., Zheng J., Mei W.-N., Gao Z., Shi J., Lu J. // Eur. Phys. J. B, 2012, doi: 10.1140/epjb/e2012-30220-2.
Kaneko S., Tsuchiya H., Kamakura Y., Mori N., Ogawa M. // Applied Physics Express 7, 035102 (2014), doi: 10.7567/APEX.7.035102.
Marin E. G., Marian D., Iannaccone G., Fiori G. // Nanoscale 9, 19390 (2017), doi: 10.1039/c7nr06015g.
Li X., Mullen J. T., Jin Z., Borysenko K. M., Nardelli M. B., Kim K. W. // Phys. Rev. B 87, 115418 (2013), doi: 10.1103/PhysRevB.87.115418.
Dávila M. E., Xian L., Cahangirov S., Rubio A., Le Lay G. // New Journal of Physics 16, 095002 (2014), doi: 10.1088/1367-2630/16/9/095002.
Garcia J. C., de Lima D. B., Assali L. V. C., Justo J. F. // J. Phys. Chem. C 115, 13242 (2011).
Xu M., Liang T., Shi M., Chen H. // Chem. Rev. 113, 3766 (2013).
Bianco E., Butler S., Jiang S., Restrepo O. D., Windl W., Goldberger J. E. // ACS Nano 7 (5), 4414 (2013), doi: 10.1021/nn4009406.
Zhao H., Zhang Chang-wen, Ji Wei-xiao, Zhang Run-wu, Li Sheng-shi, Yan Shi-shen, Zhang Baomin, Li P., Wang Pei-ji. // Scientific Reports, 2016, doi: 10.1038/srep20152.
Khatami M. M., Gaddemane G., Van de Put M. L., Fischetti M. V., Moravvej-Farshi M. K., Mahdi Pourfath M., Vandenberghe W. G. // Materials 12, 2935(2019), doi: 10.3390/ma12182935.
Zhao Y., AlMutairi A., Yoon Y. // IEEE Electron Dev. Lett. 38 (12), 2017, doi: 10.1109/LED.2017. 2763120.
AlMutairi A., Zhao Y., Yin D., Yoon Y. // IEEE Electron., 2017, doi: 10.1109/LED.2017.2681579.
Brahma M., Bescond M., Logoteta D., Ghosh R. K., Mahapatra S. // IEEE Trans. on Electron. Devices 65 (3), 2018, doi: 10.1109/TED.2017.2788463.
Madhushankar B. N., Kaverzin A., Giousis T., Potsi G., Gournis D., Rudolf P., Blake G. R., van der Wal C. H., van Wees B. J. // 2D Mater. 4, 021009 (2017), doi: 10.1088/2053-1583/aa57fd.
Bismuth – Containing Alloys and Nanostruc-tures. Eds. Wang S., Lu P. 285 Springer Series in Materials Science, 2019 (Publ. Springer Nature Singapore Pte Ltd.).
Liu Y., Weiss N. O., Duan X., Cheng H.-C., Huang Y., Duan X. // Nature Reviews Materials, 1, 2016, doi: 10.1038/natrevmats.2016.42.
Iannaccone G., Bonaccorso F., Colombo L., Fiori G. // Nature Nanotechnology, 2018, doi: 10.1038/s41565-018-0082-6.
Dean C., Young A. F., Wang L., Meric I., Lee G.-H., Watanabe K., Taniguchi T., Shepard K., Kim P., Hone J. // Solid State Communications 152, 1275 (2012), doi: 10.1016/j.ssc.2012.04.021.
Wofford J. M., Nakhaie S., Krause T., Liu X., Ramsteiner M., Hanke M., Riechert H., Lopes J. M. J. // Scientific Reports, 2017, doi: 10.1038/srep43644.
Qian Y., Ngoc V. H., Kang D. J. // Scientific Re-ports, 2017, doi: 10.1038/s41598-017-17432-9.
Fiori G., Bruzzone S., Iannaccone G. // IEEE Trans. on Electron Dev. 60 (1), 268 (2013), doi: 10.1109/TED.2012.2226464.
Fiori G., Betti A., Bruzzone S., D’Amico P., Iannaccone G. // IEDM Tech. Dig. 11.4.1–11.4.4 (IEEE, 2011).
Fiori G., Betti A., Bruzzone S., Iannaccone G. // ACS Nano 6 (3), 2642 (2012), doi: 10.1021/nn300019b.
Moon J. S., Seo Hwa-chang, Stratan F., Antcliffe M., Schmitz A., Ross R. S., Kiselev A. A., Wheeler V. D., Nyakiti L. O., Gaskill D. K., Lee K.-M., Asbeck P. M. // IEEE Electron Device Letters 34, 1190 (2013).
Mehr W., Dabrowski J., Scheytt J.C., Lippert G., Xie Y.-H., Lemme M. C., Ostling M., Lupina G. // IEEE Electron Device Letters 33, 691 (2012).
Vaziri S., Lupina G., Henkel C., Smith A. D., Östling M., Dabrowski J., Lippert G., Mehr W., Lemme M. C. // Nano Lett. 13, 1435 (2013), doi: 10.1021/ nl304305x.
Yang H., Heo J., Park S., Song H. J., Seo D. H., Byun K.-E., Kim P., Yoo InKyeong, Chung H.-J., Kim K. // Science 336, 1140 (2012), doi: 10.1126/science.1220527.
Horri A., Faez R., Pourfath M., Darvish G. // IEEE Trans. on Electron Devices, 2017, doi: 10.1109/TED.2017.2716938.
Georgiou T., Jalil R., Belle B. D., Britnell L., Gor-bachev R. V., Morozov S. V., Kim Y.-J., Gholinia A., Haigh S. J., Makarovsky O., Eaves L., Ponomarenko L. A., Geim A. K., Novoselov K. S., Mishchenko A. // Nature Nanotechnology, 2012, doi: 10.1038/nnano.2012.224.
Cao J., Park J., Triozon F., Pala M. G., Cresti A. // ISTE OpenScience, 2018, doi: 10.21494/ISTE.OP.2018.0222.
Netsu S., Kanazawa T., Uwanno T., Amemiya T., Nagashio K., Miyamoto Y. // IEICE Trans. Electron., E101–C, 5, 338 (2018), doi: 10.1587/transele.E101.C.338.
Long M., Wang Y., Wang P., Zhou X., Xia H., Luo C., Huang S., Zhang G., Yan H., Fan Z., Wu X., Chen X., Lu W., Hu W. // ACS Nano, 2019, doi: 10.1021/acsnano. 8b09476.
Fan Z.-Q., Jiang X.-W., Luo J.-W., Jiao L.-Y., Huang R., Li S.-S., Wang L.-W. // Phys. Rev., B 96, 165402 (2017).
Marian D., Dib E., Cusati T., Marin E.G., Fortunelli A., Iannaccone G., Fiori G. // Phys. Rev. Appl. 8, 054047 (2017).
Deng Y., Luo Z., Conrad N. J., Liu H., Gong Y., Najmaei S., Ajayan P. M., Lou J., Xu X., Ye P. D. // ACS Nano, 8 (8), 8292 (2014), doi: 10.1021/nn5027388.
Jiang X., Shi X., Zhang M., Wang Y., Gu Z., Chen L., Zhu H., Zhang K., Sun Q.-Q., Zhang D. W. // ACS Applied Nano Materials, 2019, doi: 10.1021/ acsanm.9b01193.
Wang J., Jia R., Huang Q., Pan C., Zhu J., Wang H., Chen C., Zhang Y., Yang Y., Song H., Feng Miao F., Huang R. // Scientific Reports, 2018, doi: 10.1038/s41598-018-35661-4.
Yan X., Liu C., Li C., Bao W., Ding S., Zhang D. W., Zhou P. // Small, 1701478 (2017), doi: 10.1002/smll.201701478.
Roy T., Tosun M., Cao X., Fang H., Lien D.-H., Zhao P., Chen Y.-Z., Chueh Y.-L., Guo J., Javey A. // ACS Nano, 2015, doi: 10.1021/nn507278b.
Yuan Y., Sun T., Hu Z., Yu W., Ma W., Zhang K., Sun B., Lau S. P., Bao Q., Lin S., Li S. // ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, doi: 10.1021/acsami.8b13620.
Shang J., Zhang S., Wang Y., Wen H., Wei Z. // Chinese Optics Letters (COL) 17 (2), 020010 (2019), doi: 10.3788/COL201917.020010.
Na J., Kim Y., Smet J. H., Burghard M., Kern K. // ACS Applied Materials & Interfaces, 11, 20973 (2019), doi: 10.1021/acsami.9b02589.

