Исследуется изменение электрических характеристик светодиодных структур на основе InGaN/GaN, вызванное протеканием тока большой величины в импульсном режиме. Обнаружено устойчивое переключение между высокопроводящим (резистивным) и низкопроводящим (диодным) состояниями, сопровождающееся сменой механизма токопереноса. В качестве основного механизма переключения рассматривается перемещение подвижных дефектов и образование проводящих нитей (каналов) в области пространственного заряда.
Object of study. The Taiwan Oasis Technology Co., Ltd blue glow CD (lmax = 468 nm at room temperature) based on InGaN solid solution was studied. The purpose of the study. The problem of the influence of InGaN/GaN LED defects on electrical and optical characteristics has become most acute in connection with the development of programs for the creation of solid-state energy-saving lighting. An analysis of the literature has shown, on the one hand, the participation of defects in the rapid development of the degradation process, accompanied by a decrease in the efficiency of the structure, on the other hand, defects can lead to the observation of a switching phenomenon similar to modern RERAMS. Thus, studying the behavior of defects stimulated by pulsed current in InGaN/GaN-based LEDs is an urgent task. The purpose of this work is to study the effect of pulsed current on the electrical characteristics of InGaN/GaN-based LEDs. Methods and approaches used. The article discusses the reverse and forward volt-ampere characteristics of structures before and after the pulse action, measured switching on and off of the sample. The main results. A stable switching between high-conducting (resistive) and low-conducting (light-emitting) states was found, accompanied by a change in current transfer mechanisms. The movement of mobile defects and the formation of conductive filaments (channels) in the region of spatial charge is considered as the main switching mechanism.
Идентификаторы и классификаторы
- Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2023-1-49-55
- eLIBRARY ID
- 50335522
Таким образом, исследована возможность переключения резистивных состояний светодиодных структур InGaN/GaN модифицированных с помощью импульсного воздействия. На вольт-амперных и вольтфарадных характеристиках исследуемого СД было обнаружено явление гистерезиса. В качестве возможного механизма, ответственного за обнаруженное резистивное переключение, было рассмотрено образование проводящих нитей, связанных с перемещением подвижных дефектов в область пространственного заряда.
Список литературы
-
Бочкарева Н. И., Шретер Ю. Г. / Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. Вып. 7. С. 796–803.
-
Бочкарева Н. И., Ребане Ю. Т., Шретер Ю. Г. / Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. Вып. 8. С. 1107–1116.
-
Pavesi M., Manfredi M., Rossi F., Meneghini M., Zanoni E., Zehnder U. / Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89.
Р. 041917. -
Peter M., Laubsch A., Bergbauer W., Meyer T., Sabathil M., Baur J. / Phys. Status Solidi A. 2009. Vol. 206.
Р. 1125. -
Bochkareva N. I., Rebane Y. T., Shreter Y. G. / Appl. Phys. Lett. 2013. Vol. 103. Р. 191101.
-
Бочкарева Н. И., Ребане Ю. Т., Шретер Ю. Г. / Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. Вып. 12. С. 1714–1719.
-
Kumar D., Aluguri R., Chand U., Tseng T. Y. / Ceramics International. 2017. Vol. 43. P. S547–S556.
-
Zahoor F., Zainal T., Zulkifli A., Khanday F. A. / Nanoscale Research Letters. 2020. Vol. 15. Р. 90.
-
Kim J., Jung K., Kim Y., Jo Y., Cho S., Woo H., Lee S. O., Inamdar A. I., Hong J., Lee J. K., Kim H. / Scien-tific Reports. 2016. Vol. 6. P. 23930.
-
Kaswan J., Shukla A. K., Kumar A. / RSC Ad-vances. 2017. Vol. 7. Is. 85. P. 54111–54116.
-
Chen Yi., Song H., Jiang H., Li Zh., Zhang Zh., Sun X., Lia D., Miao G. / Appl. Phys. Lett. 2014. Vol. 105. P. 193502.
