В работе представлены результаты исследований светоотдачи безртутной цезиевой лампы в режиме импульсно-периодического разряда в широком диапазоне давлений цезия (PCs = 10–750 Торр). Обнаружено, что зависимость светоотдачи от давления PCs носит сложный немонотонный характер: кривая (PCs) имеет максимум 60 лм/Вт при PCs 100–150 Торр, а при дальнейшем увеличении давления светоотдача после спада до 50 лм/Вт начинает снова возрастать и достигает 70 лм/Вт при PCs 1 атм. Этот неожиданный рост связан с контракцией разряда, наблюдавшейся при PCs > > 300 Торр. Полученные значения светоотдачи в полтора раза превышают достигнутый ранее уровень (46 лм/Вт) и практически вдвое больше светоотдачи ксеноновых ламп, имеющих столь же высокий индекс цветопередачи Ra 90–95.
The paper presents the results of studies of the lamp efficacy of a mercury-free cesium lamp in the regime of a pulse-periodic discharge in a wide range of cesium pressures (PCs = 10–750 Torr). It was found that the dependence of the lamp efficacy on the pressure of PCs is complex and non-monotonous: the curve (PCs) has a maximum of 60 lm/W at PCs 100–150 Torr, and with a further increase in pressure, the lamp efficacy after a decrease to 50 lm/W begins to increase again and reaches 70 lm/W at PCs 1 atm. This unexpected increase is due to discharge contraction observed at PCs> 300 Torr. The obtained lamp efficacy values are 1/2 times higher than the previously achieved level (46 lm / W) and almost twice as much as the lamp efficacy of xenon lamps with an equally high color rendering index Ra 90–95.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 41252125
Выполненные экспериментальные исследования показали, что равновесное давление паров цезия действительно является важнейшим параметром, определяющим эффективность цезиевой лампы как источника видимого света в режиме ИПР. В этом плане представленные результаты можно рассматривать как предварительную оптимизацию режима работы лампы. Выявлено, что зависимость светоотдачи от давления носит достаточно сложный характер. Её максимум при давлении 100–150 Торр обусловлен достижением оптимальной радиальной оптической плотности плазменного столба. По-видимому, на практике это будет основная область рабочих давлений. Для каждого конкретного конструктивного исполнения лампы, определяющего потери тепла горелкой и токоподводами, давление паров будет определять номинальную среднюю мощность лампы. Так, для исследованной лампы средняя мощность составила W 250 Вт, при которой максимальное значение светоотдачи = 62 лм/Вт получилось почти в 1,5 раза большим, чем в [7, 8].
Обнаруженный эффект повторного роста светоотдачи в области высоких давлений от ~50 до 70 лм/Вт, вероятнее всего, связан с контракцией разряда и, очевидно, требует дальнейшего детального изучения. Однако уже сейчас понятно, что он открывает реальный путь дальнейшего повышения светоотдачи цезиевых ламп при работе в режиме ИПР.
Список литературы
1. Schmidt K. Патент США US2971110, 1959. 2. Бакшт Ф. Г., Лапшин В. Ф. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. Вып. 24. С. 40.
3. Бакшт Ф. Г., Лапшин В. Ф. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 24. С. 70.
Прикладная физика, 2019, № 5 83
4. Бакшт Ф. Г., Лапшин В. Ф., Шиман А. С. // Светотехника. 2005. № 3. С. 20.
5. Бакшт Ф. Г., Лапшин В. Ф. // Прикладная физика. 2008. № 6. С. 43.
6. Бакшт Ф. Г., Лапшин В. Ф. // Успехи прикладной физики. 2017. Т. 5. № 6. С. 525.
7. Gu H., Muzeroll M. E., Chamberlain J. C., Maya J. // Plasma Sources Sci. Technol. 2001. Vol. 10. P. 1.
8. Pichler G., Živčec V., Beuc R., MrzljakŽ, Ban T., Skenderović H., Gunther K., Liu J. // Phys. Scr. 2003. Vol. T105. P. 98.
9. Бакшт Ф. Г., Гавриш С. В., Каплан В. Б., Коротков С. В., Лапшин В. Ф., Марциновский А. М., Столяров И. И., Христюк Д. В. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. Вып. 24. С. 55.
10. Бакшт Ф. Г., Каплан В. Б., Лапшин В. Ф., Марциновский А. М. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. Вып. 23. С. 17.
11. Baksht F. G., Gavrish S. V., Kaplan V. B., Lapshin V. F., Martsinovsky A. M. // Plasma Phys. Rep. 2010. Vol. 36. No. 13. P. 1199.