Ponomarenko V. P., Quantum Photosensorics (Orion R&P Association, Moscow, 2018. – 648 p.) [in Russian].
Carbon nanotubes and graphene for photonic applications. Eds. by S. Yamashita, Y. Saita, and J.H. Choi (WP Publishing, Oxford, Cambridge, Philadelphia, New York, 2013).
Graphene Optoelectronics. Synthesis, Characterization, Properties, and Applications. Ed. A. Rashid bin Mohd Yusoff (Wiley-VCH, Weinheim, Germany, 2014).
Serhii Shafraniuk. Graphene. Fundamentals, De-vices, and Applications (Pan Stanford Publishing, 2015).
Carbon Nanomaterials Sourcebook. Vol. II. Ed. K. D. Sattler (CRC Press, Boen Raton, London, New York, 2016).
2D Materials for Nanoelectronics. Eds. M. Houssa, A. Dimoulas, A. Molle (CRC Press, Boen Raton, London, New York, 2016).
Two-Dimensional Materials – Synthesis, Charac-terization and Potential Applications. Ed. P. K. Nayak (Published in Tech, Croatia, 2016).
Graphene Photonics, Optoelectronics, and Plasmonics. Eds. Q. Bao, H.Y. Hoh, Y. Zhang (Pan Stanford Publishing, Singapore, 2017).
Nan Guo. Infrared Photodetectors Based on Low-Dimensional Materials (Springer Nature Singapore Pte Ltd., Beijing, China, 2018).
Ng L. W., Hu G., Howe R. C. T., Zhu X., Yang Z., Jones C. G., Hasan T. Printing of Graphene and Related 2D Materials (Springer Int. Publ. AG, Switzerland, 2019).
Ponomarenko V. P., Popov V. S., Popov S. V., Chepurnov E. L. // Usp. Prikl. Fiz. 7 (1), 10 (2019).
Novaya mezhdunarodnaya marshrutnaya karta razvitiya poluprovodnikovyh priborov, Zarubezhnaya elektronnaya tekhnika 8 (6631), 4–9 (2017).
Perspektivy razvitiya tekhnologij vedushchih postavshchikov logiki i kremnievyh zavodov, Zarubezhnaya elektronnaya tekhnika 6 (6680), 16–19 (2019).
Schwierz F. // Proceedings of the IEEE, 101 (7), 1567 (2013).
Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V., Jiang D., Zhang Y., Dubonos S. V., Grigorieva I. V., Firsov A. A. // Science, 306, 666 (2004).
Lemme M. C., Echtermeyer T. J., Baus M., Kurtz H. // IEEE Electron Device Lett. 28 (4), 282 (2007).
Meric I., Han M. Y., Young A. F., Ozyilmaz B., Kim P., Shepard K. L. // Nature Nanotechnology 2008, doi: 10.1038/nnano.2008.268.
Meric I., Baklitskaya N., Kim P., Shepard K. L. // IEDM, 2008, doi: 10.1109/IEDM.2008.4796738.
Meric I., Dean C. R., Young A. F., Hone J., Kim P., Shepard K. L. // IEDM, 2010, doi: 10.1109/IEDM.2010.5703419.
Kedzierski J., Hsu P.-L., Healey P., Wyatt P. W., Keast C. L., Sprinkle M., Berger C., Walt A. de Heer // IEEE Trans. on Electron Devices, 55 (8), 2078 (2008).
Katsnelson Mikhail I. Graphene: carbon in two dimensions. Cambridge University Press, N.-Y., 2012.
Novoselov K. S. // Phys. Usp. 54 (12), 1227 (2011).
Giannazzo F., Greco G., Roccaforte F., Sonde S. S. // Crystals 2018, 8, 70, doi: 10.3390/cryst8020070.
Schwierz F., Wong H., Liou J. J., Nanometer CMOS. Singapore: Pan Stanford, 2010.
Wolf P. // IBM J. Res. Develop. 14, 125 (1970).
Tasker P. J., Hughes B. // IEEE Electron Device Lett. 10, 7, 291 (1989).
Wu Y., Jenkins K. A., Valdes-Garcia A., Farmer D. B., Zhu Y., Bol A. A., Dimitrakopoulos C., Zhu W., Xia F., Avouris P., Lin Y.-M. // Nano Letters, 12, 3062 (2012).
Moon J. S., Curtis D., Hu M., Wong D., McGuire C., Campbell P. M., Jernigan G., Tedesco J. L., VanMil B., Myers-Ward R., Eddy C., Jr., Gaskill D. K. // IEEE Electron. Devices Lett. 30 (6), 650 (2009).
Lin Y.-M., Dimitrakopoulos C., Jenkins K. A., Farmer D. B., Chiu H.-Y., Grill A., Avouris Ph. // Science 327, 662 (2010).
Han S.-J., Oida S., Jenkins K. A., Lu D., Zhu Y. // IEEE Electron Device Lett. 34, 1340 (2013).
Guo Z., Dong R., Chakraborty P. S., Lourenco N., Palmer J., Hu Y., Ruan M., Hankinson J., Kunc J., Cressler J. D., Berger C., De Heer W. A. // Nano Lett. 13, 942 (2013).
Feng Z. H., Yu C., Li, J., Liu Q. B., He Z. Z., Song, X. B., Wang J. J., Cai S. J. // Carbon. 75, 249 (2014).
Wu Y., Zou X., Sun M., Cao Z., Wang X., Huo S., Zhou J., Yang Y., Yu X., Kong Y., Yu G., Liao L., Chen T. // ACS Appl. Mater. Interfaces 8, 25645 (2016).
Cheng R., Bai J., Liao L., Zhou H., Chen Y., Liu L., Lin Y.-C., Jiang S., Huang Y., Duan X. // Proc. Nat. Acad. Sci. USA 2012;109(29):11588–92.
Liao L., Lin Y.-C., Bao M., Cheng R., Bai J., Liu Y., Qu Y., Wang R.L., Huang Y., Duan X. // Nature 467, 305 (2010).
Puurunen R. L. // Journ. Appl. Physics 97, 121301 (2005).
Knez M., Nielsch K., Niinistö L. // Adv. Mater. 19, 3425 (2007).
George S. M. // Rev. 110, 111 (2010).
Ananth Dodabalapur. // Materials Today 9 (4), 24 (2006).
Lee J., Tao L., Hao Y., Ruoff R. S., Akinwande D. // Appl. Phys. Lett. 100, 152104 (2012).
Petrone N., Meric I., Hone J., Shepard K. L. // Nano Letters 13 (1), 121 (2013), doi: 10.1021/nl303666m.
Meric I., Petrone N., Hone J., Shepard K. L. // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, 2013, doi: 10.1109/MWSYM.2013.6697801.
Petrone N., Meric I., Chari T., Shepard K. L., Hone J. // Journ. Electron Devices Society 3 (1), 44 (2015).
Wang L., Meric I., Huang P.Y., Gao Q., Gao Y., Tran H., Taniguchi T., Watanabe K., Campos L. M., Muller D. A., Guo J., Kim P., Hone J., Shepard K. L., Dean C. R. // Science 342, 614 (2013).
Chari T., Meric I., Dean C., Shepard K. // IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, doi: 10.1109/TED.2015.2482823.
Yeh C.-H., Lain Y.-W., Chiu Y.-C., Liao C.-H., Moyano D. R., Hsu S. S. H., Chiu P.-W. G. // ACS Nano 8 (8), 7663 (2014).
Guerriero E., Pedrinazzi P., Mansouri A., Habibpour O., Winters M., Rorsman N., Behnam A., Carrion E. A., Pesquera A., Centeno A., Zurutuza A., Pop E., Zirath H., Sordan R. // Scientific Reports, 2017, doi: 10.1038/s41598-017-02541-2.
Schwierz F., Pezoldt J., Granzner R. // Nanoscale, 2015, doi:10.1039/C5NR01052G.
Sorokin P. B., Chernozatonskii L. A. // Uspekhi Fizicheskikh Nauk 183 (2), 113 (2013).
Castro Neto A. H., Guinea F., Peres N. M. R., No-voselov K. S., Geim A. K. // Reviews of Modern Phys. 81, 109 (2009).
Britnell L., Gorbachev R. V., Jalil R., Belle B. D., Schedin F., Mishchenko A., Georgiou T., Katsnelson M. I., Eaves L., Morozov S. V., Peres N. M. R., Leist J., Geim A. K., Novoselov K. S., Ponomarenko L. A. // Science 335, 947 (2012).
Svintsov D., Vyurkov V., Lukichev V., Orlikovsky A., Burenkov A., Oechsner R. // Fizika i Technika Po-luprovodnikov 47 (2), 244 (2013).
Fiori G., Iannaccone G. // IEEE Electron. Dev. Lett. 30 (3), 261 (2009).
Fiori G., Iannaccone G. // IEEE Electron. Dev. Lett. 30 (10), 1096 (2009).
Ryzhii V., Ryzhii M., Satou A., Otsuji T., Kirova N. // J. Appl. Phys. 105, 104510 (2009).
