Книга: Электронные свойства легированных полупроводников

В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов.

К этим явлениям относятся андерсоновская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической проводимости к активационной при изменении степени легирования и компенсации, оптические явления, связанные с хвостами плотности состояний. Современный подход к указанным проблемам в значительной мере основан на теории протекания.

В книге дается первый в монографической литературе обзор этой новой математической дисциплины. Детально обсуждается основанный на теории протекания метод вычисления электропроводности сильно неоднородных сред.

Систематически излагается теория прыжковой проводимости, построения с помощью этого метода. Большое внимание уделяется ее постановке и подтверждению экспериментом. Обсуждаются нерешенные проблемы теории.

Информация о документе

Формат документа
PDF, DJVU
Кол-во страниц
416 страниц
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем
Просмотров
31

Предпросмотр документа

Информация о книге

Издательство
Наука
Год публикации
1979
Автор(ы)
Шкловский Б.И., Эфрос А.Л.
Каталог SCI
Физика