ISSN 0021-3411
Языки: ru · en

Статья: ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В ПРОЦЕССЕ ДИФФУЗИИ ПРИМЕСЕЙ В GAAS (2021)

Читать онлайн

Проведено исследование образования дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs. Изучено образование дислокаций в диффузионных слоях GaAs, легированных разными примесями (элементами II, IV, VI групп и переходными элементами), в зависимости от условий проведения диффузии. Показано, что в процессе диффузии примесей в диффузионных слоях GaAs происходит образование дислокаций, плотность которых в слоях, легированных до предельных поверхностных концентраций, может достигать 108 см-2. По мере уменьшения поверхностной концентрации диффундирующей примеси происходит уменьшение плотности дислокаций. Определены условия проведения диффузии, при которых дополнительные дислокации не образуются. На основании сопоставления полученных экспериментальных данных и результатов проведенного расчета сделан вывод о том, что образование дислокаций при диффузии примесей в GaAs обусловлено градиентом концентрации примеси.

Ключевые фразы: арсенид галлия, диффузия, МЕХАНИЧЕСКИЕ НАПРЯЖЕНИЯ, ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ
Автор (ы): Хлудков Станислав Степанович
Соавтор (ы): Прудаев Илья Анатольевич, Ивонин Иван Варфоломеевич, Толбанов Олег Петрович
Журнал: ИЗВЕСТИЯ ВУЗОВ. ФИЗИКА

Идентификаторы и классификаторы

УДК
621.315.592. Полупроводники
Префикс DOI
10.17223/00213411/64/12/160
eLIBRARY ID
47503184
Для цитирования:
ХЛУДКОВ С. С., ПРУДАЕВ И. А., ИВОНИН И. В., ТОЛБАНОВ О. П. ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В ПРОЦЕССЕ ДИФФУЗИИ ПРИМЕСЕЙ В GAAS // ИЗВЕСТИЯ ВУЗОВ. ФИЗИКА. 2021. ТОМ 64, № 12 (769)
Текстовый фрагмент статьи