Книга: Электронные свойства легированных полупроводников
В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов.
К этим явлениям относятся андерсоновская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической проводимости к активационной при изменении степени легирования и компенсации, оптические явления, связанные с хвостами плотности состояний. Современный подход к указанным проблемам в значительной мере основан на теории протекания.
В книге дается первый в монографической литературе обзор этой новой математической дисциплины. Детально обсуждается основанный на теории протекания метод вычисления электропроводности сильно неоднородных сред.
Систематически излагается теория прыжковой проводимости, построения с помощью этого метода. Большое внимание уделяется ее постановке и подтверждению экспериментом. Обсуждаются нерешенные проблемы теории.
Информация о документе
- Формат документа
- PDF, DJVU
- Кол-во страниц
- 416 страниц
- Загрузил(а)
- Лицензия
- —
- Доступ
- Всем
- Просмотров
- 31
Предпросмотр документа
Информация о книге
- Издательство
- Наука
- Год публикации
- 1979
- Каталог SCI
- Физика
- ББК
- 22.3. Физика
- УДК
- 53. Физика