Книга: Безизлучательная рекомбинация в полупроводниках
В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрены: феиоменологическая теория рекомбинации; теоретические модели мелких и глубоких центров; каскадная модель захвата на притягивающие центры; захват, ограниченный диффузией; многофононные процессы; оже-процессы; влияние постоянных и переменных электрических полей на процессы рекомбинации и термической ионизации. Кратко рассмотрены рекомбинационные процессы в полупроводниковых квантовых структурах. Результаты теории сопоставляются с экспериментальными данными.
Для научных работников, преподавателей университетов, аспирантов и студентов.
Информация о документе
- Формат документа
- Кол-во страниц
- 374 страницы
- Загрузил(а)
- Баженова Вероника
- Лицензия
- —
- Доступ
- Всем
Информация о книге
- ISBN
- 5867631117
- Издательство
- ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Год публикации
- 1997
- Библиографическая запись
-
С.-Петербург: Издательство «Петербургский институт ядерной физики им. Б. П.Константинова РАН», 1997. 376 стр., ил.