ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Зависимость пространственного разрешения матричного фотоприемного устройства на основе антимонида индия от толщины фоточувствительного слоя (2020)

Читать онлайн

Исследована фотоэлектрическая взаимосвязь матричных фотоприемных устройств средневолнового ИК-диапазона форматов 320256 элементов с шагом 30 мкм и 640512 элементов с шагом 15 мкм на основе антимонида индия. Определена зависимость величины взаимосвязи от толщины объемной структуры утоньшенного антимонида индия. Взаимосвязь элементов МФПУ на основе эпитаксиального антимонида индия существенно меньше, чем взаимосвязь на основе объемного антимонида индия.

We investigated photoelectric crosstalk in 320256 with pitch 30mkm and 640512 with pitch 15mkm mid-wave IR range InSb FPA. The dependence of crosstalk value from the thickness of the InSb bulk structure has been determined. The crosstalk of epitaxial FPA elements is substantially less than that of bulk FPA elements.

Ключевые фразы: МФПУ, антимонид индия, ПРОСТРАНСТВЕННОЕ РАЗРЕШЕНИЕ, утоньшение, диффузия, фотоэлектрическая взаимосвязь, focal plane array, FPA, indium antimonide, photosensitive, thinning, diffusion, crosstalk
Автор (ы): Болтарь Константин
Соавтор (ы): Власов Павел Валентинович, Лопухин Алексей Алексеевич, Чишко Владимир Федорович
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.59. Проводники с особо высоким сопротивлением. Полупроводники
621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
621.383.5. Фотоприемники с запирающим слоем
eLIBRARY ID
42561248
Для цитирования:
БОЛТАРЬ К., ВЛАСОВ П. В., ЛОПУХИН А. А., ЧИШКО В. Ф. ЗАВИСИМОСТЬ ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАЗРЕШЕНИЯ МАТРИЧНОГО ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ АНТИМОНИДА ИНДИЯ ОТ ТОЛЩИНЫ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО СЛОЯ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2020. № 1
Текстовый фрагмент статьи