12. Гавриш С. В., Каплан В. Б., Марциновский А. М., Столяров И. И. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. Вып. 14. С. 64.
13. Справочная книга по светотехнике / Под ред. Ю. Б. Айзенберга. – М.: Энергоатомиздат, 1983.
14. Физические величины. Справочник / Под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. – М.: Энергоатомиздат, 1991.
15. Katsuya Otani. Патент США WO2007047173A2 1989.
16. Бакшт Ф. Г., Лапшин В. Ф. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 19. С. 9.
17. Бакшт Ф. Г., Лапшин В. Ф. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. Вып. 13. С. 7.
1. K. Schmidt. US patent US2971110, (1959).
2. F. G. Baksht and V. F. Lapshin, Tech. Phys. Lett. 23, 961 (1997).
3. F. G. Baksht and V. F. Lapshin, Tech. Phys. Lett. 30, 1051 (2004).
4. F. G. Baksht, V. F. Lapshin, and A. S. Shiman, Svetotekhnika, No. 3, 20 (2005).
5. F. G. Baksht and V. F. Lapshin, Prikl. Fiz., No. 6, 43 (2008).
6. F. G. Baksht and V. F. Lapshin, Usp. Prikl. Fiz. 5 (6), 525 (2017).
7. H. Gu, M. E. Muzeroll, J. C. Chamberlain, and J. Maya, Plasma Sources Sci. Technol. 10, 1 (2001).
8. G. Pichler, V. Živčec, R. Beuc, Ž. Mrzljak, T. Ban, H. Skenderović, K. Gunther, and J. Liu, Phys. Scr. 105, 98 (2003).
9. F. G. Baksht, S. V. Gavrish, V. B. Kaplan, S. V. Korotkov, V. F. Lapshin, A. M. Martsinovsky, I. I. Stolyarov, and D. V. Christyuk, Tech. Phys. Lett. 34, 1066 (2008).
10. F. G. Baksht, V. B. Kaplan, V. F. Lapshin, and A.M. Martsinovsky, Tech. Phys. Lett. 35, 1078 (2009).
11. F. G. Baksht, S. V. Gavrish, V. B. Kaplan, V. F. Lapshin, and A. M. Martsinovsky, Plasma Phys. Rep. 36, 1199 (2010).
12. S. V. Gavrish, V. B. Kaplan, A. M. Martsinovsky, and I. I. Stolyarov, Tech. Phys. Lett. 41, 694 (2015).
13. Handbook of Light Engineering, Ed. by Yu. B. Aizenberg (Znak, Moscow, 2006) [in Russian].
14. Physical parameters and constants. Handdbook. Ed. by I. S. Grigoryev and E. Z. Meilikhov. M., Energoatomizdat (1991) [in Russian].
15. Katsuya Otani. Patent WO2007047173A2 (1989).
16. F. G. Baksht and V. F. Lapshin, Tech. Phys. Lett. 39, 847 (2013).
17. F. G. Baksht and V. F. Lapshin, Tech. Phys. Lett. 41, 620 (2015).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Старшинов П. В., Попов О. А., Буреева Д. А., Иликеева P. А., Ирхин И. В., Левченко В. А., Ошурков И. А. Электрические характеристики ВЧ-индуктора и плазмы бесферритного индукционного ртутного разряда в замкнутой трубке малого диаметра 5
Усенов Е. А., Акишев Ю. С., Петряков А. В., Рамазанов Т. С., Габдуллин М. Т., Аширбек А., Акильдинова A. К. Эффект «памяти» микроразрядов барьерного разряда в потоке воздуха 12
ЭЛЕКТРОННЫЕ, ИОННЫЕ И ЛАЗЕРНЫЕ ПУЧКИ
Ризаханов Р. Н., Бармин А. А., Рудштейн Р. И. Транспортировка электронного пучка в рассеивающей среде в присутствии магнитного поля 20
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Яковлева Н. И. Исследование темновых токов фотодиодов на основе гетероструктур КРТ 27
Павлов С. А., Павлов А. С., Максимова Е. Ю., Алексеенко А. В., Павлов А. В., Зеленская А. Д., Антипов Е. М. Влияние безызлучательного переноса энергии электронного возбуждения на эффективность люминесцентных сенсоров 37
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Гибин И. С., Котляр П. Е. Экспериментальная динамика температурно-инициированного фазового перехода «металл-диэлектрик» в диоксиде ванадия 44
Жабин Г. А., Архипов Д. Ю., Темирязева М. П. Влияние режимов осаждения покрытий на микроструктуру и эмиссионные свойства молекулярно-напыленных оксидных катодов 54
Назаров А. В., Завильгельский А. Д. Молекулярно-динамическое моделирование распыления молибдена пучком газовых кластерных ионов аргона 60
Щукин В. Г., Константинов В. О., Шарафутдинов Р. Г. Электронно-пучковое рафинирование металлургического кремния 65
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Киреев С. Г., Кулебякина А. И., Шашковский С. Г., Тумашевич К. А. Алгоритм расчета характеристик импульсного газоразрядного источника УФ-излучения для проточных систем биоочистки 71
Гавриш С. В., Каплан В. Б., Марциновский А. М., Столяров И. И. Исследование светоотдачи безртутной цезиевой лампы в режиме импульсно-периодического разряда 78
Смирнов В. А., Скворцова Н. Н., Максимов Г. А., Ларичев В. А., Смагин Д. А., Лекомцев В. М. Алгоритмы обработки радиофизических сигналов для систем дистанционного мониторинга в гидросфере 85