Svintsov D., Vyurkov V., Ryzhii V., Otsuji T. // Jpn. J. Appl. Phys. 50, 070112 (2011).
Alymov G., Vyurkov V., Ryzhii V., Svintsov D. // Scientific Reports, 2016, doi: 10.1038/srep24654.
Chae M.-S., Lee T. H., Son K. R., Kim Y. W., Hwangb K.S., Kima T. G. // Nanoscale Horizons 2013, doi: 10.1039/C8NH00374B.
Ilatikhameneh H., Klimeck G., Appenzeller J., Rahman R. // IEEE Electron. Dev. Lett. 36 (7), 726 (2015).
Lahgere A., Sahu C., Singh J. // Electronics Lett. 51 (16), 1284 (2015).
Nigam K., Pandey S., Kondekar P., Sharma D., Verma M., Gedam A. // Micro & Nano Letters 12 (4), 239 (2017).
Abedini M., Ziabari S. A. S., Eskandarian A. // In-ternational Nano Letters, 2018, doi: 10.1007/s40089-018-0250-6.
Xu W., Lee T.-W. // Mater. Horiz. 3, 186 (2016).
Geng Z., Hëahnlein B., Granzner R., Auge M., Lebedev A. A., Davydov V. Y., Kittler M., Pezoldt J., Schwierz F. // Ann. Phys. (Berlin) 2017, 1700033, doi: 10.1002/andp.201700033.
Bai J., Duan X., Huang Y. // Nano Lett. 9 (5), 2083 (2009).
Li X., Wang X., Zhang L., Lee S., Dai H. // Science 319, 1229 (2008).
Llinas J. P., Fairbrother A., Barin G. B., Shi W., Lee K., Wu S., Choi B. Y., Braganza R., Lear J., Kau N., Choi W., Chen Chen C., Pedramrazi Z., Dumslaff T., Narita A., Feng X., Müllen K., Fischer F., Zettl A., Ruffieux P., Yablonovitch E., Crommie M., Fasel R., Bokor J. // Nature Communications, 2017, doi: 10.1038/s41467-017-00734-x.
Hwang W. S., Tahy K., Li X., Huili (Grace) Xing, Seabaugh A. C., Sung C. Y., Jena D. // Appl. Phys. Lett. 100, 203107 (2012).
Bennett P. B., Pedramrazi Z., Madani A., Chen Y.-C., de Oteyza D. G., Chen C., Fischer F. R., Crommie M. F., Bokor J. // Appl. Phys. Lett. 103, 253114 (2013).
Mele D., Mehdhbi S., Fadil D., Wei W., Ouerghi A., Lepilliet S., Happy H., Pallecchi E. // Electronic Materials Letters, 2018, doi: 10.1007/s13391-018-0038-x.
Chen Z., Lin Y.-M., Rooks M. J., Avouris P. // Physica E 40, 228 (2007).
Wang Xinran., Ouyang Y., Li X., Wang Hailiang, Guo J., Dai H. // Physical Rev. Lett. 100, 206803 (2008).
Jeong S.-J., Jo S., Lee J., Yang K., Lee H., Lee C.-S., Park H., Park S. // Nano Lett., 2016, doi: 10.1021/acs.nanolett.6b01542.
Gholipour M., Masoumi N., Chen Ying-Yu (Chris-tine), Chen D., Pourfath M. // IEEE Trans. on Electron Dev., 2014, doi: 10.1109/TED.2014.2362774.
Khatami Y., Kang J., Banerjee K. // Appl. Phys. Lett. 102, 043114 (2013).
Banadaki Y. M., Srivatsava A. // 2013 IEEE 56th Int. Midwest Symp. on Circuits and Systems, doi: 10.1109/mwscas.2013.6674801.
Ghadiry M., Ahmad H., Yi C. W., Manaf A. A. // Mater. Express. 6 (3), 265 (2016).
Fuechsle M., Miwa G. A., Mahapatra S., Ryu H., Lee S., Warschkow O., Hollenberg L. C. L., Klimeck G., Simmons M. Y. // Nature Nanotechnology 7, 242 (2012).
Deshpande V. Scaling Beyond Moore: Single Electron Transistor and Single Atom Transistor. Integra-tion on CMOS. Micro and nanotechnologies/Microelectro-
nics. Université de Grenoble, 2012.
Nguyen H. C., Retouty M., Lepennetier G. // arXiv:1701.05543v1 [cond-mat.mes-hall] 19 Jan 2017.
Xie F., Peukert A., Bender T., Obermair C., Wertz F., Schmieder P., Schimmel T. // Adv. Mater. 2018, 1801225, doi: 10.1002/adma.201801225.
Averin D. V., Likharev K. K. Single-electronics: Correlated transfer of single electrons and Cooper pairs in small tunnel junctions. In: Mesoscopic Phenomena in Solids, B. Altshuler, P. Lee, and R. Webb, Eds. Amsterdam, The Netherlands: Elsevier, 1991, pp. 173–271.
Soldatov E. S., Khanin V. V., Trifonov A. S., Pres-nov D. E., Yakovenko S. A., Khomutov G. B. // JETP Lett. 64 (10), 556 (1996).
Ponomarenko L. A., Schedin F., Katsnelson M. I., Yang R., Hill E. W., Novoselov K. S., Geim A. K. // Science 320, 356 (2008).
Kim G., Kim S.-S., Jeon J., Yoon S. I., Hong S., Cho Y. J., Misra A., Ozdemir S., Yin J., Ghazaryan D., Holwill M., Mishchenko A., Andreeva D. V., Kim Y.-J., Jeong H. Y., Jang A-R., Chung H.-Y., Geim A. K., Novoselov K. S., Sohn B.-H., Shin H. S. // Nature Communications, 2019, 10.1038/s41467-018-08227-1.
Khademhosseini V., Dideban D., Ahmadi M. T., Ismail R., Heidari H. // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, doi:10.1007/s10854-019-01121-6
Khademhosseini V., Dideban D., Ahmadi M. T., Ismail R., Heidari H. // ECS Journal of Solid State Science and Technology 7 (10), М145 (2018).
Stampfer C., Schurtenberger E., Molitor F., Güttinger J., Ihn T., Ensslin K. // Nfno Lett. 8 (8), 2378 (2008).
Ihn T., Güttinger J., Molitor F., Schnez S., Schurtenberger E., Jacobsen A., Hellmüller S., Frey T., Dröscher S., Stampfer C., Ensslin K. // Materials Today 13 (3), 44 (2010).
Puczkarski P., Gehring P., Lau C. S., Liu J., Arda-van A., Warner J. H., Briggs G. A. D., Mol J. A. // Appl. Phys. Lett. 107, 133105 (2015).
Gehring P., Sowa J. K., Cremers J., Wu Q., Sadeghi H., Sheng Y., Warner J. H., Lambert C. J., Briggs G. A. D., Mol J. A. // ACS Nano 11, 5325 (2017).
Hosseini V. K., Dideban D., Ahmadiz M. T., Is-mail R. // International Journal of Modern Physics B 32, 1850235 (2018).
Sofo J. O., Chaudhari A. S., Barber G. D. // Phys. Rev. B 75, 153401 (2007).
Lebègue S., Klintenberg M., Eriksson O., Katsnelson M. I. // Phys. Rev. B 79, 245117 (2009).
Klintenberg M., Lebègue S., Katsnelson M. I., Eriksson O. // Phys. Rev. B 81, 085433 (2010).
Karlický F., Otyepka M. // J. Chem. Theory Comput. 9, 4155 (2013).
Sahin H., Leenaerts O., Singh S. K., Peeters F. M. GraphAne: From Synthesis to Applications // arXiv:1502.05804v1 [cond-mat.mtrl-sci], 2015.
Majidi R. // JMNS 4 (1-2), 11 (2015).
Son J., Lee S., Kim S. J., Park B. C., Lee H.-K., Kim S., Kim J. H., Hong B. H., Hong J. // Nature Communications, 2016, doi: 10.1038/ncomms13261.
Hou X., Xie Z., Li C., Li G., Chen Z. // Materials, 2018, doi: 10.3390/ma11020188.
Liu Y., Bo M., Sun C. Q., Huang Y. // Nano-materials, 2018, doi: 10.3390/nano8020092.
Peng Q., Dearden A. K., Crean J., Liang Han L., Liu S., Wen X., De S. // Nanotechnology, Science and Applications, 2014, doi: 10.2147/NSA.S40324.
Lundie M., Sljivancanin Z., Tomi S. // Journal of Physics: Conference Series 526 (2014) 012003, doi: 10.1088/1742-6596/526/1/012003.
Einollahzadeh H., Fazeli S. M., Dariani R. S. // Science and Technology of Advanced Materials 17 (1), 610 (2016).
Vargas-Bernal R. // In Two-Dimensional Materials – Synthesis, Characterization and Potential Applications. Chapter 6. Ed. P. K. Nayak (Published inTech, Croa-tia, 2016).
Kondrin M. V., Brazhkin V. V. // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics 7 (1), 44 (2016).
Nechaev Y. S., Veziroglu N. // The Open Fuel Cells Journal 6, 21 (2013).