-
Nagase M., Takahashi T., Shimizu M. / Phys. Status Solidi A. 2021. Vol. 218. Is. 3. P. 2000495.
-
Zhang L., Zhu L., Li X., Xu Z., Wang W., Bai X. / Scientific Reports. 2017. Vol. 7. P. 45143.
-
Chang C.-W., Tan W.-C., Lu M.-L., Pan T.-C., Yang Y.-J., Chen Y.-F. / Scientific Reports. 2014. Vol. 4.
P. 5121. -
Liou Y.-R., Haider G., Cai S.-Y., Wu C.-L., Chen Y.-F. / Advanced Optical Materials. 2016. Vol. 4. Is. 11. P. 1744–1749.
-
Young Ran Park, Won Kook Choib, Young Joon Hong / Current Applied Physics. 2019. Vol. 19. Is. 2.
P. 102–107. -
Zheng K., Zhao J. L., Zhang Z. H., Ji Y., Zhu B. B., Tan S. T., Demir H. V., Teo K. L., Sun X. W. / IEEE Transactions on electron devices. 2016. Vol. 63. Is. 6. P. 2328–2333.
-
Fu K., Fu H., Huang X., Yang T.-H., Chen H., Baranowski I., Montes J., Yang C., Zhou J., Zhao Y. / IEEE Electron Device Letters. 2019. Vol. 40. Is. 3. Р. 1–1.
-
Батавин В. В., Концевой Ю. А., Федоро-вич Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. – М.: «Радио и связь», 1985.
-
Вострецов Д. Я., Вострецова Л. Н., Смирно-ва Т. С., Дмитриев Д. П. / Известия Саратовского уни-верситета. Новая серия. Серия: Физика. 2021. Т. 21. № 4. С. 372–380.
-
Булярский С. В., Рудь Ю. В., Вострецо-ва Л. Н., Кагарманов А. С., Трифонов О. А. / Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. Вып. 4. С. 460–466.
-
Булярский С. В., Вострецова Л. Н., Гаври-лов С. А. / Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. Вып. 1. С. 106–111.
-
Buckeridge J., Catlow C. R. A., Scanlon D. O., Keal T. W., Sherwood P., Miskufova M., Walsh A., Wood-
ley S. M., Sokol A. A. / Phys. Rev. Lett. 2015. Vol. 114.
P. 016405-1–016405-5.
- Bochkareva N. I. and Schroeter Yu. G., Semiconductors 52 (7), 934–941 (2018) [in Russian].
- Bochkareva N. I., Rebane Y. T. and Schroeter Y. G., Semiconductors 48 (8), 1079–1087 (2014) [in Russian].
- Pavesi M., Manfredi M., Rossi F., Meneghini M., Zanoni E., Zehnder U. and Strauss U., Appl. Phys. Lett. 89, 041917 (2006).
- Peter M., Laubsch A., Bergbauer W., Meyer T., Sabathil M. and Baur J., Phys. Status Solidi A 206, 1125 (2009).
- Bochkareva N. I., Rebane Y. T. and Shreter Y. G., Appl. Phys. Lett. 103, 191101 (2013).
- Bochkareva N. I., Rebane Y. T. and Schroeter Y. G., Semiconductors 49 (12), 1665–1670 (2015) [in Russian].
- Kumar D., Aluguri R., Chand U. and Tseng T. Y., Ceramics International 43, S547–S556 (2017).
- Zahoor F., Zainal T., Zulkifli A. and Khanday F. A., Nanoscale Research Letters 15, 90 (2020).
- Kim J., Jung K., Kim Y., Jo Y., Cho S., Woo H., Lee S. O., Inamdar A. I., Hong J., Lee J. K. and Kim H., Scientific Reports 6, 23930 (2016).
- Kaswan J., Shukla A. K. and Kumar A., RSC Advances 7 (85), 54111–54116 (2017).
