Патент: CПОСОБ ЛАЗЕРНОГО МОДИФИЦИРОВАНИЯ СТЕКЛА

Информация о документе

Вид патента
Изобретение
Кол-во страниц
10 страниц
Загрузил(а)
Проект “КВАРЦ”

Информация о патенте

(11) Номер
2707626
(45) Опубликовано
28 ноября 2018
(56) Список документов цитированных в отчете о поиске

RU 2640836 C1, 12.01.2018. RU
2616958 C1, 18.04.2017. RU 2640606 C1,
10.01.2018. RU 2598011 C1, 20.09.2016. RU
2288196 C1, 27.11.2006. US 9346706 B2,
24.05.2016.

(72) Автор(ы)
Сигаев Владимир Николаевич Ветчинников Максим Павлович Шахгильдян Георгий Юрьевич
(73) Патентообладатель
РХТУ им. Д.И.Менделеева
Реферат

Изобретение относится к способу
модифицирования структуры стекла под
действием лазерного пучка для формирования
люминесцирующих микрообластей и может быть
использовано для многократной перезаписи и
хранения информации. В силикатном стекле,
содержащем сульфид кадмия, записывают
микрообласть при локальном облучении
фемтосекундными лазерными импульсами с
длиной волны в ближнем инфракрасном
диапазоне, с энергией лазерных импульсов в
пределах 100-400 нДж, длительностью лазерных
импульсов 180-600 фс, частотой следования
лазерных импульсов в пределах 100-1000 кГц. Для
фокусировки лазерного пучка применяют
объектив с числовой апертурой 0,45-0,85. Далее
возможно стирание записанной микрообласти
путем ее сканирования фемтосекундным
лазерным пучком или перемещения стекла
относительно сфокусированного пучка по
траектории, которая задается скоростью
перемещения в диапазоне 10-30 мкм/с, диаметром
в диапазоне 30-100 мкм и частотой осцилляций
вдоль оси, перпендикулярной направлению
перемещения, в плоскости, перпендикулярной
направлению падения записывающего лазерного
пучка, равной 20 Гц. Для стирания используется
лазерный пучок с длиной волны в ближнем
инфракрасном диапазоне, с энергией лазерных
импульсов в пределах 100-400 нДж,
длительностью лазерных импульсов 180-600 фс,
частотой следования лазерных импульсов в
пределах 50-500 кГц при фокусировке лазерного
пучка объективом с числовой апертурой 0,45-0,85.
В стертой области возможна повторная запись
микрообластей при локальном облучении
фемтосекундными лазерными импульсами с
длиной волны в ближнем инфракрасноиапазоне и параметрами лазерного пучка,
используемыми при записи исходных
микрообластей. Технический результат -
возможность создания долговечной оптической
памяти с возможностью перезаписи.

Формула изобретения

Способ лазерного модифицирования стекла для записи информации, включающий
локальное облучение стекла сфокусированными фемтосекундными лазерными
импульсами с длиной волны в ближнем инфракрасном диапазоне, а для фокусировки
лазерного пучка применяют объектив с числовой апертурой 0,45-0,85, с формированием
люминесцирующих микрообластей, отличающийся тем, что для облучения используют
силикатное стекло состава мас. %: 0,5-4 CdS, 22-23 K2O, 19-20 ZnO, 3-4 B2O3, 50-53 SiO2,
на которое воздействуют сфокусированными фемтосекундными лазерными импульсами
с энергией 100-400 нДж, длительностью лазерных импульсов 180-600 фс, частотой
следования лазерных импульсов 100-1000 кГц с формированием микрообластей
диаметром 1-30 мкм, обладающих люминесценцией в спектральном диапазоне 430-800
Стр.: 8
RU 2 707 626 C1
5
10
15
20
25
30
35
40
45
нм при возбуждении люминесценции излучением с длиной волны 400-410 нм, затем
записанную микрообласть обрабатывают сфокусированными фемтосекундными
лазерными импульсами с длиной волны в ближнем инфракрасном диапазоне, с энергией
лазерных импульсов 100-400 нДж, длительностью лазерных импульсов 180-600 фс,
частотой следования лазерных импульсов 50-500 кГц, при одновременном перемещении
стекла относительно сфокусированного пучка по криволинейной траектории, со
скоростью перемещения ν в диапазоне 10-30 мкм/с, диаметром d в диапазоне 30-100
мкм и частотой осцилляций вдоль оси, перпендикулярной направлению перемещения,
в плоскости, перпендикулярной направлению падения записывающего лазерного пучка,
равной 20 Гц, затем повторно воздействуют сфокусированными фемтосекундными
лазерными импульсами с длиной волны в ближнем инфракрасном диапазоне и
параметрами лазерного пучка, используемыми при записи исходных микрообластей

Каталог SCI
Электроника