Di L., Yu-Rong Y., Yang X., Xiao-Yu Z. // Chin. Phys. B 20 (11), 118101 (2011).
Solis D. A., Borges D. D., Woellner C. F., Galvão D. S. // ACS Appl. Mater. Interfaces, 2018, doi: 10.1021/acsami.8b03481.
Fiori G., Lebègue S., Betti A., Michetti P., Klintenberg M., Eriksson O., Iannaccone G. // Phys. Rev. B 82, 153404 (2010).
Gharekhanlou B., Tousaki S. B., Khorasani S. // Journal of Physics: Conference Series 248, 012061 (2010).
Huang Liang-feng, Zeng Z. // Front. Phys. 7 (3), 324 (2012), doi: 10.1007/s11467-011-0239-3.
Ho K.-I., Huang C.-H., Liao J.-H., Zhang W., Li L.-J., Chao-Sung Lai C.-S., Su C.-Y. // Scientific Reports, 2014, doi: 10.1038/srep05893.
Bao Z., Dodabalapur A., Lovinger A. J. // Appl. Phys. Lett. 69 (26), 4108 (1996).
Sirringhaus H., Tessler N., Friend R. H. // Science 280, 1741 (1998).
Ridley B. A., Nivi B., Jacobson J. M. // Science 286, 746 (1999).
Kagan C. R., Mitzi D. B., Dimitrakopoulos C. D. // Science 286, 945 (1999).
Duan X., Niu C., Sahi V., Chen J., Parce J. W., Empedocles S., Goldman J. L. // Nature 425, 274 (2003).
Podzorov V., Gershenson M. E., Kloc Ch., Zeis R., Bucher E. // Appl. Phys. Lett. 84 (17), 3301 (2004), doi: 10.1063/1.1723695.
Yoon Y., Ganapathi K., Salahuddin S. // Nano Lett. 11, 3768 (2011).
Radisavljevic B., Radenovic A., Brivio J., Gia-cometti V., Kis A. // Nature Nanotechnology 6, 147 (2011).
Das S., Chen H.-Y., Penumatcha A. V., Appen-zeller J. // Nano Lett., 2012, doi: 10.1021/nl303583v.
Kim S., Konar A., Hwang W.-S., Lee J. H., Lee J., Yang J., Jung C., Kim H., Yoo J.-B., Choi J.-Y., Jin Y. W., Lee S. Y., Jena D., Choi W., Kim K. // Nature communica-tions, 2012, doi: 10.1038/ncomms2018.
Liu H., Ye P. D. // IEEE Electron. Device Lett. 33 (4), 546 (2012).
Pu J., Yomogida Y., Liu K.-K., Li L.-J., Iwasa Y., Takenobu T. // Nano Lett. 12, 4013 (2012).
Lee G.-H., Yu Y.-J., Cui X., Petrone N., Lee C.-H., Choi M. S., Lee D.-Y., Lee C., Yoo W. J., Watanabe K., Taniguchi T., Nuckolls C., Kim P., Hone J. // ACS Nano 7 (9), 7931 (2013).
Yoon J., Park W., Bae G.-Y., Kim Y., Jang H. S., Hyun Y., Lim S. K., Kahng Y. H., Hong W.-K., Lee B. H., Ko H. C. // Small, 2013, doi: 10.1002/smll.201300134.
Cheng R., Jiang S., Chen Y., Liu Y., Weiss N., Cheng H.-C., Wu H., Huang Y., Duan X. // Nature Com-munications, 2014, doi: 10.1038/ncomms6143.
Roy T., Tosun M., Kang J. S., Sachid A. B., Desa S. B., Hettick M., Hu C. C., Javey A. // ACS Nano, 2014, doi: 10.1021/nn501723y.
Cho A.-J., Park K. C., Kwon J.-Y. // Nanoscale Research Letters, 2015, doi: 10.1186/s11671-015-0827-1.
Han S. A., Bhatia R., Kim S.-W. // Nano Con-vergence, 2015, doi: 10.1186/s40580-015-0048-4.
Sanne A., Ghosh R., Rai A., Movva H. C. P., Sharma A., Rao R., Mathew L., Banerjee S. K. // Appl. Phys. Lett. 106, 062101 (2015).
Tong X., Ashalley E., Lin F., Li H., Wang Z. M. // Nano-Micro Lett., 2015, doi: 10.1007/s40820-015-0034-8.
Friedman A. L., Hanbicki A. T., Perkins F. K., Jernigan G. G., Culbertson J. C., Campbell P. M. // Scientific Reports, 2017, doi: 10.1038/s41598-017-04224-4.
Horri A., Faez R., Pourfath M., Darvish G. // IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, doi: 10.1109/TED.2017.2716938.
Robertson J., Liu X., Yue C., Escarra M., Wei J. // 2D Mater. 2017, doi: 10.1088/2053-1583/aa8678.
Sanne A., Park S., Ghosh R., Yogeesh M. N., Liu C., Mathew L., Rao R., Akinwande D., Banerjee S. K. // 2D Materials and Applications, 2017, doi: 10.1038/s41699-017-0029-z.
Xu H., Zhang H., Guo Z., Shan Y., Wu S., Wang J., Hu W., Liu H., Sun Z., Luo C., Wu X., Xu Z., Zhang D. W., Bao W., Zhou P. // Small, 14, 1803465 (2018).
Pradhan N. R., Rhodes D., Xin Y., Memaran S., Bhaskaran L., Siddiq M., Hill S., Ajayan P. M., Balicas L. // ACS Nano, 2014, doi: 10.1021/nn501693d.
Das S. R., Kwon J., Prakash A., Delker C. J., Das S., Janes D. B. // Appl. Phys. Lett. 106, 083507 (2015), doi: 10.1063/1.4913714.
Jeong Y., Park J. H., Ahn J., Lim J. Y., Kim E., Im S. // Adv. Mater. Interfaces, 1800812 (2018).
Lee H., Ahn J., Im S., Kim J., Choi W. // Scientific Reports, 2018, doi: 10.1038/s41598-018-29942-1.
Fathipour S., Ma N., Hwang W. S., Protasenko V., Vishwanath S., Xing H. G., Xu H., Jena D., Appenzeller J., Seabaugh A. // Appl. Phys. Lett. 105, 192101 (2014).
Pradhan N. R., Rhodes D., Feng S., Xin Y., Me-maran S., Moon B.-H., Terrones H., Terrones M., Balicas L. // ACS Nano, 2014, doi: 10.1021/nn501013c.
Yin L., Zhan X., Xu K., Wang F., Wang Z., Huang Y., Wang Q., Jiang C., Heb J. // Appl. Phys. Lett. 108, 043503 (2016), doi: 10.1063/1.4941001.
Sirota B., Glavin N., Krylyuk S., Davydov A. V., Voevodin A. A. // Scientific Reports, 2018, doi: 10.1038/s41598-018-26751-4.
Liu X., Hu J., Yue C., Fera N. D., Ling Y., Mao Z., Wei J. // ACS Nano, 2014, doi: 10.1021/nn505253p.
Iqbal M. W., Iqbal M. Z., Khan M. F., Shehzad M. A., Seo Y., Eom J. // Nanoscale, 2014, doi: 10.1039/C4NR05129G.
Iqbal M. W., Iqbal M. Z., Khan M. F., Shehzad M. A., Seo Y., Park J. H., Hwang C., Eom J. // Scientific Reports, 2015, doi: 10.1038/srep10699.
Cui Y., Xin R., Yu Z., Pan Y., Ong Z.-Y., Wei X., Wang J., Nan H., Ni Z., Wu Y., Chen T., Shi Y., Wang B., Zhang G., Zhang Y.-W., Wang X. // Adv. Mater. 27, 5230 (2015).
Fang H., Chuang S., Chang T. C., Takei K., Takahashi T., Javey A. // Nano Lett., 2012, doi: 10.1021/nl301702r.
Liu W., Kang J., Sarkar D., Khatami Y., Jena D., Banerjee K. // Nano Lett. 13, 1983 (2013).
Liu B., Ma Y., Zhang A., Chen L., Abbas A. N., Liu Y., Shen C., Wan H., Zhou C. // ACS Nano, 2016, doi: 10.1021/acsnano.6b00527.
Pudasaini P. R., Oyedele A., Zhang C., Stanford M. G., Cross N., Wong A. T., Hoffman A. N., Xiao K., Duscher G., Mandrus D. G., Ward T. Z., Rack P. D. // Nano Res., 2017, doi: 10.1007/s12274-017-1681-5.
He J., Fang N., Nakamura K., Ueno K., Tanigu-chi T., Watanabe K., Nagashio K. // Adv. Electron. Mater., 1800207 (2018), doi: 10.1002/aelm.201800207.
Si M., Jiang C., Chung W., Du Y., Alam M. A., Ye P. D. // Nano Lett. 18, 3682 (2018).
Liu F., Wang J., Guo H. // Nanotechnology 26, 175201 (2015), doi: 10.1088/0957-4484/26/17/175201.
Zhang M., Wu J., Zhu Y., Dumcenco D. O., Hong J., Mao N., Deng S., Chen Y., Yang Y., Jin C., Chaki S. H., Huang Y.-S., Zhang J., Xie L. // ACS Nano, 8 (7), 7130 (2014), doi: 10.1-21/nn5020566.
Zhang M., Zhu Y., Wang X., Feng Q., Qiao S., Wen W., Chen Y., Cui M., Zhang J., Cai C., Xie L. // J. Am. Chem. Soc., 2015, doi: 10.1021/jacs.5b03807.
Zhu Y., Wang X., Zhang M., Cai C., Xie L. // Nano Res. 9, 2931 (2016).
