Доклад: Структурные и оптические свойства InAs/GaSb сверхрешеток полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Докладчик
Тип доклада
Устный
Конференция
Дата и время
пятница, 31 мая (начало в 10:30)
Материалы доклада
Тезисы
Тезисы не доступны.
Презентация
У доклада нет презентации.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 10
09:00 |
Базовая технология полирования пластин InSb для эпитаксиального роста фоточувствительных материалов методом МЛЭ
Улькаров Вадим Айратович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Улькаров Вадим Айратович•АО ″НПО ″ОРИОН″
09:15 |
Подложки CdZnTe для эпитаксиального выращивания твердых растворов А2В6 методом МЛЭ
Трофимов Александр Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Трофимов Александр Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
09:30 |
Разработка промышленно-ориентированной технологии изготовления полированных пластин InSb диаметром до 100 мм
Козлов Роман Юрьевич•ГИРЕДМЕТ
Козлов Роман Юрьевич•ГИРЕДМЕТ
09:45 |
К вопросу о канальной неоднородности в монокристаллах InSb(Te), выращенных в различных кристаллографических направлениях
Комаровский Никита Юрьевич•ГИРЕДМЕТ
Комаровский Никита Юрьевич•ГИРЕДМЕТ
10:00 |
Некоторые тенденции развития технологий выращивания объемных кристаллов фотоники
Наумов Аркадий Валерьевич•ОКБ ″АСТРОН″
Наумов Аркадий Валерьевич•ОКБ ″АСТРОН″
10:15 |
Исследование 100 мм пластин Ge, предназначенных для эпитаксиальных процессов
Малыгин Владислав Анатольевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Малыгин Владислав Анатольевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:30 |
Структурные и оптические свойства InAs/GaSb сверхрешеток полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
11:15 |
Моделирование и оптимизация электрооптического эффекта в модуляторе Маха-Цендера на технологической платформе InP
Гришаков Константин Сергеевич•Национальный исследовательский ядерный университет ″МИФИ″
Гришаков Константин Сергеевич•Национальный исследовательский ядерный университет ″МИФИ″