ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Температурные зависимости электрофизических свойств твердого раствора Si1-xSnx (0  x  0,04) (2021)

Читать онлайн

Исследованы вольт-амперные характеристики p-Si–n-Si1-xSnx (0  x  0,04) структур, в температурном диапазоне от 293 до 453 К. Определено, что начальные участки пря-мых ветвей ВАХ при всех температурах описываются экспоненциальной зависимостью тока от напряжения, а затем следует квадратичный участок, который описывается дрейфовым механизмом переноса носителей в режиме омической релаксации объемного заряда. Были определены энергии активации двух глубоких уровней со значениями 0,21 эВ и 0,35 эВ, которые приписываются междоузельным атомам Sn и А-центрам, соответственно. Обоснована перспективность использования твердых растворов Si1-xSnx (0  x  0,04), полученных на кремниевых подложках, в качестве активного материала при изготовлении инжекционных диодов.

The current-voltage characteristics of p-Si–n-Si1-xSnx (0  x  0.04) structures have been studied in the temperature range from 293 to 453 K. It was determined that the initial sections of the direct branches of the I–V characteristic at all temperatures are described by the exponential dependence of the current on the voltage, and then a quadratic section follows, which is described by the drift mechanism of carrier transfer in the regime of ohmic relaxation of the space charge. We determined the activation energies of two deep levels with values of 0.21 eV and 0.35 eV, which are assigned to interstitial Sn atoms and A-centers, respectively. The prospect of using solid solutions Si1-xSnx (0  x  0.04), obtained on silicon substrates, as an active material in the manufacture of injection diodes is substantiated.

Ключевые фразы: жидкофазная эпитаксия, твердый раствор, ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА, переходной слой, энергия активации, the method of liquid phase epitaxial, the solid solution, current-voltage characteristics, transition layer, the activation energy
Автор (ы): Мадаминов Хуршиджон Мухамедович
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592.3. Легированные полупроводники
eLIBRARY ID
44833484
Для цитирования:
МАДАМИНОВ Х. М. ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТВЕРДОГО РАСТВОРА SI1-XSNX (0  X  0,04) // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2021. № 1
Текстовый фрагмент статьи