Рассмотрено развитие неохлаждаемых многоэлементных приемников излучения на основе оптико-акустических преобразователей от первого в истории техники матричного приемника Голея до современных конструктивных решений, включающих применение графеновых разделительных мембран. Проведены обобщенные расчеты чувствительности мембран, выполненных на основе графенов и традиционных материалов, таких как полиметилметакрилат и нитрид кремния. Анализируется перспективность применения однослойного графена (SLG – single-layer graphene), как наиболее перспективного материала для выполнения мембран. Показано, что гексатриграфен С63(6) является идеальным материалом для изготовления гибкой мембраны из-за его атомной толщины, высокой прочности, газонепроницаемости и высокой электропроводности. Показано, что повышение чувствительности оптоакустических приемников излучения (ОАПИ) при изготовлении мембран из графенов позволяет конструировать матричные системы с малыми диаметрами мембран при сохранении метрологических параметров однокамерных ОАПИ приборов. Рассмотрена конструкция матричного оптико-акустического приемник ТГц излучения предельной чувствительности, в которой используется перфорированный SLG графен.
The article observes the development of uncooled multielement radiation receivers on the base of optical-acoustic converters from the very first Golay cell pneumatic detector to the modern constructive decisions including the use of graphene separation membranes. The article demonstrates generalized calculations of membranes sensitivity, fulfilled on the base of graphenes and traditional materials, such as polymethylmethacrylate and silicon nitride. The article analyses the prospects of the use of single-layer graphene (SLG) as the most perspective material for membrane manufacture. Hexathreegraphene is shown to be the ideal material for flexible membrane production due to its atomic thickness, high resistance, gastightness and high electric conductivity. It is shown that gain in sensitivity of optical-acoustic radiation receivers during the manufacture of membranes from graphene allows to construct matrix systems with small diameter membranes while saving metrological parameters of single-stageoptical-acoustic radiation receiving devices. The article sees into the construction of matrix optical-acoustic receiver of terahertz radiation of the top-of-the-range sensitivity in which perforated SLG graphene is used.
Идентификаторы и классификаторы
Предложенная авторами конструкция матричного неохлаждаемого приемника ИК- и ТГц-излучения базируется на классических принципах построения известных матричных фотоприемных устройств, состоящих из оптико-акустической фотоприемной матрицы и сопряженной с ней с помощью индиевых столбиков с стандартной кремниевой КМОП-микросхемой такой же размерности, выполняющей функции накопления, усиления и коммутации сигнала. В связи с тем, что графен, используемый для изготовления разделительных микромембран, является самым тонким из известных пленочных материалов, такое устройство может быть отнесено к нанооптоэлектромеханическим. Микроперфорация мембран позволяет значительно упростить конструкцию ОАПИ в матричном исполнении.
Проведенные оценки показывают, что применение мембран из SLG графенов позволяет создать оптоакустические приемники излучения ячейками порядка десятков микрон при сохранении предельно высокой чувствительности, сопоставимой с устройствами с большой апертурой.
Предложенные матричные ОАПИ инфракрасного и терагерцового диапазонов могут быть эффективно использованы для многих современных применений, таких как терагерцовые радары, системы технического зрения, спектральное и многоцветное тепловидение.
Список литературы
- Детектор Голея [Электронный ресурс]. /Тидекс /Продукты /ТГц приборы /Детекторы Голея [сайт] – http://www.tydexoptics.com/pdf/Golay_cell.pd.
- Гибин И. С., Котляр П. Е. // Успехи прикладной физики. 2018. Т. 6. № 2. С. 117.
- Zahl H., Golay M. // The Review of Scientific Instruments. 1946. Vol. 17. № 11. P. 511.
- Hayes H. V. // Rev. Sci. Instr. 1936. Vol. 7. № 5. P. 202.
- Гибин И. С., Котляр П. Е. // Прикладная фи-зика. 2019. № 4. С. 80.
- Патент US 7045784 B1. Method and apparatus for micro-Golay cell infrared detectors, 2003.
- Кузнецов С. А., Федоринин В. Н., Гельфанд А. В., Паулиш А. Г. Патент RU 2414688, МПК G01J 5/42. Матричный приёмник терагерцового излучения. 2011. Бюл. № 8.
- Golay Marcel J. E. // Rev. Sci. Inst. 1947. Vol. 18. Р. 347.
- Панкратов Н. А. // Оптико-механическая промышленность. 1957. № 2. С. 16.
- Свидзинский К. К., Фетисов Е. А. // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1. № 3. С. 367.
- Андреева Л. Е. Упругие элементы приборов. – М.: Машиностроение, 1981.
