Теоретически показано, что при определенных профилях неоднородности вдоль электрического поля плотности скорости фотогенерации носителей в полупроводниках могут проявиться три неожиданных эффекта. Это самоусиление и самогашение плотности скорости фотогенерации носителей и самоинверсия ее знака. Эффекты обусловлены локальным фотоиндуцированным объемным зарядом. Формы профилей зависят от параметров полупроводника, напряженности электрического поля и температуры. Приведены примеры для всех трех типов профилей.
Theoretically predicted that under specific nonuniform profiles of carrier photogeneration density along electric field in semiconductors three unexpected effects can occur. Those are self-amplification and self-quenching of charge carriers photogeneration rate density and self-inversion of its sign. The effects are due to the local photoinduced space charge. The shapes of profiles depend on semiconductor parameters, electric field strength in semiconductor and temperature. Examples of specific profiles for all three types of effects are given.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2021-4-47-51
- eLIBRARY ID
- 46613383
Итак, специальное пространственное профилирование потока излучения открывает возможность регулирования фотоэлектрического отклика полупроводников (от большего, чем дает ПКН, уменьшения до увеличения сопротивления образца). Рассмотренные возможные новые фотоэлектрические эффекты обусловлены локальным фотовозбужденным зарядом плотностью, влияющим, естественно, на напряженность фотоиндуцированного электрического поля, где – напряженность электрического поля при облучении. Более того, из выражений для скоростей рекомбинации фотоносителей [1, 10, 12, 13], например, фотоэлектронов , видно, что влияет на рекомбинационно-генерационный процесс. Это обусловлено неравновесным изменением заселенности рекомбинационного уровня. Полученные результаты приводят к новому взгляду на фотоэлектрические явления в полупроводниках и диктуют проведение углубленного и всестороннего анализа рассмотренных эффектов для исследования перспективы их применения в фотоэлектронике.
В заключении отметим, что опубликованная ранее статья [15] также, как и настоящая, посвящена обоснованию возможности существования рассмотренных выше эффектов. Однако, в статье [15] не доказана правомерность использованного в ней одномерного приближения. Это вызывает серьезные сомнения в достоверности полученных результатов. В данной статье обоснованы условия правомерности одномерного приближения и, как следствие этого, возможность уменьшения габаритов образца за счет уменьшения его размеров по направлению излучения не только с сохранением фоточувствительности, но даже с увеличением ее.
Список литературы
- Холоднов В. А. // Успехи прикладной физики. 2018. Т. 6. № 6. С. 485.
- Kholodnov V. A., Nikitin M. S. // Electrica. 2021. V. 21 (1). P. 168. DOI: 10.5152/electrica.2020.20038.
- Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. – М.: Мир, 1977. С. 11–131.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов в 2 книгах. – М.: Мир, 1984. Кн. 1, с. 26; кн. 2, с. 447.
- Lutz G. Semiconductor radiation detectors. – Springe–Verlag, Berlin–Heidelberg–New York, 2007.
- Rogalski A. Infrared Detectors (CRC Press, Taylor & Francis Group, Boca Raton–London–New York, 2011).
- Пономаренко В. П., Филачев А. М. Инфракрасная техника и электронная оптика. – М.: Физматкнига, 2016.
- Пономаренко В. П. Квантовая фотосенсорика. – М.: АО «НПО «Орион», 2018.
- Weiler Dirk, Hochschulz Frank, et al. Proc. of SPIE 10795, 1079504-1 (2020). DOI: 10.1117/12.2503423.
- Kholodnov V. A., Nikitin М. S. in the book: Optoelectronics – materials and devices, Ed. S. L. Pyshkin and J. Ballato (InTech, ch. 12, p. 301–348, 2015, www.intechopen.com).
- Филачев А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. Твердотельная фотоэлектроника. Фоторезисторы и фотоприемные устройства. – М.: Физматкнига, 2012.
- Drugova A. A., Kholodnov V. A. Solid-State Electronics. 1995. V. 38 (6). Р. 1247. DOI: 10.1016/0038-1101(94)00154-8.
- Холоднов В. А. // ФТП. 1996. V. 30 (6). P. 1011.
- Холоднов В. А. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 67. № 9. С. 655.
- Холоднов В. А. Успехи прикладной физики. 2020. Т. 8. № 4. С. 265.
- V. A. Kholodnov, Journal of Communication Technology and Electronics 64 (9), 1038 (2019). DOI: 10.1134/S1064226919090110.
- V. A. Kholodnov and M. S. Nikitin, Electrica 21 (1), 168 (2021). DOI: 10.5152/electrica.2020.20038.
- A. G. Milns, Deep impurities in semiconductors (John Wiley and Sons, New York–London–Sydney–Toronto, 1973).