Выпуск
Другие статьи выпуска
Рассмотрены особенности генерации нейтронного излучения небольшими камерами плазменного фокуса при работе в составе субкилоджоульного нейтронного генератора с запасаемой энергией от 200 до 1000 Дж. Амплитуда разрядного тока через камеры составляла от 100 до 200 кА, при этом обеспечивается выход нейтронов с энергией 2,5 МэВ на уровне 105–107 нейтр./имп. Приведены экспериментальные исследования оптимальных режимов работы камер в составе субкилоджоульного генератора для обеспечения максимального уровня выхода нейтронов. Изучена стабильность генерации нейтронного излучения, в частности показано, что введение примеси Ar парциальным давлением 0,5¸0,8 Торр в объеме камеры приводит к снижению относительного среднего квадратического отклонения выхода нейтронов на камерах плазменного фокуса с дейтериевым наполнением.
Впервые создан плазменный мазер, работающий по принципу СВЧ-генератора на линии с магнитной самоизоляцией (magnetically insulated transmission line oscillator, MILO). Для получения одиночных импульсов напряжения 550 кВ и длительностью 3 нс использовался генератор с импедансом 33 Ом. Малая длительность импульса определяла режим работы мазера – сверхширокополосное усиление шума в полосе частот от 0,6 до 5 ГГц. Максимальное измеренное электрическое поле волны соответствовало мощности излучения свыше 500 МВт.
Пористые слои полупроводниковых оксидных материалов привлекают все большее внимание как потенциальные материалы для использования в различных приложениях, требующих большой удельной поверхности (катализаторы, датчики, суперконденсаторы, фотоэлектрохимические преобразователи энергии и др.). В работе пред-ложен двухстадийный способ формирования микропористых слоев ZnO, заключающийся в предварительном формировании композитных слоев ZnO–Zn и последующем их вакуумном отжиге. На основании данных рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии, рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии показано, что часовой вакуумный отжиг композитных слоев при 400 оC приводит к полному удалению избыточного цинка, в результате чего формируются слои ZnO с микропористой структурой.
Описаны результаты эксперимента по осаждению тонкопленочного магнито-диэлектрического покрытия при последовательном электронно-лучевом испарении в гелии и кислороде форвакуумного диапазона давлений (5 Па) мишени из стали и алюмооксидной керамики. Методом ферромагнитного резонанса продемонстрировано наличие у покрытия магнитных свойств, рентгенографическое исследование под-твердило наличие в покрытии магнитного оксида Fe3O4, а измеренные оптическим профилометром толщины покрытий составили 3–6 мкм.
Исследованы температурные зависимости удельной электропроводности и на основе уравнений Максвелла проведена оценка вклада образующихся новых фаз в общую про-водимость полученных сплавов в диапазоне температур 460–720 К. Обнаружено, что в сплавах с примесями от 5 мол. % до 10 мол. % Еа не меняется и составляет 0,11 эВ. Также получено значение энергии активации проводимости PbTe при комнатной температуре, Еа = 0,36 эВ, которое хорошо согласуется с литературными данными.
Рассматриваются особенности измерения порогового потока сканирующих ИК ФПУ при проецировании в плоскость матрицы фоточувствительных элементов изображения малоразмерного объекта, показано, что существующая методика измерения порогового потока ИК ФПУ не позволяет получить корректный результат без учёта формы и размеров фоточувствительного элемента (ФЧЭ). Описана новая методика оценки формы и размеров ФЧЭ, основанная на применении итерационного метода деконволюции Ричардсона-Люси. Представлены результаты применения предложенной методики на реальных фотоприёмных модулях (ФМ). Обнаружены существенные отличия в размерах ФЧЭ разных субматриц ФМ. Предложено использовать изображение горизонтальной щели для коррекции неравномерности вольтовой чувствительности.
Приведены результаты разработки модуля мощного фотодетектора СВЧ диапазона для использования в волоконно-оптических системах передачи аналогового сигнала на длинах волн оптической несущей 1,31 и 1,55 мкм. Модуль фотодетектора выполнен в герметичном корпусе. Диапазон рабочих частот фотодетектора составляет от 0 до 16 ГГц. Для изготовления модуля был использован мощный фотодиод на основе гетероструктуры InGaAs/InAlAs/InP, обеспечивающий максимальную мощность входного оптического излучения более 60 мВт при чувствительности 0,8 А/Вт.
