Исследовано распределение чувствительности по площади пикселя матричного фотоприемника на основе антимонида индия с помощью неразрушающего метода сканирующей маски на основе открытой зондовой установки ускоренного тестирования.
Consideration is given to the distribution of sensitivity along the area of indium antimonide FPA pixel obtained with the aid of the nondestructive method of the scanning mask on the basis of the fast testing open probe installation.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 621.315.59. Проводники с особо высоким сопротивлением. Полупроводники
621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
621.383.5. Фотоприемники с запирающим слоем - Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2021-5-44-52
- eLIBRARY ID
- 47161065
В результате проведенных исследований установлено, что влияние дефектов изготовления окошек сканирующей маски и величина зазора между маской и МФП являются наиболее значимыми факторами погрешности измерения распределения чувствительности по элементу. Проанализировано влияние зазора между сканирующей маской и МФП на геометрическое и дифракционное размытие и сделан вывод о необходимости его минимизации до достигнутого уровня неплоскостности утоньшенных структур МФП 12 мкм.
Из полученных распределений чувствительности выявлена пирамидальность формы и квадратоподобный характер среза в горизонтальной плоскости, что соответствует плотной упаковке элементов в матричном фотоприемнике, а именно квадратной форме изготовления мезы. Полученные распределения чувствительности и фотоэлектрической взаимосвязи для МФП с шагом 40 мкм на основе InSb в зависимости от толщины ФЧ слоя показали, что при толщине менее 10 мкм ближняя взаимосвязь в области 33 элемента не превышает 5 %, а дальняя взаимосвязь в области 55 элементов по вертикали и диагонали не превышает 0,5 %.
Список литературы
- Болтарь К. О., Киселева Л. В., Лопухин А. А., Са-востин А. В. Способ изготовления матричного фотоприемника (варианты). Патент № RU2460174C1 от 04.05.2011.
- Shkedy L., Armon E., Avnon E., Ari Ben N., Brumer M., Jakobson C., Klipstein P. C., Lury Y., Magen O., Milgrom B., Rosenstock T., Shiloah N., Shtrichman I. // Proc. SPIE 2021. Vol. 11741, Infrared Technology and Applications XLVII, P. 117410W.
- Болтарь К. О., Власов П. В., Лазарев П. С., Лопухин А. А., Чишко В. Ф. // Прикладная физика. 2020. № 1. С. 18.
- Лопухин А. А., Болтарь К. О., Власов П. В., Ерошенков В. В., Чишко В. Ф., Кощавцев Н. Ф., Ларионов Н. А. // Успехи прикладной физики. 2020. Т. 8. № 5. С. 334.
- ISO/TC42/WG18 «Resolution and spatial frequency response», International Organization for Standardization (ISO), 2000.
- Delaunay Pierre-Yves, Nosho Brett Z., Gurga Alexander R., Terterian Sevag, Rajavel Rajesh D. // Infra-red Technology and Applications XLIII, Proc. of SPIE. 2017. Vol. 10177. Р. 101770T-1.
- Itay Shtrichman et al. // Proceedings of SPIE. 2007. Vol. 6542. P. 288.
- Milton A. F., Barone F. R., Krue M. R. // Optical Engineering. 1985. Vol. 24 (5). P. 855.
- Болтарь К. О., Чишко В. Ф., Лопухин А. А., Власов П. В., Акимов В. М., Ефимов И. В., Ерошенков В. В., Киселева Л. В., Савостин А. В. «Открытая зондовая уста-новка тестирования матричных фотоприёмников и способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников» Патент № RU 2624623 C1 от 04.07.2017 Бюл. № 19.
- ГОСТ 17772-88. Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик, 1988, Метод 1.17 определения коэффициента фотоэлектрической связи многоэлементного ФПУ. С. 27.
- K. O. Boltar, L. V. Kiseleva, A. A. Lopukhin, and A. V. Savostin, RF Patent No. RU2460174C1, April 5, 2011.
