ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Тонкая структура пространственных профилей фотоответа диода фотоприемной матрицы при сканировании им узкого линейного пятна засветки (2021)

Читать онлайн

Трехмерное моделирование диффузии фотогенерированных носителей заряда методом Монте-Карло было использовано для вычисления пространственных профилей фото-ответа фотодиода фотоприёмной матрицы при сканировании этим диодом узкого линейного пятна засветки в пределе максимально большого и предельно малого фототока, отбираемого диодами матрицы из абсорбера. Моделирование проводилось для традиционной матрицы на основе материала кадмий-ртуть-теллур с архитектурой n-на-p и квадратными диодами. Установлены тонкие детали профилей, обусловленные наличием у матрицы структуры; показана зависимость выявленных особенностей от граничных условий диффузионной задачи на n-областях диодов. Дано объяснение формы профилей, естественным образом вытекающее из вычислительной процедуры задачи.

The three-dimensional Monte Carlo simulation of charge-carrier diffusion in a mercury-cadmium-tellurium based focal plane array (FPA) was used to calculate the spatial diode photoresponse profiles measured while scanning a narrow strip-shaped illumination spot with a selected FPA diode in the limit of largest and lowest diode photocurrents. The simulation was performed for a standard 2D n-on-p FPA with square photodiodes. Fine features in measured spot-scan profiles due to the presence of FPA structure were identified, and the dependence of these features on the boundary conditions for diffusing charge carriers at the n-type diode regions was demonstrated. An explanation to the shape of the profiles, fully consistent with the computational procedure of the problem, is given.

Ключевые фразы: фотоприемное устройство (ФПУ), фотодиодная матрица, материал кадмий-ртуть-теллур (КРТ), пространственное распределение фотоответа диода, диффузия носителей заряда, метод Монте-Карло, infrared focal-plane-array (IR FPA) detectors, химия, mercury-cadmium-tellurium (MCT), spatial diode photoresponse profiles, charge-carrier diffusion, Monte Carlo method
Автор (ы): Стучинский Виктор Андреевич
Соавтор (ы): Вишняков Алексей Витальевич
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2021-3-47-53
eLIBRARY ID
46342895
Для цитирования:
СТУЧИНСКИЙ В. А., ВИШНЯКОВ А. В. ТОНКАЯ СТРУКТУРА ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ПРОФИЛЕЙ ФОТООТВЕТА ДИОДА ФОТОПРИЕМНОЙ МАТРИЦЫ ПРИ СКАНИРОВАНИИ ИМ УЗКОГО ЛИНЕЙНОГО ПЯТНА ЗАСВЕТКИ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2021. № 3
Текстовый фрагмент статьи