Кравчук Д. А. Моделирование акустических сигналов при оптоакустическом эффекте для обнаружения эритроцитов различной формы лазерным цитометром 93
ИНФОРМАЦИЯ
IX научно-практическая конференция молодых ученых и специалистов «Фотосенсорика: новые материалы, технологии, приборы, производство» 100
XLVII Международная Звенигородская конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу 101
Правила для авторов 105
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
P. V. Starshinov, О. А. Popov, D. A. Bureeva, R. A. Ilikeeva, I. V. Irkhin, V. A. Levchenko, and I. A. Oshurkov RF inductor and plasma characteristics of the ferrite-free low mercury pressure closed-loop inductively coupled discharge 5
E. A. Usenov, Yu. S. Akishev, A. V. Petryakov, T. S. Ramazanov, M. T. Gabdullin, A. Ashirbek, and A. K. Akil’dinova The “memory” effect of microdischarges of a barrier discharge in airflow 12
ELECTRON, ION, AND LASER BEAMS
R. N. Rizakhanov, A. A. Barmin, and R. I. Rudshtein Electron beam transportation into scattering medium and external magnetic field 20
PHOTOELECTRONICS
N. I. Iakovleva Dark current in the HgCdTe infrared photodiodes 27
S. A. Pavlov, A. S. Pavlov, E. Yu. Maksimova, A. V. Alekseenko, A. V. Pavlov, A. D. Zelenskaya, and E. M. Antipov Influence of nonradiative energy transfer processes of electronic excitation on the efficiency of sensitive layers of fluorescent sensors 37
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
I. S. Gibin and P. E. Kotlar Experimental dynamics of temperature initiated phase transition of metal-dielectric in vanadium dioxide 44
G. A. Zhabin, D. Yu. Arkhipov, and M. P. Temiryazeva The effect of deposition regimes on the microstructure and emission properties of molecular sputter-deposited oxide 54
A. V. Nazarov and A. D. Zavilgelskiy Molecular dynamics simulation of Mo sputtering by the Ar gas cluster ion beam 60
V. G. Shchukin, V. O. Konstantinov, and R. G. Sharafutdinov Electron-beam refining of metallurgical silicon 65
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
S. G. Kireev, A. I. Kulebyakina, S. G. Shashkovskiy, and K. A. Tumashevich Calculation algorithm for the characteristics of a pulsed discharge radiation source for flow-through systems 71
S. V. Gavrish, V. B. Kaplan, A. M. Martsinovsky, and I. I. Stolyarov Investigation of light output of mercury-free cesium lamp in pulse-periodic discharge mode 78
V. A. Smirnov, N. N. Skvortsova, G. A. Maksimov, V. A. Larichev, D. A. Smagin, and V. M. Le-komcev Data processing algorithms of radiophysical signals for remote monitoring systems in hydro-sphere 85
D. A. Kravchuk Simulation of acoustic signals with an optoacoustic effect for the detection of red blood cells of various shapes by a laser cytometer 93
INFORMATION
IX Theoretical and Practical Conference of Young Scientists and Specialists “Photosensorics: New Materials, Technologies, Devices, and Production” 100
XLVII International Zvenigorod Conference on Plasma Physics and Controlled Thermonuclear Fusion 101
Rules for authors 105
Другие статьи выпуска
Целью исследования являлось разработать трехмерную модель формы здоровых эритроцитов и патологических стоматоцитов в плазме в интересах моделирования воздействия лазерного изучения на эритроцит и получения оптоакустического отклика от одиночных эритроцитов. Используя сферические гармоники для параметризации морфологии клеток для симметричных и несимметричных объектов в работе проведено моделирование форм здоровых эритроцитов – дискоцитов и патологических форм стоматоцитов. С помощью параметрической модели на примере трехмерных фигур эритроцитов проведено моделирование формируемых акустических сигналов от эритроцитов при оптоакустическом эффекте. Рассчитан акустический сигнал от моделей двояковогнутого эритроцита и стоматоцита для определения формы эритроцитов с помощью оптоакустического метода для лазера ND: YAG с длинной волны 1064 нм. Полученные сигналы имеют различные формы и длительности, что позволяет характеризовать формы источников акустических сигналов, формируемых в результате оптоакустического преобразования. Анализ теоретически полученных акустических сигналов позволяет сделать вывод о применимости регистрации форм эритроцитов с помощью оптоакустического метода.
