ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Влияние температуры расплава металлургического кремния на процесс его плазмохимической очистки (2024)

Читать онлайн

Исследовано влияние температуры расплава металлургического кремния на эффективность плазмохимической очистки с использованием электронного пучка.

При плазмохимическом рафинировании протекают следующие процессы: испарение легколетучих примесей за счет быстрого разогрева металлургического кремния с помощью электронного пучка; перевод трудно испаряемых в вакууме примесей в их легколетучие соединения в химически активной окислительной электронно-пучковой плазме.

Установлено, что удаление разных групп примесей необходимо проводить при разных температурах в диапазоне 1300–1900 °С.

The influence of the melt temperature of metallurgical silicon on the efficiency by plasma chemical refining using an electron beam has been studied. The following processes take place during plasma chemical refining: firstly, the evaporation of volatile impurities due to the rapid heating of metallurgical silicon using an electron beam; secondly, the transfer of impurities that are difficult to evaporate in vacuum into their volatile compounds in a chemically active oxidizing electron beam plasma. It has been established that the removal of different groups of impurities must be carried out at different temperatures in the range 1300–1900 °C.
 

Автор (ы): Щукин Виктор Геннадьевич
Соавтор (ы): Константинов Виктор Олегович
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
533.9.07. Установки и аппаратура для изучения и создания плазмы
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2024-6-11-16
Для цитирования:
ЩУКИН В. Г., КОНСТАНТИНОВ В. О. ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ РАСПЛАВА МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ НА ПРОЦЕСС ЕГО ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЙ ОЧИСТКИ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2024. №6
Текстовый фрагмент статьи