Исследована фотоэлектрическая взаимосвязь матричных фотоприемных устройств средневолнового ИК-диапазона форматов 320256 элементов с шагом 30 мкм и 640512 элементов с шагом 15 мкм на основе антимонида индия. Определена зависимость величины взаимосвязи от толщины объемной структуры утоньшенного антимонида индия. Взаимосвязь элементов МФПУ на основе эпитаксиального антимонида индия существенно меньше, чем взаимосвязь на основе объемного антимонида индия.
We investigated photoelectric crosstalk in 320256 with pitch 30mkm and 640512 with pitch 15mkm mid-wave IR range InSb FPA. The dependence of crosstalk value from the thickness of the InSb bulk structure has been determined. The crosstalk of epitaxial FPA elements is substantially less than that of bulk FPA elements.
Идентификаторы и классификаторы
Исследовано пространственное разрешение МФПУ форматов 320256 с шагом
30 мкм и 640512 с шагом 15 мкм как утоньшенных объемных ФЧ-слоев, так и эпитаксиальных слоев антимонида индия, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией. Экспериментально подтверждены преимущества эпитаксиальных структур по сравнению с объемными структурами антимонида индия по пространственному разрешению.
Установлено, что для реализации близкого к максимально возможному пространственному разрешению МФПУ толщина объемных структур для МФПУ с шагом 30 мкм должна быть не более 13–15 мкм, а для МФПУ с шагом 15 мкм не более 8–10 мкм.
Список литературы
- Rogalski A., Kopytko M., Martyniuk P. Anti-monide-based Infrared Detectors: A New Perspective. 2018.
- www.scd.co.il SCD Semiconductor Devices (Израиль).
- www.sbfp.com Lockheed Martin Corporation Santa Barbara Focalplane (США).
- www.cinele.com/products/infrared_large_format.htm L-3 Cincinnati Electronics (США).
- www.i3system.com i3system, Inc. (Республика Корея).
- http://orion-ir.ru/ АО «НПО «Орион» ГНЦ РФ (Россия).
- Болтарь К. О., Власов П. В., Лопухин А. А., Полунеев В. В., Рябова А. А. // Успехи прикладной фи-зики. 2013. Т. 1. № 6. С. 733.
- Соляков В. Н., Корнеева М. Д., Кортиков М. В., Катаев О. В., Трунов Г. Л., Соломахин П. А. // Прикладная физика. 2011. № 4. C. 96.
- Балиев Д. Л., Болтарь К. О., Киселева Л. В., Ложников В. Е., Лопухин А. А., Мансветов Н. Г., Полунеев В. В., Рудневский В. С., Савостин А. В. // Прикладная физика. 2014. № 2. С. 41.
- Болтарь К. О., Киселева Л. В., Лопухин А. А., Савостин А. В. Патент № 2460174, 2012.
- Bloom Ilan, Nemirovsky Yael. // IEEE Transactions On Electron Devices. 1991. Vol. 38. No. 8. P. 1792.
- Guo Nan et al. Effects of Crosstalk on Photoresponse for Mid-wavelength InSb Infrared Focal Plane Arrays, 2010.
- Holloway H. // J. Appl. Phys. 1986. Vol. 60. No. 3. P. 1091.
- Яковлева Н. И., Болтарь К. О. // Прикладная физика. 1999. № 2. С. 45.
- Stafeev V. I., Mansvetov N. G., Iakovleva N. I., Boltar K. O. // Proceedings SPIE. 1998. Vol. 3819. P. 32.
- Болтарь К. О., Мансветов Н. Г., Стафеев В. И., Яковлева Н. И. // Оптический журнал. 2000. Т. 67. № 2. С. 77.
- Bloom I., Nemirovsky Y. // IEEE Trans. Electron Devices. 1992. Vol. 39. No. 4. P. 809.
- Davis M., Greiner M., Sanders J., Wimmers J. // Proceedings of SPIE. 1998. Vol. 3379. P. 288.
- Boliang C. et al. // Proceedings of SPIE. 2001. Vol. 4369. P. 436.
- Shtrichman Itay et al. // Proceedings of SPIE. 2007. Vol. 6542. P. 288.
- Лопухин А. А., Степанюк В. Е. и др. // Прикладная физика. 2014. № 6. С. 56.
- ГОСТ 17772-88. Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик. 1.17 Метод определения фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП (ФПУ). – М.: Издательство стандартов, 1988.
- A. Rogalski, M. Kopytko, and P. Martyniuk, Antimonide-based Infrared Detectors: A New Perspective. (2018).
- www.scd.co.il SCD Semiconductor Devices (Israel).
- www.sbfp.com Lockheed Martin Corporation Santa Barbara Focalplane (USA).
- www.cinele.com/products/infrared_large_format.htm L-3 Cincinnati Electronics (USA).
