Архив статей журнала

Метод контроля загрязнения поверхности полупроводниковой пластины по изменению шероховатости (2020)
Выпуск: том 8 № 5 (2020)
Авторы: Трухачев Антон Владимирович, Трухачева Наталия Сергеевна, Седнев Михаил Васильевич, Алеев Рафиль Мухтарович

В работе описан метод контроля загрязнения поверхности полупроводниковых пластин на различных этапах производства. Этот метод включает в себя измерение шероховатости поверхности пластины на различных этапах проводимых операций. При этом степень загрязнения контролируемой поверхности определяется по характеру и величине шероховатости.

От наличия или отсутствия загрязнения, а также от его природы и количества зависит качество промежуточных результатов технологического процесса и необходимость выполнения тех или иных технологических операций, что, в свою очередь, напрямую связано с конечными характеристиками фоточувствительных элементов.

Сохранить в закладках
Фотосенсорика коротковолнового ИК-диапазона спектра (2021)
Выпуск: том 9 № 6 (2021)
Авторы: Болтарь Константин, Бурлаков Игорь, Яковлева Наталья, Полесский Алексей Викторович, Седнев Михаил Васильевич, Кузнецо Петр Александрович, Рудневский Владимир Сергеевич

Представлены достижения в области создания высокочувствительных фотоприемных устройств (ФПУ) на основе гетероструктур InGaAs с широкозонным барьерным слоем InAlAs коротковолнового инфракрасного диапазона спектра. Предложены конструктивных решения построения ФПУ спектрального диапазона 0,9–1,7 мкм с малой неоднородностью параметров и дефектностью пикселей менее 0,5 %. Рассмотрены возможности расширения спектрального диапазона в коротковолновую до 0,5 мкм и в длинноволновую до 2,2 мкм области спектра ФПУ на основе гетероструктур InGaAs.

Изложены принципы конструирования активно-импульсных систем, использующих ФПУ на основе InGaAs формата 320256 элементов с шагом 30 мкм, измеряющих расстояние до цели в спектральном диапазоне 0,9–1,7 мкм. Исследованы параметры матричного инфракрасного дальномера на основе ФПУ формата 320256 элемен-тов с шагом 30 мкм, обеспечивающего разрешение по дальности до 0,6 м.

Сохранить в закладках
Исследование профиля краевой металлизации оптически прозрачных окон, формируемого методом магнетронного напыления (2023)
Выпуск: том 11 № 6 (2023)
Авторы: Трухачев Антон Владимирович, Болтарь Константин, Мансветов Николай Георгиевич, Седнев Михаил Васильевич, Трухачева Наталия Сергеевна, Зубкова Елена Николаевна, Прахов Никита Викторович

Исследуется процесс формирования краевой металлизации на входных окнах (германиевых, кремниевых и других дисках), используемых для ввода принимаемого светового потока фотоприемником, находящимся в защитном герметичном корпусе. В работе представлены результаты экспериментального исследования зависимости профиля краевой металлизации Ge дисков, формируемого магнетронным напылением, от конструктивных параметров загрузочного устройства. Представлены варианты конструкций загрузочных устройств. Экспериментально показано влияние толщины на профили краевой металлизации элементов конструкции загрузоч-ного устройства, маскирующих диски при напылении.

Сохранить в закладках