Рассмотрено применение алгоритмов корреляционного и спектрального анализа для радиофизических сигналов с целью точного позиционирования систем дистанционного мониторинга в гидросфере. Первичное тестирование и отладка разработанных алгоритмов измерения акустических дистанций были проведены в акустическом бассейне. Устройства для дистанционного мониторинга были испытаны в Черном море как в стационарных условиях с пирса, так и при движении буксировочным судном. Представлен результат позиционирования системы, полученный с помощью разработанных алгоритмов, по измеренным акустическими дистанциям и произведена оценка ошибки позиционирования. Показано, что измерение акустических дистанций при использовании разработанных алгоритмов отвечает требованиям для позиционирования систем морской 3D-сейсморазведки.
Предложен алгоритм расчета параметров импульсной газоразрядной лампы и электрических характеристик разрядного контура для решения задач фотоиндуциванного воздействия на среду в проточной системе. На примере модели реактора идеального вытеснения для решения фотобиологической задачи выполнен расчет параметров импульсной газоразрядной лампы, расположенной поперек направления движения среды. Показано, что при определенной частоте следования вспышек, зависящей от размеров реактора и расхода системы, равномерность сообщенной дозы в продольном сечении реактора с импульсной лампой приближается к равномерности поля доз в реакторе с лампой постоянного горения. Решение приведенной системы уравнений позволило рассчитать параметры межэлектродного промежутка лампы, емкость и индуктивность разрядного контура.
Разработано устройство для рафинирования металлургического кремния в плазме электронного пучка в сверхзвуковом потоке газа. Представлено описание и демонстрация возможностей электронно-пучкового метода и плазмы на его основе для удаления примесей из металлургического кремния в условиях формакуумного диапазона давлений. На лабораторном оборудовании получены образцы кремния в вариантах окислительного и безокислительного рафинирования. Показано, что при электроннопучковом переплаве происходит разделение металлических примесей по объему образца. Во всех режимах рафинирования зафиксировано заметное удаление фосфора.
В работе представлены результаты моделирования распыления твёрдого тела пучком газовых кластерных ионов методом молекулярной динамики. Монокристалл Mo бомбардируется кластерными ионами Ar с энергией 10 кэВ и размером от 50 до 2000 атомов при комнатной температуре. Угол падения совпадает с нормалью к поверхности (100) мишени. Проведено две серии моделирования с различными параметрами. В первой из них каждый ион кластера попадает в идеальную поверхность кристалла. Во второй серии моделируется последовательность соударений с учетом эволюции поверхности в результате бомбардировки и экспериментально измеренного распределения размеров кластера. Рассчитаны угловые распределения распыленных атомов для 1000 независимых столкновений и 2000 последовательных столкновений. Показано, что шероховатость поверхности в случае последовательных соударений оказывает влияние на форму угловых распределений. Показаны преимущества использования моделирования последовательности соударений.
Представлены результаты исследования влияния технологических режимов ионноплазменного напыления на микроструктуру и эмиссионные свойства молекулярнонапыленных оксидных катодов (МНОК) малошумящих СВЧ-приборов. Методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) с энергодисперсионной приставкой и атомно-силовой микроскопии (АСМ) исследована морфология поверхности, внутренняя структура, а также элементный анализ эмиссионных покрытий (М-покрытий). Показана зависимость эмиссионных свойств МНОК от условий осаждения покрытий. Плотность М-покрытия и размер зерен возрастают с уменьшением давления рабочего газа, а шероховатость уменьшается.