- L. Shkedy, E. Armon, E. Avnon, N. Ben Ari, M. Brumer, C. Jakobson, P. C. Klipstein, Y. Lury, O. Magen, B. Milgrom, T. Rosenstock, N. Shiloah, I. Shtrichman Proc. SPIE 11741, Infrared Technology and Applications XLVII, 117410W (April 12, 2021).
- K. O. Boltar, P. V. Vlasov, P. S. Lazarev, A. A. Lopukhin, and V. F. Chishko, Applied Physics, No. 1, 18 (2020) [in Russian].
- A. A. Lopukhin, K. O. Boltar, P. V. Vlasov, V. V. Eroshenkov, V. F. Chishko, N. F. Koschavtsev, and N. A. Lari-onov, Usp. Prikl. Fiz. 8 (5), 334 (2020).
- ISO/TC42/WG18 “Resolution and spatial frequency response,” International Organization for Standardization (ISO), 2000.
- Pierre-Yves Delaunay, Brett Z. Nosho, Alexander R. Gurga, Sevag Terterian and Rajesh D. Rajavel Infrared Technology and Applications XLIII, Proc. of SPIE 10177, 101770T-1 (2017).
- Itay Shtrichman et al. Proceedings of SPIE. 6542, 288 (2007).
- A. F. Milton, F. R. Barone, and M. R. Krue Optical Engineering 24 (5), 855 (September/October 1985).
- K. O. Boltar, V. F. Chishko, A. A. Lopukhin, P. V. Vlasov, V. M. Akimov, I. V. Efimov, V. V. Eroshenkov, L. V. Kiseleva, and A. B. Savostin, RF Patent No. RU 2624623 C1, April 7, 2017
- GOST 17772-88. Optical Detectors. FPA
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Чистолинов А. В., Тюфтяев А. С., Гаджиев М. Х.
Напряженность электрического поля в разряде с жидким электролитным катодом в воздухе при атмосферном давлении 5
Мошкунов С. И., Романов К. И., Хомич В. Ю., Шершунова Е. А.
Условия зажигания самопульсирующего разряда с микрополым катодом в воздухе при атмосферном давлении 11
Куриленков Ю. К., Тараканов В. П., Огинов А. В.
О скейлинге мощности DD-синтеза в наносекундном вакуумном разряде 16
Гавриш С. В.
Динамика формирования плазменного канала после зажигания разряда в цезий–ртуть-ксеноновых импульсных лампах 25
Панов В. А., Печеркин В. Я., Василяк Л. М., Куликов Ю. М., Ветчинин С. П., Савельев А. С.
Удаление изопропилового спирта электрическим разрядом из водного раствора с микропузырьками 32
Ивандиков Ф. И., Задириев И. И., Кралькина Е. А.
Физические процессы в маломощном индуктивном источнике плазмы в слабом внешнем магнитном поле 38
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Лопухин А. А., Болтарь К. О., Акимов В. М., Арбузов М. А.
Распределение чувствительности по площади пикселя матричного фотоприемника, ограниченной дифракционным пределом сканирующей маски 44
Вильдяева М. Н., Макарова Э. А., Климанов Е. А., Ляликов А. В., Малыгин В. А.
Влияние режимов диффузии фосфора на формирование дефектов в окисле 53
Маслов Д. В., Куликов В. Б., Барабанов А. Б.
Измерение теплопритоков вакуумных корпусов-криостатов инфракрасных матричных фотоприёмных устройств 58
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Потапов С. Н., Козлов Д. В.
Получение высокотеплопроводных алюминий-графитовых композитных материалов методом пропитки пористых заготовок чешуйчатого графита расплавом алюминиевого сплава под давлением 68
Исмаилов А. М., Муслимов А. Э.
Травление пленок ZnO фокусированным потоком электронов средних энергий
(до 70 кэВ) 75
Тютюник А. С., Гурченко В. С., Мазинов А. С.
