Доклад: Разработка In0.83Ga0.17As/InP pin-фотодиодов для ближнего ИК диапазона 2,2-2,6 мкм на основе метаморфных гетероструктур
Докладчик
Василькова Елена Игоревна
СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова
Соавтор(ы)
Пирогов Е.В., Баранцев О.В., Воропаев К.О., Васильев А.А., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Соболев М.С.
Тип доклада
Стендовый
Конференция
Секция программы
Материалы доклада
Тезисы
Тезисы не доступны.
Презентация
У доклада нет презентации.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 86
С08 |
Разработка In0.83Ga0.17As/InP pin-фотодиодов для ближнего ИК диапазона
2,2-2,6 мкм на основе метаморфных гетероструктур