- S. M. Sze, Physics of semiconductor devices (John Wiley and Sons, New York–Chichester–Brisbane–Toronto–Singapore, 1981).
- G. Lutz, Semiconductor radiation detectors (Springe, Verlag, Berlin–Heidelberg–New York, 2007).
- A. Rogalski, Infrared Detectors (CRC Press, Taylor & Francis Group, Boca Raton–London–New York, 2011).
- V. P. Ponomarenko and A. M. Filachev, Infrared technology and electronic optics (Fizmatkniga, Moscow, 2016).
- V. P. Ponomarenko, Quantum Photosensory (JSC “NPO “Orion”, Moscow, 2018).
- Dirk Weiler, Frank Hochschulz, et al., Proc. of SPIE 10795, 1079504-1 (2020). DOI: 10.1117/12.2503423.
- V. A. Kholodnov and М. S. Nikitin, in the book: Optoelectronics – materials and devices, Ed. S. L. Pyshkin and J. Ballato (InTech, ch. 12, p. 301-348, 2015, www.intechopen.com).
- A. M. Filachev, I. I. Taubkin, and M. A. Trishenkov, Solid-state photoelectronics. Photoresistors and photodetector devices (Fizmatkniga, Moscow, 2012).
- A. A. Drugova and V. A. Kholodnov, Solid-State Electronics 38 (6), 1247 (1995). DOI: 10.1016/0038-1101(94)00154-8.
- V. A. Kholodnov, Semiconductors 30 (6), 538. https://journals.ioffe.ru/articles/18445.
- V. A. Kholodnov, JETP Letters 67 (9), 685 (1998). http://jetpletters.ru/cgi-bin/articles/download.cgi/1008/article_15311.pdf
- V. A. Kholodnov, Journal of Communications Technology and Electronics 66 (9), 1103 (2021). DOI: 10.1134/S1064226921090059.
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Бакеев И. Ю., Зенин А. А., Климов А. С., Окс Е. М.
Влияние продольного магнитного поля на эмиссионные характеристики форвакуумного плазменного источника электронов на основе разряда с полым катодом 5
Голубев С. В., Скалыга В. А., Изотов И. В., Шапошников Р. А., Разин С. В., Сидоров А. В., Боханов А. Ф., Казаков М. Ю., Лапин Р. Л., Шлепнёв С. П.
ЭЦР-разряд, поддерживаемый миллиметровым излучением, как источник плотных потоков плазмы 12
Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Козлов А. А., Якубов Р. Х.
Минимизация времени задержки и его разброса в компактном вакуумном разряднике 19
Двинин С. А., Синкевич О. А., Солихов Д. К., Кодирзода З. А.
О спектрах собственных волн в плазменном волноводе при наличии столкновений 25
Кошлаков В. В., Ребров С. Г., Голиков А. Н., Федоров И. А.
Ресурсные характеристики плазмотрона переменного тока «Звезда» 32
Наумова И. К., Субботкина И. Н., Титов В. А., Хлюстова А. В., Сироткин Н. А.
Влияние воды, активированной неравновесной газоразрядной плазмой, на всхожесть и ранний рост огурцов (Cucumis sativus) 40
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Холоднов В. А.
О возможности принципиально новых, профильных фотоэлектрических эффектов в полупроводниках 47
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Гаджиев М. Х., Муслимов А. Э.
Структура и свойства защитных покрытий на основе оксидов титана 52
Манухин В. В.
Расчет коэффициентов распыления оксидных пленок с поверхности однородного материала ионами гелия средних энергий 59
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Бочарников М. С., Василяк Л. М., Василяк С. Л., Ветчинин С. П., Печеркин В. Я., Яненко Ю. Б.
Очистка влажного воздуха от примесей аммиака УФ-излучением 65
Воронов К. Е., Телегин А. М., Рязанов Д. М.
Концепция прибора на основе сеточной конструкции для измерения параметров микрометеороидов 73
Утамурадова Ш. Б., Музафарова С. А., Абдугофуров А. М., Файзуллаев К. М., Наурзалиева Э. М., Рахманов Д. А.
Характеристики детекторов рентгеновского и гамма излучения на основе поликристаллических пленок CdTe и CdZnTe 81
Билятдинов К. З., Досиков Д. В.