Исследование температурных зависимостей вольт-амперных характеристик гибридных органических материалов на основе цинковых комплексов 81
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Василяк Л. М., Владимиров В. И., Депутатова Л. В., Печеркин В. Я., Сыроватка Р. А., Филинов В. С.
Линейная квадрупольная ловушка Пауля с заряженной нитью 88
Ерофеев Е. В., Полынцев Е. С., Ишуткин С. В.
Исследование тонкопленочных резисторов на основе нитрида тантала, полученных методом реактивного магнетронного распыления, для устройств радиофотоники 93
Смыгачева А. С., Корчуганов В. Н., Фомин Е. А.
Новый бустерный синхротрон на энергию электронов 2,5 ГэВ для Курчатовского источника синхротронного излучения 99
Кравчук Д. А.
Построение оптоакустического изображения биологических тканей на основе алгоритма для графического процессора 106
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
A. V. Chistolinov, A. S. Tyuftyaev, and M. Kh. Gadzhiev
Electric field strength in a discharge with a liquid electrolyte cathode in air at atmospheric pressure 5
S. I. Moshkunov, K. I. Romanov, V. Yu. Khomich, and E. A. Shershunova
Ignition conditions for a self-pulsing discharge with the microhollow cathode in air 11
Yu. K. Kurilenkov, V. P. Tarakanov and A. V. Oginov
Scaling of DD fusion power in a nanosecond vacuum discharge 16
S. V. Gavrish
The dynamics of the formation of a plasma channel after the ignition of a discharge in cesium-mercury-xenon pulsed lamps 25
V. A. Panov, V. Ya. Pecherkin, L. M. Vasilyak, Yu. M. Kulikov, S. P. Vetchinin, and
A. S. Saveliev
Removal of isopropyl alcohol by electrical discharge from an aqueous solution with microbubbles 32
F. I. Ivandikov, I. I. Zadiriev, and E. A. Kralkina
Physical processes in a low-power inductive plasma source in the presence of a weak magnetic field 38
PHOTOELECTRONICS
A. A. Lopukhin, K. O. Boltar, V. M. Akimov, and M. A. Arbuzov
Distribution of sensitivity along the area of FPA pixel, limited by the diffraction limit of the scanning mask 44
M. N. Vil’dyaeva, E. A. Makarova, E. A. Klimanov, A. V. Lyalikov, and V. A. Malygin
Influence of phosphorus diffusion modes on the formation of defects in an oxide 53
D. V. Maslov, V. B. Kulikov, and A. B. Barabanov
The heat leakage measurement of dewars for infrared detector arrays 58
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
S. N. Potapov and D. V. Kozlov
Production of high thermal conducting aluminum-graphite composite materials by the press-squeeze method utilizing porous graphite preforms and aluminum alloys 68
A. M. Ismailov and A. E. Muslimov
Etching of ZnO films by a focused flow electrons with medium energies (up to 70 keV) 75
A. S. Tyutyunik, V. S. Gurchenko, and A. S. Mazinov
Investigation of temperature dependences of current-voltage characteristics of hybrid organic materials based on zinc complexes 81
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
L. M. Vasilyak, V. I. Vladimirov, L. V. Deputatova, V. Ya. Pecherkin, R. A. Syrovatka, and
V. S. Filinov
Linear quadrupole Paul trap with a charged filament 88
E. V. Erofeev, E. S. Polyntsev, and S. V. Ishutkin
Investigation of reactively sputtered TaN thin-film resistors for microwave photonic applications 93
A. S. Smygacheva, V. N. Korchuganov, and E. A. Fomin
2.5 GeV booster synchrotron for a new Kurchatov synchrotron radiation source 99
D. A. Kravchuk
Construction of an optoacoustic image of biological tissues based on an algorithm for a graphics processor 106
Другие статьи выпуска
Использование оптического контраста между различными частицами крови, позволяет использовать оптоакустический метод для визуализации распределения частиц крови (эритроцитов, с учетом кислородонасыщения), доставки лекарственных препаратов в органы по кровеносным сосудам. Разработан алгоритм вычисления ультразвукового поля, полученного в результате оптоакустического взаимодействия, для ускорения расчетов на плате GPU. Предложена архитектура быстрого восстановления оптоакустического сигнала на основе программирования графического процессора (GPU). Используемый алгоритм в сочетании с методом предварительной миграции обеспечивает улучшение разрешения и резкости оптоакустического изображения моделируемых биологических тканей. Благодаря усовершенствованной вычислительной архитектуре на графическом процессоре (GPU) время затратный процесс вычислений на главном процессоре (CPU) ускоряется с большой вычислительной эффективностью.
