Предложен принципиально новый физический метод получения пористых пленок диоксида кремния в вакуумных условиях. Показано, что процесс самоорганизации, возникающий при модификации пленок диоксида кремния углеродом, приводит к формированию пространственно распределенных пор, изменяющих электрофизические свойства диэлектрических пленок и расширяющих их функциональное назначение. Исследованы электрофизические свойства и структура пористых пленок, полученных в результате самоорганизации при магнетронном распылении составной мишени в атмосфере кислорода. Установлены корреляции между пористостью, структурой и электрофизическими свойствами пористых пленок диоксида кремния, модифицированных углеродом. Выявлено, что формирование пористой структуры способствует повышению селективной адсорбционной способности пленок диоксида кремния преимущественно за счет капиллярной конденсации в мезапорах, а также стимулированной адсорбции.
Consideration is given to a fundamentally new physical method of receiving porous oxide films of silicon dioxide in vacuum conditions. The self-organization process proves to form spatially spattered pores, to change electrophysical properties of dielectric films and it enlarges their functions. The structure and electrophysical properties of porous films received as a result of self-organization at magnetron spatter-ing of a compound target in an oxygen atmosphere are researched in it. The correlations between porosity, structure and electrophysical properties of porous silicon dioxide films modified by carbon are established. It was found that the formation of the porous structure contributes to the selective adsorption capacity of silicon dioxide films, mainly due to capillary condensation in mesopores, as well as stimulat-ed adsorption. It was found that the formation of the porous structure contributes to the selective adsorp-tion capacity of silicon dioxide films, mainly due to capillary condensation in mesopores, as well as stimulated adsorption.
