ISSN 2307-4469 · EISSN 2949-5636
Языки: ru · en

Статья: Получение высококачественных монокристаллов Cd(1-X)ZnXTe по методу Давыдова–Маркова для изготовления подложек при эпитаксиальном выращивании Hg(1-X)CdXTe (2024)

Читать онлайн

Для получения фоточувствительного материала HgCdTe методом молекулярно-лучевой эпитаксии предпочтительно использовать изотипные подложки CdZnTe. Одним из методов выращивания таких монокристаллов и подложек является метод ДавыдоваМаркова. Кристаллы CdZnTe, выращенных этим методом, характеризуются высокой однородностью параметров и практически полностью могут быть использованы для изготовления устройств и подложек. В рамках работы была показана возможность получения таких монокристаллов CdZnTe и перспективы развития этого направления.

Автор (ы): Жаворонков Николай Васильевич, Трофимов Александр
Журнал: Успехи прикладной физики

Идентификаторы и классификаторы

УДК
548.55. Монокристаллы.Монокристальные образования
Для цитирования:
ЖАВОРОНКОВ Н. В., ТРОФИМОВ А. ПОЛУЧЕНИЕ ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ CD(1-X)ZNXTE ПО МЕТОДУ ДАВЫДОВА–МАРКОВА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК ПРИ ЭПИТАКСИАЛЬНОМ ВЫРАЩИВАНИИ HG(1-X)CDXTE // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2024. ТОМ 12 № 4