Оценка вероятностных характеристик сложных радиотехнических систем в зависимости от количества и качества электронных элементов в их составе 87
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
I. Yu. Bakeev, A. A. Zenin, A. S. Klimov, and E. M. Oks
Effect of a longitudinal magnetic field on the emission characteristics of a forevacuum plasma electron source based on a hollow cathode discharge 5
S. V. Golubev, V. A. Skalyga, I. V. Izotov, R. A. Shaposhnikov, S. V. Razin, A. V. Sidorov, A. F. Bokhanov, M. Yu. Kazakov, R. L. Lapin, and S. P. Shlepnev
ECR discharge sustained by millimeter waves as a source of dense plasma flux 12
S. G. Davydov, A. N. Dolgov, A. A. Kozlov, and R. H. Yakubov
Minimization of the delay time and its spread in a compact vacuum breaker 19
S. A. Dvinin, O. A. Sinkevich, D. K. Solikhov, and Z. A. Kodirzoda
On the spectra of natural waves in a plasma waveguide in the presence of collisions 25
V. V. Koshlakov, S. G. Rebrov, A. N. Golikov, and I. A. Fedorov
Resource characteristics of the alternating current plasma torch “Zvezda” 32
I. K. Naumova, I. N. Subbotkina, V. A. Titov, A. V. Khlyustova, and N. A. Sirotkin
Effect of water activated by non-equilibrium gas-discharge plasma on the germination and early growth of cucumbers (Cucumis sativus) 40
PHOTOELECTRONICS
V. A. Kholodnov
On the possibility of fundamentally new, profile photoelectric effects in semiconductors 47
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
M. Kh. Gadzhiev and A. E. Muslimov
Structure and properties of titanium oxide-based protective coatings 52
V. V. Manukhin
Calculation of the sputtering coefficients of oxide films from the surface of a homogeneous material by medium-energy helium ions 59
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
M. S. Bocharnikov, L. M. Vasilyak, S. L. Vasilyak, S. P. Vetchinin, V. Ya. Pecherkin, and Yu. B. Yanenko
Cleaning of humid air from ammonia impurities by UV radiation 65
K. E. Voronov, A. M. Telegin, and D. M. Ryazanov
The concept of a grid-based instrument for measuring micrometeoroid parameters 73
Sh. B. Utamuradova, S. A. Muzafarova, A. M. Abdugafurov, K. M. Fayzullaev, E. M. Naurzalieva, and D. A. Rakhmanov
Characteristics of X-ray and gamma radiation detectors based on polycrystalline CdTe and CdZnTe films 81
K. Z. Biliatdinov and V. S. Dosikov
Assessment of probabilistic characteristics of complex radiotechnical systems depending on quantity and quality of electronic elements within them 87
Другие статьи выпуска
Представлены направления совершенствования способов оценки вероятностных характеристик сложных радиотехнических систем различного назначения в виде практических примеров применения методики оценки вероятности выхода из строя заданного количества электронных элементов сложной радиотехнической системы в зависимости от наибольшей вероятности выхода одного электронного элемента в ее составе и общего количества элементов в системе. На практике предлагаемая методика реализована в программе для ЭВМ «Расчет и анализ вероятностных характеристик системы».
На основе детекторов CdTe, CdZnTe был создан ряд перспективных приборов, которые нашли применение в металлургии, в решении задач таможенного контроля и задач контроля ядерных материалов, а также созданы матричные детекторы для изготовления медицинских приборов и приборов для исследования космического пространства. Созданные детекторы на основе поликристаллических полупроводниковых пленок CdTe и CdZnTe со столбчатой структурой на молибденовой подложке с толщиной d = 30150 мкм имели удельное сопротивление > 105108 cм. Энергетическое разрешение CdTe и CdZnTe детекторов при комнатной температуре достигает величины 5 кэВ на линии 59,6 кэВ 241Am.
Приведена конструкция прибора для измерения параметров заряженных микрочастиц (микрометеороидов) на основе сеток. Основное внимание уделено вопросам расчета погрешностей при измерении заряда, массы и скорости таких микрочастиц. Разработана 3D-модель прибора и проведены расчетные соотношения для параметров заряженных микрочастиц.
Экспериментально исследовано удаление примесей аммиака (100–200 ppm) в потоке влажного воздуха с расходом 30–150 м3/час УФ-излучением амальгамной лампы с ртутным разрядом низкого давления с длиной волны 185 нм и 254 нм. Наличие паров воды необходимо для эффективного удаления примесей УФ-излучением, поскольку при диссоциации молекул воды образуются высокоактивные радикалы OH и атомарного водорода H. Наличие капель воды резко снижает эффективность очистки. Рассмотрены основные реакции фотоокисления. Отмечена высокая эффективность удаления молекул аммиака одним фотоном 185 нм.
Представлена аналитическая модель распыления двухкомпонентных слоистых неоднородных мишеней бомбардировкой легкими ионами. Получена аналитическая формула, позволяющая рассчитать полный и парциальный коэффициенты распыления бинарного слоя неоднородности мишени легкими ионами. Результаты расчетов хорошо согласуются с данными компьютерного моделирования.
