В работе представлены результаты измерения вольтамперных характеристик (ВАХ) мезаэлементов матриц формата 320256 с шагом 30 мкм p–i–n-диодов. Данные образцы сформированы ионно-лучевым травлением на основе гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) AlxGa1-xN, изготовленных методами молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и эпитаксии с использованием металлоорганических соединений (МОС). Использованы также тестовые образцы мезадиодов различных по диаметру размеров, изготовленных на основе ГЭС, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией и сформированных травлением p+- и iслоёв в высокоплотной плазме BCl3/Ar/N2. Представлены типичные ВАХ p–i–n-диодов на основе ГЭС, полученных разными методами выращивания и формирования мезы. Полученные результаты могут свидетельствовать о высокой плотности дефектов роста эпитаксиальной структуры по площади пластин, изготовленных методом МЛЭ.