Yan C., Gong C., Wangyang P., Chu J., Hu K., Li C., Wang X., Du X., Zhai T., Li Y., Xiong J. // Adv. Funct. Mater., 1803305 (2018).
Mleczko M. J., Zhang C., Lee H. R., Kuo H.-H., Magyari-Köpe B., Moore R. G., Shen Z.-X., Fisher I. R., Nishi Y., Pop E. // Sci. Adv., 2017, doi: 10.1126/sciadv. 1700481.
Xu K., Wang Z., Wang F., Huang Y., Wang F., Yin L., Jiang C., He J. // Adv. Mater. 27, 7881 (2015).
Kanazawa T., Amemiya T., Ishikawa A., Upadhyaya V., Tsuruta K., Tanaka T., Miyamoto Y. // Scientific Reports, 2016, doi: 10.1038/srep22277.
Fu L., Wang F., Wu B., Wu N., Huang W., Wang H., Jin C., Zhuang L., He J., Fu L., Liu Y. // Adv. Mater., 29, 1700439 (2017).
Nie X.-R., Sun B.-Q., Zhu H., Zhang M., Zhao D.-H., Chen L., Sun Q.-Q., Zhang D. W. // ACS Appl. Mater. Interfaces, 2017, doi: 10.1021/acsami.7b06160.
Kang M., Rathi S., Lee I., Lim D., J Wang J., Li L., Khan M. A., Kim G.-H. // Appl. Phys. Lett. 106, 143108 (2015).
Kang M., Rathi S., Lee I., Li L., Khan M. A., Lim D., Lee Y., Park J., Yun S. J., Youn D.-H., Jun C., Kim G.-H. // Nanoscale, 9, 1645 (2017).
Zhao D., Xie S., Wang Y., Zhu H., Chen L., Sun Q., Zhang D. W. // AIP Advances 9, 025225 (2019), doi: 10.1063/1.5086447.
Zhao Y., Qiao J., Yu Z., Yu P., Xu K., Lau S. P., Zhou W., Liu Z., Wang X., Ji W., Chai Y. // Adv. Mater., 29, 1604230 (2017).
Ciarrocchi A., Avsar A., Ovchinnikov D., Kis A. // Nature Communication, 2018, doi: 10.1038/s41467-018-03436-0.
Huifang M., Chen P., Li B., Li J., Ai R., Zhang Z., Sun G., Yao K., Lin Z., Zhao B., Wu R., Tang X., Duan X., Duan X. // Nano Lett., 2018, doi: 10.1021/acs. nanolett.8b00583.
Ghorbani-Asl M., Kuc A., Miró P., Heine T. // Adv. Mater. 28, 853 (2016).
Perucchini M., Marian D., Marin E. G., Iannac-cone G., Fiori G. // Graphene, 2019
Chow W. L., Yu P., Liu F., Hong J., Wang X., Zeng Q., Hsu C.-H., Zhu C., Zhou J., Wang X., Xia J., Yan J., Chen Y., Wu D., Yu T., Shen Z., Lin H., Jin C., Tay B. K., Liu Z. // Adv. Mater., 1602969 (2017), doi: 10.1002/adma. 201602969.
Corbet C. M., McClellan C., Rai A., Sonde S. S., Tutuc E., Banerjee S. K. // ACS Nano 9 (1), 363 (2015).
He X., Liu F., Hu P., Fu W., Wang X., Zeng Q., Zhao W., Liu Z. // Small, 2015, doi: 10.1002/smll.201501488.
Liu E., Fu Y., Wang Y., Feng Y., Liu H., Wan X., Zhou W., Wang B., Shao L., Ho C.-H., Huang Y.-S., Cao Z., Wang L., Li A., Zeng J., Song F., Wang X., Shi Y., Yuan H., Hwang H. Y., Cui Y., Miao F., Xing D. // Nature Communi-cations, 2015, doi: 10.1038/ncomms7991.
Zhang E., Jin Y., Yuan X., Wang W., Zhang C., Tang L., Liu S., Zhou P., Weida Hu W., Xiu F. // Adv. Funct. Mater. 25, 4076 (2015), doi: 10.1002/adfm. 201500969.
Shim J., Oh A., Kang D.-H., Oh S., Jang S. K., Jeon J., Jeon M. H., Kim M., Choi C., Lee J., Lee S., Yeom G. Y., Song Y. J., Park J.-H. // Adv. Mater., 2016, doi: 10.1002/adma.201601002.
Mohammed O. B., Movva H. C. P., Prasad N., Valsaraj A., Kang S., Corbet C. M., Taniguchi T., Watanabe K., Register L. F., Tutuc E., Banerjee S. K. // Journ. Appl. Phys., 122, 245701 (2017).
Park J. Y., Joe H.-E., Yoon H. S., Yoo S.-H., Kim T., Kang K., Min B.-K., Jun S. C. // ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, doi: 10.1021/acsami.7b06432.
Gao N., Zhou S., Liu N., Bai Y., Zhao J. // J. Mater. Chem. C, 2018, doi: 10.1039/C8TC02116C.
Liao W., Wei W., Tong Y., Chim W. K., Zhu C. // ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, doi: 10.1021/acsami.8b00193.
Khosravi A., Addou R., Catalano M., Kim J., Wallace R. M. // Materials, 2019, doi: 10.3390/ma12071056.
Kang B., Y Kim Y., Cho J. H., Lee C. // 2D Materials, 025014 (2017).
Lee K.-C., Yang S.-H., Sung Y.-S., Chang Y.-M., Lin C.-Y., Yang F.-S., Li M., Watanabe K., Taniguchi T., Ho C.-H., Lien C.-H., Lin Y.-F. // Adv. Funct. Mater. 1809011 (2019).
Pradhan N. R., Garcia C., Isenberg B., Rhodes D., Feng S., Memaran S., Xin Y., McCreary A., Walker A. R. H., Raeliarijaona A., Terrones H., Terrones M., McGill S., Balicas L. // Scientific Reports, 2018, doi: 10.1038/s41598-018-30969-7.
Zhang W., Huang Z., Zhang W., Li Y. // Nano Res. 7 (12), 1731 (2014).
Desai S. B., Madhvapathy S. R., Sachid A. B., Llinas J. P., Wang O., Ahn G. H., Pitner G., Kim M. J., Bokor J., Hu C., Wong H.-S. P., Javey A. // Science 354 (6308), 99 (2016).
Ovchinnikov D., Gargiulo F., Allain A., Pasquier D.J., Dumcenco D., Ho C.-H., Yazyev O. V., Kis A. // Nature Communications, 2016, doi: 10.1038/ncomms12391.
Lin Z., McCreary A., Briggs N., Subramanian S., Zhang K., Sun Y., Li X., Borys N. J., Yuan H., Fullerton-Shirey S. K., Chernikov A., Zhao H., McDonnell S.,
Lindenberg A. M., Xiao K., LeRoy B. J., Drndić M., Hwang J. C. M., Jiwoong Park J., Chhowalla M., Schaak R. E., Javey A., Hersam M. C., Robinson J., Terrones M. // 2D Mater. 3, 042001 (2016), doi: 10.1088/2053-1583/3/4/042001.
Ye M., Zhang D., Yap Y. K. // Electronics 6 (43), 2017, doi: 10.3390/electronics6020043.
Xiong W.-W., Chen J.-O., Wu X.-C. Zhu J.-J. // J. Mater. Chem. C 2, 7392 (2014).
Tao Y.-R., Wu J.-J., Wu X.-C. // Nanoscale, 2015, doi: 10.1039/C5NR03589A.
Island J. O., Buscema M., Barawi M., Clamagirand J. M., Ares J. R., Sánchez C., Ferrer I. J., Steele G. A., van der Zant H. S. J., Castellanos-Gomez A. // Adv. Optical Mater., 2014, doi: 10.1002/adom.201400043.
Lipatov A., Wilson P. M., Shekhirev M., Teeter J. D., Netusil R., Sinitskii A. // Nanoscale 7, 12291 (2015).
Island J. O., Barawi M., Biele R., Almazán A., Clamagirand J. M., Ares J. R., Sánchez C., van der Zant H. S. J., Álvarez J. V., D’Agosta R., Ferrer I. J., Andres Castel-lanos-Gomez A. // Adv. Mater., 2015, doi: 10.1002/adma.201405632.
Molina-Mendoza A. J., Island J. O., Paz W. S., Clamagirand J. M., Ares J. R., Flores E., Leardini F., Sánchez C., Agraït N., Rubio-Bollinger G., van der Zant H. S. J., Ferrer I. J., Palacios J. J., Castellanos-Gomez A. // Adv. Funct. Mater. 2017, 1605647, doi: 10.1002/adfm.201605647.
Stolyarov M. A., Liu G., Bloodgood M. A., Aytan E., Jiang C., Samnakay R., Salguero T. T., Nika D. L., Rumyantsev S. L., Shur M. S., Bozhilov K. N., Balandin A. A. // Nanoscale, 2016, doi: 10.1039/c6nr03469a.
Liu G., Rumyantsev S., Bloodgood M. A., Sal-guero T. T., Shur M., Balandin A. A. // Nano Lett. 17, 377 (2017), doi: 10.1021/acs.nanolett.6b04334.
Island J. O., Molina-Mendoza A. J., Barawi M., Biele R., Flores E., Clamagirand J. M., Ares J. R., Sánchez C., van der Zant H. S. J., D’Agosta R., Ferrer I. J., Castella-nos-Gomez A. // 2D Materials, 4, 022003 (2017), doi: 10.1088/2053-1583/aa6ca6.
Abdulsalam M., Joubert D. P. // Eur. Phys. J. B, 2015, doi: 10.1140/epjb/e2015-60005-x.