Представлены результаты аналитического исследования ключевых экспериментов по исследованию динамики обратимого температурно-инициированного фазового перехода «металл-диэлектрик» в диоксиде ванадия, приводящего к появлению аномальных физических явлений в оптических, электрических, тепловых и других свойствах образцов. Особое внимание уделено анализу кривых температурного гистерезиса, являющихся основным источником информации о фазовом переходе и изменению температурного положения фазового перехода. Фазовый переход «металл-диэлектрик» сопровождается аномально большими и быстрыми изменениями электрических, оптических, тепловых и магнитных свойств, открывающими принципиально новые возможности использования уникальных свойств фазового перехода в специальном приборостроении.
Рассмотрены особенности использования квантовых точек на основе полупроводникового коллоидного материала CdSe/CdS/ZnS в качестве фотоактивного компонента для трансдьюсерных слоев люминесцентного сенсора. Установлено, что основным фактором, влияющим на эффективность фотолюминесценции такого слоя является процесс безызлучательного переноса энергии электронного возбуждения, характерного для систем, содержащих высокие концетрации квантовых точек. Рассмотрен существующий формализм FRET и основные особенности измерения квантового выхода в конденсированных люминесцирующих оптических слоях. Обсуждается влияние процессов, протекающих по механизму FRET, на особенности работы чувствительных слоев сенсоров.
Главным фактором, который влияет на выходные характеристики, является темновой ток фотодиодов, который должен быть минимальным, чтобы снизить шумы и обеспечить высокий уровень фотоэлектрических параметров. Для выявления доминирующих причин генерации-рекомбинации в фотодиодах на основе тройного соединения кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в заданном диапазоне напряжений разработана модель расчета темновых токов, обусловленных фундаментальными и иными токовыми механизмами. Определены составляющие темнового тока фотодиодов, изготовленных в гетероструктурах КРТ, выращенных методами молекулярно-лучевой (МЛЭ) и жидкофазной (ЖФЭ) эпитаксии, в диапазоне обратных напряжений смещения от 0 до 40 мВ. В диапазоне от 0 до 20 мВ обратного напряжения смещения характеристики ограничены диффузионной составляющей. Возрастание токов генерациирекомбинации Шокли-Рида-Холла (ШРХ) и туннелирования через уровни ловушек в запрещенной зоне наблюдается при напряжении обратного смещения более 30 мВ.
Получено аналитическое решение параксиального уравнения огибающей электронного пучка (уравнения Ли–Купера), распространяющегося в рассеивающе-тормозящей газовой среде во внешнем магнитном поле. Установлены границы применимости параксиального приближения. Предложен критерий оценки влияния магнитного поля на распространение пучка. Проанализированы частные случаи транспортировки.
Исследована динамика микроразрядов синусоидального барьерного разряда в рельсовой геометрии электродов, вдоль которых продувался воздух при атмосферном давлении.
Цель работы – выяснение роли объемной плазмы и поверхностных зарядов в эффекте «памяти» микроразрядов. На основании анализа изображений микроразрядов, полученных с использованием высокоскоростной съемки, установлено, что перенос плазмы микроразрядов газовым потоком является определяющим в локализации микроразряда в каждом последующем полупериоде приложенного напряжения. Важную роль играет турбулентность потока и наличие в нем вихрей, которые определяют как скорость переноса плазменных каналов, так и вероятность возникновения микроразрядов в конкретном полупериоде. Результаты работы показывают практическую возможность газодинамического управления параметрами барьерного разряда.
Проведено исследование электрических характеристик плазмы и ВЧ-индуктора бесферритных индукционных разрядов в лампах длиной 375 мм и шириной 120 мм, образованных замкнутой кварцевой трубкой с внутренним диаметром 16,6 мм. Разряд возбуждался на частоте 1,7 МГц и мощностях 90–170 Вт в смеси паров ртути давлением 710-3 мм рт. ст. с инертным газом (Ar, 30 % Ne + 70 % Ar) давлением 0,7 и 1,0 мм рт. ст. с помощью изготовленной из литцендрата (w = 1,410-4 Ом/см) 3-витковой катушки индуктивности, размещенной по периметру разрядной трубки. Установлено, что с увеличением мощности плазмы ВЧ-напряжение и ток катушки, мощность потерь в ней и средняя по сечению трубки напряженность электрического ВЧ-поля в плазме уменьшаются, а разрядный ток лампы возрастает. Понижение давления инертного газа уменьшает разрядный ток лампы и повышает ВЧ-напряжение и ток катушки, мощность потерь в ней и напряженность электрического поля в плазме.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400