Книга: ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ ШИРОКОЗОННЫХ МАТЕРИАЛОВ, ГЕТЕРОСТУКТУР, ДИОДОВ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ И РАСЧЕТ ИХ ХАРАКТЕРИСТИК Пятигорск-Грозный-Москва 2019

В монографии рассмотрены новые свойства и получение нано-
структурированных материалов. Реализовано моделирование и проведены
расчеты свойств материалов микро, - нано электроники: полупроводники
типа А2В6, SiC, GaN; твердые растворыSiC-AlN. Дано описание новых
эффектов: гигантское усиление, на два и более порядка, диэлек-
трической проницаемости; теплового сопротивления соединений
типа А2В6 и экзокерамики SiC/Si. Рассмотрены; теплопровод-
ностьSiC и его политипов; а также размерные эффекты. Предло-
жена новая нелинейная модель высоты барьера Шотткии рассчи-
таны вольт-амперные характеристики диодов и гетеропереходов
на основе SiC.
Монография содержит важный справочный материал по
свойствам указанных систем. В приложенияхкратко приведены
некоторые данные, ряд характеристик гетеропереходов SiC и зна-
чения высот барьеров Шотткив качестве спра вочного материала.
Большая часть изложенных результатов получена авторами
монографии.
Книга адресована студентам, магистрантам, аспирантам, а
также специалистам, инженерам-технологам, работающим в об-
ласти микро,- наноэлектроники, физики и техники широкозон ных
полупроводников, наноматериалов экстремальной твердотельной
электроники