Abdulsalam M., Joubert D. P. // Phys. Status Sol-idi B 253 (5), 868 (2016), doi: 10.1002/pssb.201552705.
Li M., Dai J., Zeng X. // Nanoscale 37 (7), 15385 (2015), doi: 10.1039/c5nr04505c.
Dai J., Zeng X. C. // Angew. Chem. Int. Ed. 54, 7572 (2015), doi: 10.1002/anie.201502107.
Qiao J., Kong X., Hu Z.-X., Yang F., Ji W. // Na-ture Communications, 2014, doi: 10.1038/ncomms5475.
Das S., Demarteau M., Roelofs A. // ACS Nano, 2014, doi: 10.1021/nn505868h.
Du Y., Liu H., Deng Y., Ye P. D. // ACS Nano 8 (10), 10035 (2014), doi: 10.1021/nn502553m.
Li L., Yu Y., Ye G. J., Ge Q., Ou X., Wu H., Feng D., Chen X. H., Zhang Y. // Nature Nanotechnology 9, 2014, doi: 10.1038/nnano.2014.35.
Liu H., Neal A.T., Zhu Z., Luo Z., Xu X., Tomànek D., Ye P. D. // ACS Nano, 2014, doi: 10.1021/nn501226z.
Wang H., Wang X., Xia F., Wang L., Jiang H., Xia Q., Chin M. L., Dubey M., Han S.-J. // Nano Lett., 2014, doi: 10.1021/nl5029717.
Ang K.-W., Ling Z.-P., Zhu J. // 2015 IEEE Int. Conf. on Digital Signal Processing (DSP), doi: 10.1109/icdsp.2015.7252075.
Lee Y. T., Kwon H., Kim J. S., Kim H.-H., Lee Y. J., Lim J. A., Song Y.-W., Yi Y., Choi W.-K., Hwang D. K., Seongil Im S. // ACS Nano, 2015, doi: 10.1021/acsnano.5b04592.
Kim J.-S., Liu Y., Zhu W., Kim S., Wu D., Tao L., Dodabalapur A., Lai K., Akinwande D. // Scientific Reports, 2015, doi: 10.1038/srep08989.
Ling X., Wang H., Huang S., Xia F., Dressel-haus M. S. // PNAS Early Edition, 2015, doi: 10.1073/pnas.1416581112.
Xiong K., Luo X., Hwang J. C. M. // 2015 IEEE MTT-S International Microwave Workshop Series on Ad-vanced Materials and Process for RF and THz Applications (IMWS-AMP), doi: 10.1109/IMWS-AMP.2015.7324944.
Zhu W., Yogeesh M. N., Yang S., Aldave S. H., Kim J., Sonde S. S., Tao L., Lu N., Akinwande D. // Nano Lett., 2015, doi: 10.1021/nl5047329.
Liu X., Ang K.-W., Yu W., He J., Feng X., Liu Q., Jiang H., Tang D., Wen J., Lu Y., Liu W., Cao P., Han S., Wu J., Liu W., Wang X., Zhu D., He Z. // Scientific Reports, 2016, doi: 10.1038/srep24920.
Haratipour N., Koester S. J. // IEEE Electron De-vice Lett. 37 (1), 103 (2016).
Yang L. M., Qiu G., Si M. W., Charnas A. R., Milligan C. A., Zemlyanov D. Y., Zhou H., Du Y. C., Lin Y. M., Tsai W., Paduano Q., Snure M., Ye P. D. // IEDM Tech. Dig., 2016, pp. 5.5.1–5.5.4, doi: 10.1109/IEDM.2016.7838354.
Illarionov Y. Y., Waltl M., Rzepa G., Knobloch T., Kim J.-S., Akinwande D., Grasser T. // npj 2D Materials and Applications, 2017, doi: 10.1038/s41699-017-0025-3.
Si M., Yang L., Du Y., Ye P. D. // Proc. Device Res. Cjnf. (DRC), 2017, pp. 1–2, doi: 10.1109/DRC.2017. 7999395.
Li T., Zhang Z., Li X., Huang M., Li S., Li S., Wua Y. // Appl. Phys. Lett. 110, 163507 (2017).
Ma Y., Shen C., Zhang A., Chen L., Liu Y., Chen J., Liu Q., Li Z., Amer M. R., Nilges T., Abbas A. N., Zhou C. // ACS Nano 11, 7126 (2017), doi: 10.1021/ acsnano.7b02858.
Xiong X., Li X., Huang M., Li T., Gao T., Wu Y. // IEEE Electron Device Lett. 39 (1), 127 (2018).
Dickerson W., Tayari V., Fakih I., Korinek A., Caporali M., Serrano-Ruiz M., Peruzzini M., Heun S., Botton G. A., Szkopek T. // Applied Phys. Lett. 112, 173101 (2018).
He D., Wang Y., Huang Y., Shi Y., Wang X., Duan X. // Nano Lett., 2018, doi: 10.1021/acs.nanolett. 8b03940.
Wu P., Ameen T., Zhang H., Bendersky L. A., Ilatikhameneh H., Klimeck G., Rahman R., Davydov A. V., Appenzeller J. // ACS Nano, 2018, doi: 10.1021/acsnano. 8b06441.
Zheng S., Wu E., Zhang H. // IEEE Trans. on Nanotechnoligy 17 (3), 590 (2018).
Zheng Y., Hu Z., Han C., Guo R., Xiang D., Lei B., Wang Y., He J., Lai M., Chen W. // Nano Res., 2018, doi: 10.1007/s12274-018-2246-y.
Xia Y., Li G., Jiang B., Yang Z., Liu X., Xiao X., Flandre D., Wang C., Liu Y., Liao L. // Nanoscale, 11, 10420 (2019), doi: 10.1039/c9nr02907a.
Xing B., Guan L., Yu Y., Niu X., Yan X., Zhang S., Yao J., Wang D., Sha J., Wang Y. // Nanotechnology, 30 (2019), doi: 10.1088/1361-6528/ab1ffe.
Zhang L., Shao L. Y., Gu G., Wang T., Sun X. W., Chen X. // Adv. Electron. Mater. 5, 1900133, (2019), doi: 10.1002/aelm.201900133.
Wang Y., Huang P., Ye M., Quhe R., Pan Y., Zhang H., Zhong H. Shi J., Lu J. // Chem. Mater. 29, 2191 (2017); doi: 10.1021/acs.chemmater.6b04909.
Ersan F., Kecik D., Ozcelik V. O., Kadioglu Y., Akturk U., Durgun E., Akturk E., Ciraci S. // Appl. Phys. Rev. 6, 021308 (2019); doi: 10.1063/1.5074087.
Pizzi G., Gibertini M., Dib E., Marzari N., Iannaccone G., Fiori G. // Nature Communications, 2016, doi: 10.1038/ncomms12585.
Zhang S., Guo S., Chen Z., Wang Y., Gao H., Goґmez-Herrero J., Ares P., Zamora F., Zhu Z., Zeng H. // Chem. Soc. Rev., 2017, doi: 10.1039/c7cs00125h.
Chang J. // Nanoscale, 2018, doi: 10.1039/C8NR03191F.
Chen J., Yang Z., Zhou W., Zou H., Li M., Ouyang F. // Phys. Status Solidi RRL, 2018, 1800038, doi: 10.1002/pssr.201800038.
Sun X., Song Z., Liu S., Wang Y., Li Y., Wang W., Lu J. // ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, doi: 10.1021/acsami.8b03840.
Zhang H., Xiong J., Ye M., Li J., Zhang X., Quhe R., Song Z., Yang J., Zhang Q., Shi D., Yan J., Guo W., Rob-ertson J., Wang Y., Pan F., Lu J. // Phys. Rev. Appl. 11, 064001 (2019).
Zhou W., Chen J., Bai P., Guo S., Zhang S., Song X., Tao L., Zeng H. // Research, 2019, doi: 10.34133/2019/1046329.
Zhong M., Xia Q., Pan L., Liu Y., Chen Y., Deng H.-X., Li J., Wei Z. // Adv. Funct. Mater. 2018, 1802581, doi: 10.1002/adfm.201802581.
Yang Z., Wu Z., Lyu Y., Hao J. // InfoMat. 1 (1), 98 (2019), doi: 10.1002/inf2.12001.
Zhao J., Liu H., Yu Z., Quhe R., Zhou S., Wang Y., Liu C., Zhong H., Han N., Lu J., Yao Y., Wuf K. // Progress in Materials Science 83, 24 (2016), doi: 10.1016/j.pmatsci.2016.04.001.
Ni Z., Liu Q., Tang K., Zheng J., Zhou J., Qin R., Gao Z., Yu D., Lu J. // Nano Lett. 12, 113 (2012), doi: 10.1021/nl203065e.
Vali M., Dideban D., Moezi N. // J. Comput. Electron., 2015, doi: 10.1007/s10825-015-0758-1.
Tao L., Cinquanta E., Chiappe D., Grazianetti C., Fanciulli M., Dubey M., Molle A., Akinwande D. // Na-ture Nanotechnology, 10 (2015), doi: 10.1038/nnano.2014.325.
Quhe R., Fei1 R., Liu Q., Zheng J., Li H., Xu C., Ni Z., Wang Y., Yu D., Gao Z., Lu J. // Scientific Reports, 2012, doi: 10.1038/srep00853.
Pan F., Wang Y., Jiang K., Ni Z., Ma J., Zheng J., Quhe R., Shi J., Yang J., Chen C., Lu J. // Scientific Reports, 2015, doi: 10.1038/srep09075.
Grazianetti C., Cinquanta E., Tao L., De Padova P., Quaresima C., Ottaviani C., Akinwande D., Molle A. // ACS Nano 11, 3376 (2017), doi: 10.1021/acsnano.7b00762.