Приводятся результаты экспериментальных исследований интенсивности собственного вакуумного ультрафиолетового (ВУФ) излучения разряда в водороде, поддерживаемого в открытой магнитной ловушке мощным излучением гиротрона (частотой f = 28 ГГц и мощностью до Pgyr = 5 кВт) в условиях электронного циклотронного резонанса (ЭЦР) в непрерывном режиме. Были определены параметры, соответствующие оптимальным условиям генерации ВУФ-излучения плазмой ЭЦР-разряда. Показано, что мощность излучения в диапазоне l = 120–160 нм достигает W = 0,75 кВт, что соответствует эффективности в h = 20 %.
Изготовлена наноструктурированная керамика состава YBCO с заданной плотностью и оптимально насыщенная кислородом. Изучено влияние плазменной обработки в течение 60 сек на структуру и свойства поверхности мишени YBCO, расположен-ной на расстоянии 20 мм от среза сопла плазмотрона. Определены тепловые потоки, передаваемые плазмой при различных значениях силы тока, расхода газа и расстояния от среза сопла. Представлены результаты исследований структуры и свойств образца до и после воздействия. Установлено, что начало перехода в сверхпроводящее состояние (Тс,нач) для образцов, до и после воздействия плазмы, осталось неизменной и составляет 91 К.
Приведены данные по экспериментам с разрядами над диэлектриками в виде порошка из Al2O3. Разряды развивались под верхним электродом в виде иглы, или набора игл.
Приведены данные по экспериментам с разрядами над диэлектриками в виде порошка из Al2O3. Разряды развивались под верхним электродом в виде иглы, или набора игл.
В качестве нижнего электрода использовалась кювета, заполненная дисперсным веществом, к которой подводилось заземление. На поверхности порошка появляется воронка (воронки), или сложные остроконечные структуры, более сложные фигуры, и др. под действием гидродинамических потоков.
Исследованы особенности работы разрядной системы на основе планарного магнетрона с дополнительной инжекцией электронов и коническим отражающим электродом. Инжекция электронов осуществлялась из тлеющего разряда с полым катодом, размещенным с обратной стороны мишени. Мишень магнетронного разряда диаметром 125 мм была выполнена из меди. Давление рабочего газа (аргон) варьировалось в диапазоне от 3 до 0,5 мТорр. Разряды функционировали в непрерывном режиме. Представлены результаты влияния отражающего электрода на радиальную однородность генерируемой плазмы, а также степень его распыления. Исследовано влияние рабочего давления на радиальную однородность, поверхностную и фазовую структура осаждаемых пленок меди.
Рассмотрены методы обработки акустического сигнала полученного при оптоакустическом эффекте в жидкости. Предложена 12-ти слойная сверточная нейронная сеть, обученная путем минимизации потерь среднего квадратного отклонения. Обработан экспериментально полученный акустический сигнал полученный при оптоакустическом эффекте. Рассмотрена схема решения обратной задачи оптоакустической реконструкцией изображений. Результаты исследования показывают, что нейронная сеть с глубоким обучением, с помощью обучения на основе самоконтроля, может достичь более высокой точности реконструкции с меньшими временными.
Экспериментально и методом компьютерного моделирования исследованы спектры резонансного рассеяния основных низших мод диэлектрического цилиндра, возбуждаемого линейно поляризованной электромагнитной волной ГГц диапазона частот.
В полученных спектрах в ГГц диапазоне частот наблюдаются резонансы магнитного и электрического диполя и квадруполя. Вихревые токи смещения в диэлектрике приводят к возникновению магнитного диполя и возникновению отрицательной магнитной восприимчивости в области основного резонанса. Результаты эксперимента и численного моделирования хорошо совпадают.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400