В работе исследована новая рBn-архитектура на основе гетероструктуры GaAsSb/AlAsSb/InAsSb группы материалов A3B5, с барьерным слоем AlAsSb n-типа, поглощающим слоем InAsSb n-типа, коллекторным слоем GaAsSb р-типа проводи-мости, предназначенная для детектирования излучения в ИК-диапазоне спектра 3,1–4,2 мкм. У представленной структуры не имеется разрыва в валентной зоне, что позволяет работать в широком диапазоне напряжений смещения, не обедняя базовый активный слой InAsSb n-типа. Барьер в зоне проводимости, благодаря наличию в структуре широкозонного слоя AlAsSb составляет 1,0 эВ, что достаточно для блокирования электронной составляющей тока. Проведен анализ темновых токов и основных параметров рBn-структуры, получено, что при рабочей повышенной температуре Т 150 К и плотности темнового тока J 610-10 А/см2 значение обнаружительной способности достигает значения D* 2,51012 (см Вт-1Гц1/2).
A new pBn-arhitecture based on GaAsSb/AlAsSb/InAsSb heterostructure including n-type AlAsSb barrier layer, n-type InAsSb absorbing layer, p-type GaAsSb collector layer, for detec-tion of the radiation in the spectra range of 3.1–4.2 µm have been developed and investigated. The structure presented don’t have offset in the valence band, which is allows working in a wide range of voltage bias without deplenting of the n-type InAsSb absorbing layer. AlAsSb barrier layer height in the conduction band was estimated to be in range of 1.0 eV, that enough to eliminate the electron current. The dark current and the performance of the рBn-structure have been calculated. At optimal working conditions, such as the temperature Т 150 К and the dark current density J 610-10 А/cm2, detector’s detectivity was estimated to be D* 2.51012 cmW-1Hz1/2.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
621.383.5. Фотоприемники с запирающим слоем - eLIBRARY ID
- 43076688
