Статья: Рекомбинация носителей заряда через мелкие уровни бора в кремнии при низких температурах
В данной работе изучен процесс рекомбинации носителей через мелкие примесные центры бора в кремнии при низких температурах. Основное внимание было уделено теоретическому объяснению «эмпирических» температурных зависимостей времени жизни (T) носителей в интервале температур (1,74,2) K при концентрациях легирующей примеси nB 1014 см-3 и компенсацией 10 % (nD + nA 1013 см-3). Довольно точно удалось установить, что мелкий возбужденный уровень с энергией связи 5 мэВ (3s-состояние) является почти резонансным. Получены приближенные формулы для коэффициента резонансного захвата.
Информация о документе
- Формат документа
- Кол-во страниц
- 1 страница
- Загрузил(а)
- Лицензия
- —
- Доступ
- Всем