Статья: Оптические и электрофизические свойства барьерно-диодной гетероструктуры на основе InSb

Скачать

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InSb(100) получена барьерно-диодная (nBn) структура с униполярным барьером In0,8Al0,2Sb. Кристаллическое совершенство структуры и её соответствие номинально заложенному дизайну подтверждено с помощью рентгеноструктурного анализа. Электронная подсистема полученной nBn-структуры охарактеризована с помощью измерений микроскопии растекания тока на сколе (011).

Информация о документе

Формат документа: PDF
Кол-во страниц: 1 страница
Загрузил(а): Савин Константин
Лицензия: —
Доступ: Всем
Просмотров: 6

Информация о статье

ISSN: 1996-0948
EISSN: 2949-561X
Журнал: Прикладная физика
Год публикации: 2024
Автор(ы): Савин К. А., Минаев И. И., Клековкин А. В., Ерошенко Г. Н., Николаев С. Н., Пручкина А. А., Пашкеев Д. А., Свиридов Д. Е.
УДК: 538.915. Электронные состояния и электронные структуры