ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Моделирование оксидного солнечного элемента на основе гетероперехода ZnO/Cu2O (2023)

Читать онлайн

Проведено численное моделирование оксидного солнечного элемента на основе гетероперехода ZnO/Cu2O для оптимизации его структуры и повышения эффективности преобразования энергии. Исследовано влияние шунтирующего и последовательного сопротивлений, толщины и концентрации дефектов в слоях Cu2O и ZnO, а также поверхностной концентрации дефектов на гетерогранице ZnO/Cu2O на фотоэлектрические параметры солнечного элемента. Показано, что величина шунтирующего и последовательного сопротивлений должна составлять 2500 Омсм2 и 3,3 Омсм2, а толщина слоев Cu2O и ZnO должна быть 5 мкм и 20 нм соответственно. Получено, что оптимальная концентрация дефектов (вакансий ионов меди) в слое Cu2O составляет 1015 см-3, концентрация дефектов (кислородных вакансий) в слое ZnO составляет 1019 см-3, а также поверхностная концентрация дефектов на межфазной границе должна быть как можно меньше и составлять 1010 см-2. Оптимизация структуры оксидного солнечного элемента позволила получить эффективность преобразования энергии до 10,25 %. Результаты могут быть использованы при разработке и формировании гетероструктур оксидных солнечных элементов.

Numerical modeling of an oxide solar cell based on a ZnO/Cu2O heterojunction has been car-ried out to optimize its structure and increase the efficiency of energy conversion.
The influence of the shunt and series resistances, the thickness and concentration of defects in the Cu2O and ZnO layers, as well as the surface concentration of defects at the ZnO/Cu2O het-erojunction on the photovoltaic parameters of the solar cell is studied. It is shown that the shunt and series resistances should be 2500 cm2 and 3,3 cm2, and the thickness of the Cu2O and ZnO layers should be 5 m and 20 nm, respectively. It was found that the optimal concentration of defects (copper vacancies) in the Cu2O layer is 1015 cm-3, the concentration of defects (oxygen vacancies) in the ZnO layer is 1019 cm-3, and the surface concentration of defects at the interface should be as low as possible and be 1010 cm-2. Optimization of the structure of the oxide solar cell made it possible to obtain an energy conversion efficiency of 10.25 %. The results can be used in the development and formation of oxide solar cell heterostructures.

Ключевые фразы: солнечный элемент, оксидные полупроводники, численное моделирование, концентрация дефектов, эффективность, толщина слоев, solar cell, oxide semiconductors, numerical modeling, layer thickness, defect concentration, efficiency
Автор (ы): Саенко Александр Викторович
Соавтор (ы): Билык Герман Евгениевич, Малюков Сергей Павлович
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383.51. Фотогальванические элементы, солнечные элементы и батареи (вентильные элементы, панели)
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2023-4-66-77
eLIBRARY ID
54370007
Для цитирования:
САЕНКО А. В., БИЛЫК Г. Е., МАЛЮКОВ С. П. МОДЕЛИРОВАНИЕ ОКСИДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДА ZNO/CU2O // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2023. № 4
Текстовый фрагмент статьи