Статья: Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя Х-диапазона на гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN на подложке SiC

Разработана конструкция монолитной интегральной схемы (МИС) малошумящего усилителя диапазонов частот 8–12 ГГц. МИС усилителя изготовлена на гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN на подложке SiC. Приведены результаты измерений параметров МИС.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
2307-4469
EISSN
2949-5636
Журнал
Успехи прикладной физики
Год публикации
2018
Автор(ы)
Гамкрелидзе С. А., Ильков В. К., Лисицкий А. П., Савельев Ю. Н.
Каталог SCI
Физика