ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Гистерезис электрических характеристик светоизлучающих структур на основе InGaN/GaN после импульсного воздействия (2023)

Читать онлайн

Исследуется изменение электрических характеристик светодиодных структур на основе InGaN/GaN, вызванное протеканием тока большой величины в импульсном режиме. Обнаружено устойчивое переключение между высокопроводящим (резистивным) и низкопроводящим (диодным) состояниями, сопровождающееся сменой механизма токопереноса. В качестве основного механизма переключения рассматривается перемещение подвижных дефектов и образование проводящих нитей (каналов) в области пространственного заряда.

Object of study. The Taiwan Oasis Technology Co., Ltd blue glow CD (lmax = 468 nm at room temperature) based on InGaN solid solution was studied. The purpose of the study. The problem of the influence of InGaN/GaN LED defects on electrical and optical characteristics has become most acute in connection with the development of programs for the creation of solid-state energy-saving lighting. An analysis of the literature has shown, on the one hand, the participation of defects in the rapid development of the degradation process, accompanied by a decrease in the efficiency of the structure, on the other hand, defects can lead to the observation of a switching phenomenon similar to modern RERAMS. Thus, studying the behavior of defects stimulated by pulsed current in InGaN/GaN-based LEDs is an urgent task. The purpose of this work is to study the effect of pulsed current on the electrical characteristics of InGaN/GaN-based LEDs. Methods and approaches used. The article discusses the reverse and forward volt-ampere characteristics of structures before and after the pulse action, measured switching on and off of the sample. The main results. A stable switching between high-conducting (resistive) and low-conducting (light-emitting) states was found, accompanied by a change in current transfer mechanisms. The movement of mobile defects and the formation of conductive filaments (channels) in the region of spatial charge is considered as the main switching mechanism.

Ключевые фразы: светодиод, квантовая яма, токоперенос, эффект проводящей нити, LED, quantum well, current transfer, conductive filament effect
Автор (ы): Потанахина (Вострецова) Любовь Николаевна
Соавтор (ы): Рибенек Валерия Александровна, Вострецов Дмитрий Ярославович
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

УДК
538.935. электронные
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2023-1-49-55
eLIBRARY ID
50335522
Для цитирования:
ПОТАНАХИНА (. Л., РИБЕНЕК В. А., ВОСТРЕЦОВ Д. Я. ГИСТЕРЕЗИС ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ INGAN/GAN ПОСЛЕ ИМПУЛЬСНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2023. №1
Текстовый фрагмент статьи