Прикладная физика

Исследованы вольт-амперные характеристики p-Si–n-Si1-xSnx (0  x  0,04) структур, в температурном диапазоне от 293 до 453 К. Определено, что начальные участки пря-мых ветвей ВАХ при всех температурах описываются экспоненциальной зависимостью тока от напряжения, а затем следует квадратичный участок, который описывается дрейфовым механизмом переноса носителей в режиме омической релаксации объемного заряда. Были определены энергии активации двух глубоких уровней со значениями 0,21 эВ и 0,35 эВ, которые приписываются междоузельным атомам Sn и А-центрам, соответственно. Обоснована перспективность использования твердых растворов Si1-xSnx (0  x  0,04), полученных на кремниевых подложках, в качестве активного материала при изготовлении инжекционных диодов.

Изучены процессы токопрохождения в диодных структурах pSi-nSi1-xSnx (0  x  0,04). Из полученных результатов видно, что в исследованных образцах, при малых напряжениях ток подчиняется закону Ома. А при дальнейшем увеличении напряжения начинается рост тока по нелинейному закону. На основе анализа зависимости установлено, что нелинейность обусловлена полевым эффектом Пула-Френкеля. На основе выполненных анализов полученных результатов обоснована перспективность использования твердых растворов Si1-xSnx (0  x  0,04), выращенных на кремниевых подложках, в качестве активного материала в преобразователях тепловой энергии в электрическую энергию на основе термовольтаического эффекта.