Satta M., Colonna S., Flammini R., Cricenti A., Ronci F. // PRL, 115, 026102 (2015), doi: 10.1103/ PhysRevLett.115.026102.
Quhe R.-G., Wang Y.-Y., Lü J. // Chin. Phys. B 24 (8), 088105 (2015).
Gablech I., Pekarek J., Klempa J., Svatos V., Sagedi-Moghaddam A., Neuzil P., Pumera M. // Trends in Analytical Chemistry, 2018, doi: 10.1016/j.trac.2018.05.008.
Ezawa M., Salomon E., De Padova P., Solonen-ko D., Vogt P., D’avila M. E., Molle A., Angot T., Le Lay G. // Rivista del Nuovo Cimento 41 (3), 175 (2018), doi: 10.1393/ncr/i2018-10145-y.
Molle A., Goldberger J., Houssa M., Xu Y., Zhang S.-C., Akinwande D. // Nature Materials, 2017, doi: 10.1038/NMAT4802.
Li H., Wang L., Liu Q., Zheng J., Mei W.-N., Gao Z., Shi J., Lu J. // Eur. Phys. J. B, 2012, doi: 10.1140/epjb/e2012-30220-2.
Kaneko S., Tsuchiya H., Kamakura Y., Mori N., Ogawa M. // Applied Physics Express 7, 035102 (2014), doi: 10.7567/APEX.7.035102.
Marin E. G., Marian D., Iannaccone G., Fiori G. // Nanoscale 9, 19390 (2017), doi: 10.1039/c7nr06015g.
Li X., Mullen J. T., Jin Z., Borysenko K. M., Nardelli M. B., Kim K. W. // Phys. Rev. B 87, 115418 (2013), doi: 10.1103/PhysRevB.87.115418.
Dávila M. E., Xian L., Cahangirov S., Rubio A., Le Lay G. // New Journal of Physics 16, 095002 (2014), doi: 10.1088/1367-2630/16/9/095002.
Garcia J. C., de Lima D. B., Assali L. V. C., Justo J. F. // J. Phys. Chem. C 115, 13242 (2011).
Xu M., Liang T., Shi M., Chen H. // Chem. Rev. 113, 3766 (2013).
Bianco E., Butler S., Jiang S., Restrepo O. D., Windl W., Goldberger J. E. // ACS Nano 7 (5), 4414 (2013), doi: 10.1021/nn4009406.
Zhao H., Zhang Chang-wen, Ji Wei-xiao, Zhang Run-wu, Li Sheng-shi, Yan Shi-shen, Zhang Baomin, Li P., Wang Pei-ji. // Scientific Reports, 2016, doi: 10.1038/srep20152.
Khatami M. M., Gaddemane G., Van de Put M. L., Fischetti M. V., Moravvej-Farshi M. K., Mahdi Pourfath M., Vandenberghe W. G. // Materials 12, 2935(2019), doi: 10.3390/ma12182935.
Zhao Y., AlMutairi A., Yoon Y. // IEEE Electron Dev. Lett. 38 (12), 2017, doi: 10.1109/LED.2017. 2763120.
AlMutairi A., Zhao Y., Yin D., Yoon Y. // IEEE Electron., 2017, doi: 10.1109/LED.2017.2681579.
Brahma M., Bescond M., Logoteta D., Ghosh R. K., Mahapatra S. // IEEE Trans. on Electron. Devices 65 (3), 2018, doi: 10.1109/TED.2017.2788463.
Madhushankar B. N., Kaverzin A., Giousis T., Potsi G., Gournis D., Rudolf P., Blake G. R., van der Wal C. H., van Wees B. J. // 2D Mater. 4, 021009 (2017), doi: 10.1088/2053-1583/aa57fd.
Bismuth – Containing Alloys and Nanostruc-tures. Eds. Wang S., Lu P. 285 Springer Series in Materials Science, 2019 (Publ. Springer Nature Singapore Pte Ltd.).
Liu Y., Weiss N. O., Duan X., Cheng H.-C., Huang Y., Duan X. // Nature Reviews Materials, 1, 2016, doi: 10.1038/natrevmats.2016.42.
Iannaccone G., Bonaccorso F., Colombo L., Fiori G. // Nature Nanotechnology, 2018, doi: 10.1038/s41565-018-0082-6.
Dean C., Young A. F., Wang L., Meric I., Lee G.-H., Watanabe K., Taniguchi T., Shepard K., Kim P., Hone J. // Solid State Communications 152, 1275 (2012), doi: 10.1016/j.ssc.2012.04.021.
Wofford J. M., Nakhaie S., Krause T., Liu X., Ramsteiner M., Hanke M., Riechert H., Lopes J. M. J. // Scientific Reports, 2017, doi: 10.1038/srep43644.
Qian Y., Ngoc V. H., Kang D. J. // Scientific Re-ports, 2017, doi: 10.1038/s41598-017-17432-9.
Fiori G., Bruzzone S., Iannaccone G. // IEEE Trans. on Electron Dev. 60 (1), 268 (2013), doi: 10.1109/TED.2012.2226464.
Fiori G., Betti A., Bruzzone S., D’Amico P., Iannaccone G. // IEDM Tech. Dig. 11.4.1–11.4.4 (IEEE, 2011).
Fiori G., Betti A., Bruzzone S., Iannaccone G. // ACS Nano 6 (3), 2642 (2012), doi: 10.1021/nn300019b.
Moon J. S., Seo Hwa-chang, Stratan F., Antcliffe M., Schmitz A., Ross R. S., Kiselev A. A., Wheeler V. D., Nyakiti L. O., Gaskill D. K., Lee K.-M., Asbeck P. M. // IEEE Electron Device Letters 34, 1190 (2013).
Mehr W., Dabrowski J., Scheytt J.C., Lippert G., Xie Y.-H., Lemme M. C., Ostling M., Lupina G. // IEEE Electron Device Letters 33, 691 (2012).
Vaziri S., Lupina G., Henkel C., Smith A. D., Östling M., Dabrowski J., Lippert G., Mehr W., Lemme M. C. // Nano Lett. 13, 1435 (2013), doi: 10.1021/ nl304305x.
Yang H., Heo J., Park S., Song H. J., Seo D. H., Byun K.-E., Kim P., Yoo InKyeong, Chung H.-J., Kim K. // Science 336, 1140 (2012), doi: 10.1126/science.1220527.
Horri A., Faez R., Pourfath M., Darvish G. // IEEE Trans. on Electron Devices, 2017, doi: 10.1109/TED.2017.2716938.
Georgiou T., Jalil R., Belle B. D., Britnell L., Gor-bachev R. V., Morozov S. V., Kim Y.-J., Gholinia A., Haigh S. J., Makarovsky O., Eaves L., Ponomarenko L. A., Geim A. K., Novoselov K. S., Mishchenko A. // Nature Nanotechnology, 2012, doi: 10.1038/nnano.2012.224.
Cao J., Park J., Triozon F., Pala M. G., Cresti A. // ISTE OpenScience, 2018, doi: 10.21494/ISTE.OP.2018.0222.
Netsu S., Kanazawa T., Uwanno T., Amemiya T., Nagashio K., Miyamoto Y. // IEICE Trans. Electron., E101–C, 5, 338 (2018), doi: 10.1587/transele.E101.C.338.
Long M., Wang Y., Wang P., Zhou X., Xia H., Luo C., Huang S., Zhang G., Yan H., Fan Z., Wu X., Chen X., Lu W., Hu W. // ACS Nano, 2019, doi: 10.1021/acsnano. 8b09476.
Fan Z.-Q., Jiang X.-W., Luo J.-W., Jiao L.-Y., Huang R., Li S.-S., Wang L.-W. // Phys. Rev., B 96, 165402 (2017).
Marian D., Dib E., Cusati T., Marin E.G., Fortunelli A., Iannaccone G., Fiori G. // Phys. Rev. Appl. 8, 054047 (2017).
Deng Y., Luo Z., Conrad N. J., Liu H., Gong Y., Najmaei S., Ajayan P. M., Lou J., Xu X., Ye P. D. // ACS Nano, 8 (8), 8292 (2014), doi: 10.1021/nn5027388.
Jiang X., Shi X., Zhang M., Wang Y., Gu Z., Chen L., Zhu H., Zhang K., Sun Q.-Q., Zhang D. W. // ACS Applied Nano Materials, 2019, doi: 10.1021/ acsanm.9b01193.
Wang J., Jia R., Huang Q., Pan C., Zhu J., Wang H., Chen C., Zhang Y., Yang Y., Song H., Feng Miao F., Huang R. // Scientific Reports, 2018, doi: 10.1038/s41598-018-35661-4.
Yan X., Liu C., Li C., Bao W., Ding S., Zhang D. W., Zhou P. // Small, 1701478 (2017), doi: 10.1002/smll.201701478.
Roy T., Tosun M., Cao X., Fang H., Lien D.-H., Zhao P., Chen Y.-Z., Chueh Y.-L., Guo J., Javey A. // ACS Nano, 2015, doi: 10.1021/nn507278b.
Yuan Y., Sun T., Hu Z., Yu W., Ma W., Zhang K., Sun B., Lau S. P., Bao Q., Lin S., Li S. // ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, doi: 10.1021/acsami.8b13620.
Shang J., Zhang S., Wang Y., Wen H., Wei Z. // Chinese Optics Letters (COL) 17 (2), 020010 (2019), doi: 10.3788/COL201917.020010.
Na J., Kim Y., Smet J. H., Burghard M., Kern K. // ACS Applied Materials & Interfaces, 11, 20973 (2019), doi: 10.1021/acsami.9b02589.

