Работа посвящена модернизации топологии планарных фотодиодных кристаллов (ФДК) из антимонида индия с целью обеспечения их стойкости к коротковолновому ( 1 мкм) облучению, а также экспериментальной оценке результатов модернизации. Показано, что стойкими к коротковолновому облучению при рабочих температурах (вблизи 77 К), являются такие ФДК, в контактные системы которых включены экраны, непрозрачные для коротковолнового излучения. Определены и экспериментально подтверждены требования к геометрическим параметрам, местоположению и электрическим связям экранов в контактной системе ФДК.
The work is devoted to modernization of topology planar photodiode crystals (PDC) from in-dium antimonide in order to ensure their resistance to shortwave ( 1 m) irradiation as well as experimental assessment of modernization results. It is shown that the PDC with contact systems including screens that are opaque for shortwave radiation are resistant to shortwave irradiation at working temperatures (near 77 K). The requirements to geometric parameters, location and electric relationships of screens in the PDC contact system have been identified and experimentally confirmed.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- Префикс DOI
- 10.51368/2307-4469-2022-10-5-440-446
- eLIBRARY ID
- 49616637