- Мозер Й.-Ф., Штефен Г., Кнейбюль Ф. // УФН. 1969. Т. 99. Вып. 3. С. 469.
- Мосс Т. С. // УФН. 1962. Т. LXXVIII. № 1. С. 93.
- Аюпов Б. М., Баковец В. В., Паулиш А. Г. и др. // Журнал структурной химии. 2010. Т. 51. С. 73.
- Bunch J. S. et al. // Science. 2007. Vol. 315. Р. 490. doi:10.1126/science.1136836.
- Lee C., Wei X., Kysar J. W., Hone J. // Science. 2008. Vol. 321. Р. 385–8.
- Гибин И. С., Котляр П. Е. // Прикладная физика. 2020. № 2. С. 90.
- Заркевич Н. А. // Труды МФТИ. 2012. Т. 4. № 3. С. 85.
1. Golay detector [electronic resource]. /Tidex/Products/THz devices/ Golay detectors [site] – http://www.tydexoptics.com/pdf/Golay_cell.pd.
2. I. S. Gibin and P. E. Kotlar, Success of applied physics 6 (2), 117 (2018).
3. H. Zahl and M. Golay, The Review of Scientific Instruments 17 (11), 511 (1946).
4. H. V. Hayes, Rev. Sci. Instr. 7 (5), 202 (1936).
5. I. S. Gibin and P. E. Kotlar, Applied physics No. 4, 80 (2019).
6. Patent US 7045784 B1. Method and apparatus for micro-Golay cell infrared detectors, 2003.
7. S. A. Kuznetsov, V. N. Fedorinin, A. V. Gelfand, and A. G. Paulish, Patent RU 2414688, МПК G01J 5/42. Matrix photo receiver of terahertz radiation. 2011. Bul. № 8.
8. J. E. Golay Marcel, Rev. Sci. Inst. 18, 347 (1947).
9. N. A. Pankratov, Optical-mechanical industry, № 2, 16 (1957).
10. K. K. Svidzinsky and E. A. Fetisov, Success of applied physics 1 (3), 367 (2013).
11. L. E. Andreeva, Elastic elements of devices (Mechanic engineering, Moscow, 1981).
12. J. F. Mozer, G. Stephen, and F. Kneibek, Successes of physical sciences 99 (3), 469 (1969).
13. T. S. Moss, Successes of physical sciences LXXVIII (1), 93 (1962).
14. B. M. Aupov, V. V. Bakovets, A. G. Paulish and Co., Structural Chemistry Journal 51, 73 (2010).
15. J. S. Bunch et al., Science 315, 490 (2007) doi:10.1126/science.1136836.
16. C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar, and J. Hone, Science 321, 385–8 (2008).
17. I. S. Gibin and P. E. Kotlar, Applied physics, № 2, 90 (2020).
18. N. A. Zarkevich, Proceedings of Moscow Physical – Technical Institute 4 (3), 85 (2012).
Выпуск

ОБЩАЯ ФИЗИКА
Сарычев В. Д., Невский С. А., Кузнецов М. А., Солодский С. А., Ильященко Д. П., Верхотурова Е. В. Неустойчивость Кельвина-Гельмгольца и магнитно-гидродинамическая неустойчивость цилиндрического столба 5
Крылов В. И., Иванова Г. Д., Егоршин И. Н. Влияние конечного размера наночастиц на их пространственное распределение в жидкости в однородном световом поле 11
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Балмашнов А. А., Бутко Н. Б., Калашников А. В., Степин В. П., Степина С. П., Умнов А. М. Инжектор плазменного потока на основе открытого коаксиального СВЧ резонатора 17
Бастыкова Н. Х., Голятина Р. И., Коданова С. К., Рамазанов Т. С., Майоров С. А. Исследование эволюции пылинок из Be, Ni, Mo и W в термоядерном реакторе 21
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Куликов В. Б., Маслов Д. В., Сабиров А. Р., Барабанов А. Б., Кацавец Н. И., Чалый В. П., Шуков И. В. Фотоприёмное устройство на основе матрицы nBn фотодиодов, чувствительных в спектральном диапазоне 3–5 мкм 27
Мирофянченко А. Е., Мирофянченко Е. В., Лаврентьев Н. А., Попов В. С. Пассивация фоточувствительных элементов InSb (100) анодным окислением в растворе сульфида натрия с предварительным сульфидированием поверхности 33
Тургунов Н. А., Беркинов Э. Х., Мамажонова Д. Х. влияние термической обработки кремния, легированного никелем, на его электрические свойства 40
Средин В. Г., Сахаров М. В., Запонов А. Э., Конради Д. С., Кузнецов И. В., Глазунов В. А., Серяков Ю. Д. Моделирование воздействия импульсного лазерного излучения на матричный двухдиапазонный CdxHg1-xTe фотоприемник в программном пакете суперкомпьютерного моделирования ЛОГОС 46
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Калмыков Р. М., Кармоков А. М., Шомахов З. В., Кармокова Р. Ю. Влияние примеси CdSe на температурные зависимости термоэлектрических свойств сплавов PbTe 52
Фомин А. И., Панькин Н. А. Рентгенографическое исследование поверхности после восстановления электроконтакт-ной приваркой ленты 57
Гаджимагомедов С. Х., Муслимов А. Э. Влияние вакуумного отжига на электрические свойства кристаллов 6H-SiC 63