В представленной работе изучены структура и свойства защитных покрытий оксида титана, формируемых обработкой пленок титана низкотемпературной азотной плазмой со среднемассовой температурой 49 кК в открытой атмосфере. Обнаружена корреляция между режимом обработки и структурно-фазовым составом и гидрофобными свойствами покрытия оксида титана. Показано, что независимо от режима плазменной обработки все покрытия обладали высокими значением микро-твердости более 25 ГПа и высоким удельным сопротивлением более 3105 Ом см.
Представлены результаты плазмохимической обработки воды и исследования ее влияния на всхожесть семян огурцов, а также на динамику начального роста растений. Водопроводную воду обрабатывали импульсным подводным разрядом, формирующимся в парогазовых пузырьках у поверхности погруженного в воду графитового электрода. Разряд горел при амплитудных значениях напряжения 800 В и тока разряда 200 мА. Получены осциллограммы тока и напряжения на электродах, измерены значения удельной электропроводности воды, значения рН, концентрации нитрит- и нитрат-ионов, а также пероксида водорода в обработанной воде. Показано, что использование воды после плазмохимической обработки повышает всхожесть семян, ускоряет развитие корневой системы, рост стебля и листьев на ранних стадиях развития растений.
Представлены результаты исследования уноса материалов (эрозии) наиболее тепло-напряженных узлов трехфазного плазмотрона переменного тока «Звезда» мегаватт-ной мощности: электродов и конфузоров. Данные по уносу получены путем взвешивания исследуемых узлов после циклов их работы на фиксированных режимах.
В качестве рабочего тела использовался воздух. Режимы работы плазмотрона варьировались в диапазонах изменения дуговой мощности 0,5–1,2 МВт, токов 160–400 А, расхода газа70–170 г/с. При использовании различных выходных сопел давление в плазмотроне изменялось от 0,2 до 1,65 МПа. Показано влияние различных параметров режима работы на ресурс плазмотрона. С использованием полученных данных по эрозии электродов и конфузоров проведена оценка их ресурса.
Аналитически и численно исследованы дисперсионные характеристики поверхностных и затухающих волн в структуре «металл–диэлектрик–плазма–диэлектрик–металл» при наличии столкновений. В этой системе при отсутствии поглощения и переходе плотности электронов через удвоенную критическую величину происходит перестройка структуры собственных волн, связанная с появлением поверхностных волн. В поглощающей плазме также происходит перестройка, однако номера перезамыкающихся мод зависят от размеров структуры и соотношения частоты столкновений электронов и частоты поля. Корректный учет данного процесса существенен при аналитическом анализе структуры поля в плазменных реакторах, при конструировании плазменных антенн и решения других задач электродинамики плазмы.
Установлено сходство механизмов коммутации компактных вакуумных искровых разрядников и разрядников с лазерным поджигом при сравнимом уровне плотности потока энергии в узле поджига–ионизация остаточного газа потоком коротковолнового излучения и быстрых электронов из плазмы катодного пятна или лазерной плазмы. Указанный механизм позволяет эффективно уменьшать задержку срабатывания разрядника путем повышения энергии поджига. Проведено экспериментальное исследование преимуществ использования схемы поджига с увеличенной энергией для управления малогабаритными вакуумными искровыми разрядниками. Наблюдается устойчивое снижение времени задержки срабатывания разрядника и повышение уровня стабильности задержки. Наиболее эффективно, с точки зрения минимизации и стабильности времени задержки срабатывания разрядника, вложение энергии в формирование инициирующей плазмы происходит на искровой стадии вспомогательного разряда по поверхности диэлектрика в узле поджига.
В данной работе приводятся результаты исследований по формированию плотных потоков водородной плазмы ЭЦР-разряда в магнитном поле одиночного соленоида. Показана возможность формирования однородных потоков с плотностью 750 мА/см2 и полным током 5 А. Приводятся результаты первых экспериментов по формированию пучка ионов водорода из плазмы ЭЦР-разряда в одной магнитной катушке. Получены рекордные значения плотности тока в пучке свыше 1,5 А/см2. Представленные результаты свидетельствуют о перспективности использования рассмотренной системы в приложениях по созданию инжекторов высокоэнергетических нейтралов для нагрева плазмы в установках управляемого термоядерного синтеза.
Изучено влияние продольного магнитного поля на эмиссионные характеристики форвакуумного плазменного источника электронов на основе разряда с полым катодом. Показано, что, начиная с некоторого порогового значения индукции Bс, магнитное поле приводит к уменьшению концентрации плазмы на оси катодной полости.
С уменьшением диаметра катодной полости пороговое значение Bс увеличивается.
С другой стороны, продольное магнитное поле позволяет увеличить диаметр эмиссионного канала, что способствует существенному увеличению тока эмиссии электронов из плазмы. При этом степень увеличения тока эмиссии определяется геометрией катодной полости и давлением рабочего газа.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400