ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Образование дефектов диэлектрических слоев в процессах диффузии в кремнии (2025)

Читать онлайн

Рассмотрено влияние диффузии фосфора из жидкого источника (POCl3) и твердого источника (метафосфат алюминия (МФА)) на образование локальных дефектов в слоях SiO2 и на поверхности кремния. Установлено, что вероятной причиной образования дефектов является локальное проплавление слоя окисла жидким фосфорно-силикатным стеклом с образованием твердой фазы, обогащенной кремнием. Глубина дефекта пропорциональна его диаметру и уменьшается с понижением температуры процесса.

It was found that probably origin defects formation is liquid phosphornosilicate glass alloying through oxide layers. Formation silicon-rich phase take place on silicon surface under defect. Defect depth are proportional there diameter. A decrease in temperature of phosphorus depo-sition process leads to decrease in the dimensions and density of oxide defects.

Автор (ы): Климанов Евгений Алексеевич
Соавтор (ы): Болтарь Константин, Вильдяева Мария Николаевна, Малыгин Владислав Анатольевич, Макарова Элина Алексеевна
Журнал: Прикладная физика

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

УДК
621.01. Теория машиностроения (машиноведение). Механика как теоретическая основа машиностроения
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2025-2-39-45
Для цитирования:
КЛИМАНОВ Е. А., БОЛТАРЬ К., ВИЛЬДЯЕВА М. Н., МАЛЫГИН В. А., МАКАРОВА Э. А. ОБРАЗОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ В ПРОЦЕССАХ ДИФФУЗИИ В КРЕМНИИ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2025. №2
Текстовый фрагмент статьи