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Гавриш С. В., Кугушев Д. Н., Пугачев Д. Ю., Пучнина С. В., Шашковский С. Г. Повышение удельной мощности импульсных ксеноновых газоразрядных ламп 69
Гибин И. С., Котляр П. Е. Матричный оптико-акустический приемник ТГц излучения с нанооптоэлектромеханическими элементами на основе перфорированного SLG графена 76
Лебёдкин И. Ф., Молотков А. А., Третьякова О. Н. Разработка промышленной технологии селективного лазерного плавления 83
Смирнов А. В., Кочаков В. Д. Влияние погодных факторов на работу солнечной электростанции на тонкопленочных фотоэлектрических модулях 90
Другие статьи выпуска
Работа посвящена разработке программного комплекса для реализации промышленной технологии селективного лазерного сплавления. Разработанный программный комплекс позволяет решать задачи организации эффективного производственного цикла исследования и изготовления технически сложных изделий аэрокосмической, медицинской и машиностроительной отраслей промышленности, производство которых требует высокого уровня технической оснащённости производства, больших расходов, высокой точности изготовления. В работе представлена краткая характеристика и общий алгоритм работы нескольких программных модулей, входящих в состав программного обеспечения установки селективного лазерного сплавления МЛ6. Продемонстрированы практические результаты их применения.
В работе для повышения предельной величины удельной мощности разряда импульсной ксеноновой лампы предлагается произвести замену кварцевого стекла, используемого в качестве материала оболочки, на сапфир. Доказывается более высокая стойкость сапфира к термическим напряжениям, воздействию ударной волны и внутреннего давления разряда. Выполнен расчет конструкции токовводов в сапфировую оболочку импульсной ксеноновой лампы.
В работе исследовано влияние процесса термодеструкции в вакууме при температуре 1300 оС на электрофизические свойства кристаллов 6H-SiC. Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления кристаллов 6H-SiC до и после обработки. Установлено, что удельное сопротивление кристаллов при этом возрастает многократно (в 300 раз). Показано, что в результате обработки на поверхности 6H-SiC формируются графеновые слои, а система n-SiC-графен представляет собой диод Шоттки.
Представлены результаты рентгенографического исследования стали 20Х после модификации её поверхности электроконтактной приваркой ленты из стали 50ХФА. Приведены данные о фазовом составе и параметрах рентгеновских дифракционных линий (ширине и интегральной интенсивности). Они свидетельствуют о пространственной неравновесности процесса электроконтактной приварки, проявляющейся в изменениях напряженного состояния и параметрах субструктуры. Фазовый состав модифицированной поверхности представлен двумя кристаллографическими фазами: – Fe и – Fe.
В работе проведены исследования влияния структурных и фазовых изменений на температурные зависимости термоэлектрических свойств сплавов на основе PbTe, содержащих CdSe различных мольных концентраций. Исследования показали, что при минимальном значении параметра решетки образующихся новых фаз в матрице PbTe (при концентрации примеси 0,5 мол. %) имеют минимальное значение удельная электропроводность и коэффициент термо-ЭДС. Дальнейшее увеличение концентрации добавляемой примеси приводит к увеличению этих параметров.
Для анализа закономерностей эволюции тепловых полей в двухдиапазонном CdxHg1-xTe матричном фотоприемнике при воздействии на него интенсивного лазерного излучения построена имитационная модель, разработанная в пакете программ инженерного анализа и суперкомпьютерного моделирования ЛОГОС. Приводятся результаты вычислительных экспериментов, полученных с её использованием, и их анализ.
В работе рассмотрено влияние термической обработки, при температурах T = 573–1073 К, на электрические свойства монокристаллов кремния, содержащих микровключения примесных атомов никеля. Изучено влияние термической обработки на удельное сопротивление монокристаллов кремния, легированного никелем. С помощью электронно-зондового микроанализа получены изображения примесных микровключений никеля до и после воздействия термической обработки.
