ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Оптические и электрофизические свойства барьерно-диодной гетероструктуры на основе InSb (2024)

Читать онлайн

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InSb(100) получена барьерно-диодная (nBn) структура с униполярным барьером In0,8Al0,2Sb. Кристаллическое совершенство структуры и её соответствие номинально заложенному дизайну подтверждено с помощью рентгеноструктурного анализа. Электронная подсистема полученной nBn-структуры охарактеризована с помощью измерений микроскопии растекания тока на сколе (011).

Автор (ы): Савин Константин Антонович
Соавтор (ы): Минаев Илья Иванович, Клековкин Алексей Владимирович, Ерошенко Григорий Николаевич, Николаев Сергей Николаевич, Пручкина Анна Артемовна, Пашкеев Дмитрий Александрович, Свиридов Дмитрий Евгеньевич
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

УДК
538.915. Электронные состояния и электронные структуры
Для цитирования:
САВИН К. А., МИНАЕВ И. И., КЛЕКОВКИН А. В., ЕРОШЕНКО Г. Н., НИКОЛАЕВ С. Н., ПРУЧКИНА А. А., ПАШКЕЕВ Д. А., СВИРИДОВ Д. Е. ОПТИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА БАРЬЕРНО-ДИОДНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ INSB // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2024. № 4