ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: О возможности принципиально новых, профильных фотоэлектрических эффектов в полупроводниках (2021)

Читать онлайн

Теоретически показано, что при определенных профилях неоднородности вдоль электрического поля плотности скорости фотогенерации носителей в полупроводниках могут проявиться три неожиданных эффекта. Это самоусиление и самогашение плотности скорости фотогенерации носителей и самоинверсия ее знака. Эффекты обусловлены локальным фотоиндуцированным объемным зарядом. Формы профилей зависят от параметров полупроводника, напряженности электрического поля и температуры. Приведены примеры для всех трех типов профилей.

Theoretically predicted that under specific nonuniform profiles of carrier photogeneration density along electric field in semiconductors three unexpected effects can occur. Those are self-amplification and self-quenching of charge carriers photogeneration rate density and self-inversion of its sign. The effects are due to the local photoinduced space charge. The shapes of profiles depend on semiconductor parameters, electric field strength in semiconductor and temperature. Examples of specific profiles for all three types of effects are given.

Ключевые фразы: фотоиндуцированный заряд, профиль фотогенерации, photoinduced space charge, photogeneration profile
Автор (ы): Холоднов Вячеслав Александрович
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383. Фотоэлектроника
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2021-4-47-51
eLIBRARY ID
46613383
Для цитирования:
ХОЛОДНОВ В. А. О ВОЗМОЖНОСТИ ПРИНЦИПИАЛЬНО НОВЫХ, ПРОФИЛЬНЫХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЭФФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2021. № 4
Текстовый фрагмент статьи