SciNetwork
  • Поиск
  • Библиотека 446
  • Журналы 15
  • Организации 27
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Формулы
  • Вход
Найти:
Войти Регистрация
Рабочий стол Мои работы Моя библиотека Мои сообщения Мои контакты Мои группы Мои конференции Мои фотографии Добавить Мои формулы Мой словарь Мои закладки
Чтобы продолжить, войдите в аккаунт или зарегистрируйтесь.
Приложение
на телефон

Комаровский Никита Юрьевич

Автор, Участник конференций, Докладчик конференций
Город
Москва
Места работы
МИСИС
ГИРЕДМЕТ
SciID
0000000243
SPIN-код
0000-0030
ORCID
0000-0002-7869-7886
ResearcherID
NRX-9045-2025
Scopus Author ID
58510893300
РИНЦ Author ID
0001248206
ОНП
СВЕТОВАЯ МИКРОСКОПИЯ, ПЛОТНОСТЬ ДИСЛОКАЦИЙ, GaAs, aiiibv, арсенид галлия, метод Чохральского
Заходил
показать
Места работы
МИСИС
ГИРЕДМЕТ
ОНП
СВЕТОВАЯ МИКРОСКОПИЯ, ПЛОТНОСТЬ ДИСЛОКАЦИЙ, GaAs, aiiibv, арсенид галлия, метод Чохральского
5
работы
4
библиотека
0
блог
3
конференции
0
группы
0
контакты
Участник конференций: 3
06.02 / 06.02 2026 г. XV Научно-практическая конференция молодых ученых и специалистов АО "НПО "Орион"
Формат участия: Докладчик
07.02 / 07.02 2025 г. XIV Научно-практическая конференция молодых учёных и специалистов
Формат участия: Участник
29.05 / 31.05 2024 г. XXVII МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФОТОЭЛЕКТРОНИКЕ И ПРИБОРАМ НОЧНОГО ВИДЕНИЯ
Формат участия: Докладчик
Доклад: К вопросу о канальной неоднородности в монокристаллах InSb(Te), выращенных в различных кристаллографических направлениях
Работы Комаровского Н. Ю.: новые поступления
Измерение масштабов неоднородности размещения дислокационных ямок травления на цифровых изображениях монокристаллов GaAs
Статья
Измерение масштабов неоднородности разме…
Расчет частот смешанных плазмон-фононных мод для p-InSb и p-GaSb при Т = 295 К
Статья
Расчет частот смешанных плазмон-фононных…
Исследование распределения концентрации свободных электронов  вдоль оси монокристалла GaAs, легированного теллуром
Статья
Исследование распределения концентрации …
Обработка подложек InSb с достижением морфологии поверхности, пригодной для молекулярно-лучевой эпитаксии
Статья
Обработка подложек InSb с достижением мо…
Определение концентрации электронов по спектрам ИК-отражения в образцах n-GaAs, легированных теллуром и кремнием
Статья
Определение концентрации электронов по с…
Библиотека Комаровского Н. Ю.: новые поступления
Измерение масштабов неоднородности размещения дислокационных ямок травления на цифровых изображениях монокристаллов GaAs
Статья
Измерение масштабов неоднородности разме…
Метрологическое обеспечение цифровых измерений изображений неоднородности ямок травления в монокристаллах GaAs
Статья
Метрологическое обеспечение цифровых изм…
Исследование распределения концентрации свободных электронов  вдоль оси монокристалла GaAs, легированного теллуром
Статья
Исследование распределения концентрации …
Определение концентрации электронов по спектрам ИК-отражения в образцах n-GaAs, легированных теллуром и кремнием
Статья
Определение концентрации электронов по с…
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
Написать
Добавить в контакты
Другие действия
Пожаловаться
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2025
SciNetwork, © 2025
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.