Выпуск

том 8 № 1 (2020)

Кол-во страниц: 86 страниц

С О Д Е Р Ж А Н И Е

ОБЩАЯ ФИЗИКА

Воронов К. Е., Телегин А. М., Пияков А. В., Рязанов Д. М.
Физические эффекты при высокоскоростном соударении микрометеороидов и
частиц космического мусора с поверхностью космического аппарата (обзор) 3

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ

Тарасенко В. Ф., Бураченко А. Г., Бакшт Е. Х.
Генерация убегающих электронов и рентгеновского излучения при микросекундном фронте импульса напряжения 21

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА

Пономаренко В. П., Попов В. С., Попов С. В.
Фото- и наноэлектроника на основе двумерных 2D-материалов (обзор)
(Часть II. 2D-нанотранзисторы) 33

Седнев М. В., Гришина А. Н., Болтарь К. О., Пермикина Е. В., Макарова Э. А., Пес-
това А. А.
Антиотражающие покрытия фотоприемников на основе антимонида индия 67

ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ

Гавриш С. В., Петренко Н. Ю., Пугачев Д. Ю.
Влияние состава инертных газов на теплофизические процессы в импульсных газоразрядных источниках излучения 75

C O N T E N T S

GENERAL PHYSICS

K. E. Voronov, A. M. Telegin, A. V. Piyakov, and D. M. Ryazanov
Physical effects applied to micrometeoroids and space debris particles parameters sensors design (a review) 3

PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS

V. F. Tarasenko, A. G. Burachenko, and E. Kh. Baksht
Generation of runaway electrons and X-ray at a microsecond voltage rise time 21

PHOTOELECTRONICS

V. P. Ponomarenko, V. S. Popov, S. V. Popov
Photo- and nanoelectronics based on two-dimensional 2D-materials (a review)
(Part II. 2D-nanotransistors) 33

M. V. Sednev, A. N. Grishina, K. O. Boltar, E. V. Permikina, E. A. Makarova, and A. A. Pestova
Antireflection coatings for photodetectors based on InSb 67

PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS

S. V. Gavrish, N. Y. Petrenko, and D. Y. Pugachev
Effect of the composition of inert gases of a plasma-forming medium on thermophysical processes in the pulsed gas-discharge radiation sources 75

Другие статьи выпуска

Влияние состава инертных газов на теплофизические процессы в импульсных газоразрядных источниках излучения (2020)

Авторы: Гавриш Сергей, Петренко Николай Юрьевич, Пугачев Дмитрий Юрьевич

Данная работа посвящена теоретическому анализу теплофизических процессов в импульсном ксеноновом разряде при добавлении в состав плазмообразующей среды другого инертного газа. На основе разработанной математической модели рассчитаны температурные зависимости теплопроводности смесей ксенона с неоном, криптоном и аргоном в различных процентных соотношениях. Показано влияние теплопроводности смеси газов на температуру, оптическое пропускание и кристаллизацию кварцевой оболочки газоразрядной лампы.

Сохранить в закладках

Антиотражающие покрытия фотоприемников на основе антимонида индия (2020)

Авторы: Седнев Михаил Васильевич, Болтарь Константин, Пермикина Елена Вячеславовна, Макарова Элина Алексеевна

В работе представлены результаты расчетного конструирования антиотражающих покрытий на поверхности антимонида индия и их практической реализации с использованием пленкообразующих материалов ZnS, YF3, Si и SiO2, осажденных методами магнетронного распыления, электронно-лучевого и резистивного испарения, определены показатели преломления используемых пленок. Измерены спектральные характеристики отражения полученных однослойных, двухслойных, трехслойных и более антиотражающих покрытий в средневолновом ИК-диапазоне. Проанализированы возможности минимизации отражения от поверхности антимонида индия в средневолновом ИК-диапазоне спектра.

Сохранить в закладках

Генерация убегающих электронов и рентгеновского излучения при микросекундном фронте импульса напряжения (2020)

Авторы: Тарасенко Виктор Федотович, Бураченко Александр Геннадьевич, Бакшт Евгений Хаимович

Приведены результаты исследований генерации пучков убегающих электронов и рентгеновского излучения в неоднородном электрическом поле при давлениях воздуха, азота, аргона и гелия от 1 до 100 кПа. Использовался генератор, который формировал импульсы напряжения с фронтом  1,5 мкс и амплитудой до 200 кВ. Рентгеновское излучение с помощью сцинтиллятора и ФЭУ было зарегистрировано за анодом из алюминиевой фольги во всём диапазоне давлений во всех четырёх газах.

В гелии пучок убегающих электронов при давлении 100 кПа был зарегистрирован коллектором. В воздухе, азоте и аргоне пучок убегающих электронов с данным генератором имел сравнительно малые амплитуды, а также энергии и фиксировался коллектором только при низких давлениях (< 20 кПа). Установлено, что при микросекундной длительности фронта импульса напряжения необходимо использовать катоды, обеспечивающие наибольшие напряжения пробоя промежутка.

Сохранить в закладках

Физические эффекты при высокоскоростном соударении микрометеороидов и частиц космического мусора с поверхностью космического аппарата (обзор) (2020)

Авторы: Воронов Константин, Телегин Алексей, Рязанов Дмитрий, Пияков Алексей Владимирович

В статье приведен обзор физических эффектов, наблюдаемых при высокоскоростном взаимодействии частиц космического мусора и микрометеороидов (микрочастиц) с поверхностью мишени. Приведены математические формулы для описания данных эффектов и рекомендации по их использованию в датчиках космического мусора и микрометеороидов. Приведена концепция аппаратуры для исследования физических эффектов при высокоскоростном взаимодействии микрочастиц с мишенью.

Сохранить в закладках

Издательство

Издательство: АО "НПО "ОРИОН"
Регион: Россия, Москва
Почтовый адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
Юр. адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
ФИО: Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
E-mail адрес: orion@orion-ir.ru
Контактный телефон: +7 (499) 3749400
Сайт: http://www.orion-ir.ru

Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.

Автор и соавтор

Автор

Пономаренко Владимир

Соавтор

Попов Виктор

Ведущий журнала

Ильина Надежда

Написать

По вопросам связанным с журналом вы можете связаться с его ведущим.