Исследованы C-V характеристики МДП-структур, изготовленных на основе антимонида индия и диэлектрического покрытия, полученного методом анодного окисления в растворе Na2S в двухстадийном режиме. Сформированное покрытие обладает высоким качеством с низкой плотностью быстрых и медленных поверхностных состояний. Рассчитанные значения Dit и NF составили 21011 см-2 эВ-1 и 9,21010 см-2, соответственно. Изучена зависимость величины гистерезиса от напряжения. Проведение предварительного сульфидирования в растворе (NH4)2S – этиленгликоль позволило значительно уменьшить величину гистерезиса и на 25 % снизить плотность состояний на границе раздела. Значение среднеарифметической шероховатости, Ra, после анодирования увеличилось с 0,6 нм до 0,9 нм, но при этом предварительное сульфидирование не оказывает существенного влияния на данный параметр. Сформированное диэлектрическое покрытие обладает достаточной сплошностью пленки для ее применения в качестве пассивирующего покрытия фоточувствительных элементов (ФЧЭ) InSb.
Представлены результаты разработки матричного фотоприёмного устройства (ФПУ) с фотоприёмником на основе nBn фотодиодов, обладающих чувствительностью в спектральном диапазоне 3–5 мкм. Структуры для изготовления nBn фотодиодов с активным слоем InAs1-хSbх и барьерным слоем AlAs1-ySby выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaSb. Матричный фотоприёмник имел формат 640512 элементов с шагом 20 мкм. Показано, что разработанное ФПУ может обеспечивать достижение требуемых пороговых характеристик чувствительности при повышенных рабочих температурах. Достигнутое значение эквивалентной шуму разности температур составило около 0,02 К при температуре фотоприёмника не ниже 130 К.
В работе исследована эволюция пылинок из различных материалов, используемых в термоядерных энергетических установках, построена модель для описания пылеобразования. В модели учитывались термохимические, электрические и другие свойства материалов стенок термоядерного реактора. Показано, что доминирующим процессом, приводящим к уменьшению массы пылинки, является термическое испарение, которое определяется давлением насыщенного пара при температуре теплового равновесия. Получены оценки времени жизни пылинок из разных материалов в зависимости от параметров плазмы. Представленные результаты могут быть полезны для оценки длины проникновения пылевых частиц в глубину реактора. Показана разница в динамике частиц из легких и тяжелых элементов. Из рассмотренных четырех эле-ментов (Be, Ni, Mo и W), пылинки из никеля демонстрируют наиболее высокую прони-кающую способность из-за длительного времени жизни и умеренного веса.
Установлена возможность применения открытого коаксиального СВЧ-резонатора, как элемента инжектора потока плазмы с ускоренными ионами. Представлены схема плазменного инжектора, состоящего из открытого коаксиального резонатора и дополнительного кольцевого электрода, а также характерные зависимости спектров энергии ионной компоненты плазмы от потенциала на кольцевом электроде для фиксированных значений массового расхода газа (аргон) и вводимой в резонатор СВЧ-мощности.
Рассмотрена задача осаждения наночастиц в жидкости под действием сил светового давления. Определена зависимость концентрации наночастиц в жидкости от координаты, вдоль которой на частицы действует постоянная сила. Результат получен с учетом отталкивания наночастиц без учета их притяжения друг к другу. Показано, что найденная зависимость может существенно отличаться от полученной в рамках модели идеального газа наночастиц.
В данной работе рассмотрено совместное воздействие неустойчивости Кельвина-Гельмгольца и магнитно-гидродинамической неустойчивости на цилиндрический столб расплавленного металла, а также формирование и отрыв жидкой капли от него в зависимости от времени. Метод определения неустойчивости поверхности цилиндрического столба жидкости с плотностью и динамической вязкостью окруженного газовой средой. Целью настоящей работы является определение входных параметров, при которых реализуется микрометровый диапазон длин волн возмущений. Определены условия возникновение и развитие на поверхности жидкого металла тонких жидких прослоек с поверхностно-периодическим рельефом (микроволны) микро- и нанометрового диапазона, возникающего при подаче металлических проволок в зону гетерогенной плазмы электрической дуги в условиях действия неустойчивостей Кельвина-Гельмгольца. Установлено, что для силы тока 100 А и для 300 А сила Лоренца не оказывает никакого влияния на гидродинамику неустойчивости. При скоростях 6 м/с поверхность устойчива и тока 300 А недостаточно для формирования неустойчивости. Для развития МГД неустойчивости необходимы силы тока порядка 1000 А. Определено, что основную роль в разрушении струи на капли играет – возмущение коэффициента поверхностного натяжения, т. е. термокапиллярный эффект.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400