- www.i3system.com i3system, Inc. (Republic of Korea).
- http://orion-ir.ru/ Orion R&P Association, JSC. (Russia).
- K. O. Boltar, P. V. Vlasov, A. A. Lopukhin, V. V. Poluneev, and A. A. Ryabova, Usp. Prikl. Fiz. 1 (6), 733 (2013).
- V. N. Solyakov, M. D. Korneeva, and M. V. Kortikov, Prikl. Fiz., No. 4, 96 (2011).
- D. L. Baliev, K. O. Boltar., P. V. Vlasov, L. V. Kiseleva , V. E. Lozhnikov, A. A. Lopukhin, N. G. Mansvetov, V. V. Poluneev, V. S. Rudnevsky, and A. V. Savostin, Prikl. Fiz., No. 2, 41 (2014).
- K. O. Boltar, L. V. Kiseleva, A. A. Lopukhin, and A. V. Savostin, RF Patent No. 2460174. (2012).
- Ilan Bloom and Yael Nemirovsky, IEEE Transactions On Electron Devices 38 (8), 1792 (1991).
- Nan Guo, et al., Effects of Crosstalk on Photoresponse for Midwavelength InSb Infrared Focal Plane Arrays, (2010).
- H. Holloway, J. Appl. Phys. 60 (3), 1091 (1986).
- N. I. Iakovleva and K. O. Boltar, Prikl. Fiz., No. 2, 45 (1999).
- V. I. Stafeev, N. G. Mansvetov, N. I. Iakovleva, and K. O. Boltar, Proceedings SPIE 3819, 32 (1998).
- K. O. Boltar, N. G. Mansvetov, V. I. Stafeev, and N. I. Iakovleva, Optich. Zhurn. 67 (2), 77 (2000).
- I. Bloom and Y. Nemirovsky, IEEE Trans. Electron Devices 39 (4), 809 (1992).
- M. Davis, M. Greiner, J. Sanders, and J. Wimmers, Proceedings of SPIE 3379, 288 (1998).
- C. Boliang et al., Proceedings of SPIE 4369, 436 (2001).
- Itay Shtrichman et al., Proceedings of SPIE 6542, 288 (2007).
- A. A. Lopukhin, V. E. Stepanyuk, et al., Prikl. Fiz., No. 6, 56 (2014).
- GOST 17772-88. Detectors of Irradiation (Iizdat. Standartov, Moscow, 1988) [in Russian].
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Ребров И. Е., Хомич В. Ю.
Формирование электрогидродинамического потока в коронном разряде трехкаскадной электродной системы последовательного и чередующегося подключения 5
Кузнецов М. А., Солодский С. А., Крюков А. В., Ильященко Д. П., Верхотурова Е. В.
Влияние защитного газа на течение плазмы электрической дуги и на каплю расплавленного металла в процессе сварки 11
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Болтарь К. О., Власов П. В., Лазарев П. С., Лопухин А. А., Чишко В. Ф.
Зависимость пространственного разрешения матричного фотоприемного устройства на основе антимонида индия от толщины фоточувствительного слоя 18
Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Г. Ю., Якушев М. В.
Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe 25
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Бобоев Т. Б., Истамов Ф. Х., Гафуров С. Дж.
Оценка эффективности фотодеструкции полиэтилентерефталата квантов УФ-излучения разной длиной волны 32
Зиенко С. И., Слабковский Д. С.
Релаксация фононной люминесценции алмаза 36
Коноваленко С. П., Бедная Т. А., Лебеденко А. В.
Исследование металлоуглеродных нанокомпозитов на основе пиролизованного полиакрилонитрила для получения газочувствительных сенсоров 42
Павлов С. А., Павлов А. С., Максимова Е. Ю., Алексеенко А. В., Павлов А. В., Зеленская А. Д., Антипов Е. М.
Влияние диффузии аналита в полимерном чувствительном слое на колебания люминесцентного сигнала 47
Смирнов А. В., Васильев А. И., Платонов П. С., Столбов Д. О., Царева Е. Р., Сорокин Г. М., Тюнтеров Е. С., Петров Д. В.
Синтез и исследование газочувствительных свойств тонких пленок оксида меди 53
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Волков Ю. А., Казаков Е. Д., Калинин Ю. Г., Марков М. Б., Масленников Д. Д., Орлов М. Ю., Тараканов И. А.
Исследование отклика полупроводникового детектора на действие мощного импульсного ионизирующего излучения 58
Коков К. В., Егорова Б. В., Ларкин А. А., Маковеева К. А., Перминов Ю. А., Прошин М. А., Чувилин Д. Ю.
Лабораторный генератор радионуклида 212Pb для исследований в области ядерной медицины 64
Кондратенко В. С., Лу Хунг-Ту, Наумов А. С., Великовский И. Э.
