Обработка поверхности GaN (без травления материала) в высокочастотном индукционном (ВЧИ) разряде в газе BCl3 является перспективным методом изготовления омических контактов с низким сопротивлением для полевых транзисторов на основе GaN. В ряде случаев такая обработка в BCl3-плазме приводит к деградации омического контакта, так как радикалы BClx склонны к образованию полимеров типа BxCly. В настоящей работе рассмотрены механизмы воздействия BCl3 плазмы ВЧИ-разряда на поверхность GaN. С помощью численного моделирования плазмы определены соответствующие значения пороговых энергий ионов, при которых происходит удаление полимерной пленки BxCly и инициируется процесс травления GaN. Показано, что промежуточный режим плазменной обработки поверхности без осаждения полимера и без травления GaN реализуется в интервале энергий ионов 32÷60 эВ.
Consideration is given to inductively coupled BCl3-plasma (ICP) treatment of the GaN surface, which is a promising technique to get the low resistance ohmic contacts in GaN-based transistors. In some case, BCl3 plasma treatment results in ohmic contact degradation, because BClx radicals tend to form a polymer thin film BxCly on the surface. In present work the mechanisms of BCl3 plasma interaction with GaN surface are considered. Threshold ion energies of reactive ion etching for polymer BxCly and semiconductor GaN, respectively, are estimated using numerical plasma modeling. It has been demonstrated that a plasma treatment regime without polymer deposition and reac etching is possible, when an ion energy is in the range 3260 eV.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 36426126