Лазерная резка кремниевых подложек изготовленных методом Taiko 71
Лобода В. Б., Жмайлов В. Н., Довжик М. Я., Хурсенко С. Н., Чепижный А. В.
Исследование работы геттерно-ионного сверхвысоковакуумного насоса орбитронного типа 75
Рудченко Е. А., Яковлева Н. И., Никонов А. В.
Исследование характеристик нагретых объектов в оптически плотных отражающих
средах 83
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
I. E. Rebrov and V. Yu. Khomich
Formation of an electrohydrodynamic corona discharge flow in the three cascade electrode sys-tem of serial and alternating connection 5
M. A. Kuznetsov, S. A. Solodsky, A. V. Kryukov, D. P. Ilyaschenko, and E. V. Verkhoturova
Study of the effect of shielding gas on the plasma flow of an electric arc and on the drop of a molten metal 11
PHOTOELECTRONICS
K. O. Boltar, P. V. Vlasov, P. S. Lazarev, A. A. Lopukhin, and V. F. Chishko
Crosstalk dependence of a photosensitive layer thickness in InSb FPA 18
A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, G. Yu. Si-dorov, and M. V. Yakushev
Diffusion limitation of the dark current in nBn structures based on MBE HgCdTe 25
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
T. B. Boboev, F. H. Istamov, and S. J. Gafurov
Estimation of efficiency of UV-quanta of different energy in photodestruction of polyethylene terephthalate 32
S. I. Zienko and D. S. Slabkovsky
Energy efficiency of a diamond phonon luminescence relaxation 36
S. P. Konovalenko, T. A. Bednaya, and A. V. Lebedenko
Study of carbon-carbon nanocomposites based on pyrolyzed polyacrylonitrile to obtain gas-sensitive elements of gas sensors 42
S. A. Pavlov, A. S. Pavlov, E. Yu. Maksimova, A. V. Alekseenko, A. V. Pavlov, A. D. Zelenskaya, and E. M. Antipov
Observation of the phenomenon of fluctuations in the signal intensity of a luminescent sensor on quantum dots and its connection with the peculiarities of the diffusion of the analyte in the pol-ymer sensitive layer 47
A. V. Smirnov, A. I. Vasiliev, P. S. Platonov, D. O. Stolbov, E. R. Tsareva, G. M. Sorokin,
E. S. Tynterov, and D. V. Petrov
Synthesis and study of gas sensitive properties of thin films of copper oxide 53
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
Yu. A. Volkov, E. D. Kazakov, Yu. G. Kalinin, M. B. Markov, D. D. Maslennikov, M. Yu. Orlov, and I. A. Tarakanov
Experimental and numerical study semiconductor detector response to the action of ionizing radiation from the powerful pulsed generator RS-20 58
K. V. Kokov, B. V. Egorova, A. A. Larkin, K. A. Makoveeva, Yu. A. Perminov, M. A. Proshin, and D. Yu. Chuvilin
212Pb radionuclide laboratory generator for nuclear medicine investigations 64
V. S. Kondratenko, Lu Hung-Tu, A. S. Naumov, and I. E. Velikovskiy
Laser cutting of the Taiko silicon substrates 71
V. В. Loboda, V. N. Zhmailov, M. Ya. Dovzhyk, S. N. Khursenko, and А. V. Chepizhnyi
Study of the work of a getter-ion ultrahigh-vacuum orbitron pump 75
Е. А. Rudchenko, N. I. Iakovleva, and A. V. Nikonov
Investigation of slightly heated objects characteristics in a dense reflective media 83
Другие статьи выпуска
Представлены сравнительные результаты экспериментального и численного исследования отклика p–i–n-диода bpw34F на воздействие мощного потока ионизирующего излучения. Эксперименты проводились на сильноточном импульсном генераторе электронов РС-20, обеспечивающем ток пучка до 75 кА при напряжении на диоде до 1,5 МВ. Облучение pin-диода осуществлялось рентгеновским излучением, возникающем при торможении электронов в массивной мишени. Математическая модель радиационной проводимости основана на кинетических уравнениях для электронов проводимости и дырок валентной зоны и самосогласованных уравнениях Максвелла. Расчеты проводились на суперкомпьютере ГВК К-100.
В работе показана возможность терморезистивным методом синтезировать полупроводниковые пленки оксида меди и пленки оксида меди с линейно-цепочечным углеродом, обладающие хорошей чувствительностью на пары метанола и этанола. Предложенный механизм газочувствительности, описывающий возрастание сопротивления в парах метанола и этанола, показывает хорошее согласие с полученными экспериментальными результатами.
При использовании в составе люминесцентного сенсора чувствительного слоя из сополимера винилиденфторида с этиленом с иммобилизованными в нем полупроводниковыми люминофорами на основе халькогенидов кадмия и цинка обнаружен эффект колебания интенсивности люминесцентного сигнала на стадии достижения его равновесного значения. Колебания имеют затухающий характер с периодом колебания несколько минут. Наблюдаемый эффект был связан нами с особенностями диффузии исследуемого аналита, в качестве которого использовали эффективный тушитель люминенсценции квантовых точек – бромоформ. Было предположено, что наблюдаемые особенности механизма диффузии обусловлены зависимостью сорбционно-диффузионных характеристик процесса от концентрации определяемых веществ.
Изготовлены образцы металлсодержащих плёнок полиакрилонитрила. Проведён сравнительный анализ характеристик образцов чувствительных элементов на основе металлсодержащего полиакрилонитрила с различными легирующими добавками (медь, серебро, кобальт) к диоксиду азота. Введение легирующей добавки в углеродную матрицу нанокомпозита приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны по сравнению с чистым полиакрилонитрилом. Результаты исследования ширины запрещенной зоны позволяют получить материал с заданными проводящими характеристиками металлокомпозита, что, в свою очередь, определяет газочувствительные свойства системы. Изучены процессы адсорбции диоксида азота на поверхности металлсодержащего полиакрилонитрила. Установлено, что увеличение интенсивности ИК-излучения приводит к ухудшению его адсорбционной активности.
Для стоксовой и антистоксовой фононной люминесценции алмаза получены уравнения в аналитическом виде для расчета импульсной (временной) характеристики и полной энергии потерь. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментом. Исследование 30 образцов ограненных алмазов (бриллиантов) показывает, что полная энергия люминесценции меняется от 0,9 до 1,5 эВ. Меньшими значениями энергии (0,9–1,1 эВ) обладает антистоксовая фононная люминесценция. Дополнительные потери энергии на стадии ее возбуждения можно объяснить преобразованием части квантов возбуждения в кванты люминесценции с большей частотой. Такой подход к анализу бриллиантов возможен только для природных образцов и нельзя использовать для бриллиантов искусственного происхождения.
Изучено влияние УФ-излучения разных длин волн на разрывную прочность пленок полиэтилентерефталата (ПЭТФ) в условиях постоянства поглощенной интенсивности падающего на образец излучения. Установлено влияние времени УФ-облучения на прочность образцов разной толщины в условиях одинаковости дозы облучения независимо от длины волны УФ-излучения. Показано, что эффективность дозы облучения существенно зависит от глубины проникновения УФ-излучения и толщины исследуемого образца. Найдено, что при оценке эффективности действия квантов УФ-излучения разной длины волны необходимо учесть не только дозу поглощенной энергии, но и распределение интенсивности излучения по толщине образца.
Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур проводилась путем формирования пленок Al2O3 методом плазменного атомно-слоевого осаждения. Показано, что при составе в барьерном слое, равном 0,84, в nBn-структурах доминирует объемная компонента темнового тока. Энергия активации тока близка к ширине запрещенной зоны поглощающего слоя. Сопоставление экспериментальных результатов с эмпирической моделью Rule07 показало, что в диапазоне температур 180–300 К в изготовленных структурах реализуется диффузионное ограничение темнового тока. Из проведенных исследований следует, что молекулярно-лучевая эпитаксия HgCdTe на альтернативных подложках является перспективным способом создания униполярных барьерных детекторов для спектрального диапазона 3–5 мкм.
В работе рассмотрено изучение влияния защитного газа на течение плазмы электрической дуги и расплавленного металла. Представлено моделирование влияния защитного газа на течение плазмы электрической дуги расплавленного металла и разработана математическая модель, описывающая течение плазмообразующего газа внутри устройства, формирующего необходимые направления плазменных потоков для образования капли расплавленного электродного металла необходимых размеров. Установлено, что защитный газ и его давление влияют на скорость истечения газа, а также на формирование и размер капли электродного металла. При увеличении давления защитного газа изменяется время образования и отрыва капли: чем выше давление газа, тем капля имеет меньший объем. Аргон и углекислый газ по-разному оказывают влияние на течение плазмы электрической дуги, длину дуги, формирование и отрыв капли. Изменяя газовый состав, давление и скорость газа можно управлять процессом формирования капли. Определено, что с увеличением расхода газа с 10 до 30 л/мин происходит увеличение скорости истечения газа с 1,2 до 5,2 м/с и уменьшение объема капли расплавленного электродного металла. Объем капли может меняться в среднем на 65 % в зависимости от защитного газа.
В работе исследована система последовательного и чередующегося типа электрического подключения трех электрогидродинамических ячеек на основе коронного разряда в воздухе атмосферного давления. Проведено численное моделирование рассматриваемой системы. Показано распределение объемной силы, действующей на участке дрейфа многокаскадной системы. Получено хорошее соответствие результатов эксперимента с расчетными данными.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400