Проект глубокой модернизации действующего ускорительно-накопительного комплекса и создания на базе его инфраструктуры источника синхротронного излучения 3-го поколения разрабатывается в НИЦ «Курчатовский институт». Модернизация включает полную замену основного накопителя электронов и инжекционного комплекса. Бустерный синхротрон как часть нового инжекционного комплекса должен обеспечить надежную и стабильную работу нового основного накопителя – источника синхротронного излучения. В работе представлена магнито-оптическая структура нового бустерного синхротрона и ее основные параметры.
Исследованы электрофизические характеристики и их термическая стабильность тонкопленочных резисторов на основе нитрида тантала (TaN), полученных методом реактивного магнетронного распыления. Определены оптимальные режимы процесса магнетронного распыления, обеспечивающие получение пленок фазового состава Ta2N со значением удельного электрического сопротивления 250 мкОм см и высокой термической стабильностью параметров. При использовании полученных результатов были изготовлены согласующие тонкопленочные резисторы для электрооптического модулятора Маха-Цендера на основе InP.
Заряженная нить, натянутая вдоль оси линейной электродинамической ловушки, совершает колебательно-вращательное движение, в результате которого заряженные частицы захватываются нитью в областях пучностей. Такая динамическая нить фактически является дополнительной ловушкой внутри ловушки Пауля.
Проведен анализ вольт-амперных характеристик в температурном диапазоне
гибридного органического материала C24H24N6O3Zn с целью определения перспектив использования этого соединения в качестве полупроводникового материала. Измерения выполнены в диапазоне температур 270–330 К. Проведён электрохимический анализ исследуемого координационного соединения, рассчитаны энергии уровней HOMO и LUMO. Описана методика получения, микроскопия, а также методика измерения температурных зависимостей электрических свойств полученных тонких пленок. Рассчитан ряд фундаментальных величин плёнок данного координационного соединения: энергия активации 0,88 эВ и подвижность носителей заряда 1,4710-11 см2 В-1 с-1.
Представлены результаты исследования процессов травления (~200 нм/мин) пленки ZnO фокусированным пучком электронов средней энергии (70 кэВ) при плотности потока 1021 см-2с-1 в условиях вакуума 910–5 Па. Показано, что модель травления пленки ZnO, основанная на процессах термодесорбции и электронно-стимулированной десорбции, не подтверждается расчетами. Предложен возможный механизм травле-ния, в основе которого лежит радиолиз, вызванный Оже-распадом в приповерхностных слоях пленок ZnO. Полученные результаты могут иметь важное значение как в исследовании радиационной стойкости устройств на основе ZnO, так и в развитии методов микронного и субмикронного травления данного материала.
Рассмотрен процесс получения высокотеплопроводных алюминий-графитовых композитных материалов методом пропитки пористых заготовок чешуйчатого графита расплавом алюминиевого сплава под давлением. Показано, что скорость проведения процесса, состав алюминиевого сплава обеспечивают формирование плотной, бездефектной и беспористой термоинтерфейсной границы между графитом и алюминиевым сплавом, отмечается отсутствие кристаллических включений третьих фаз, таких как SiC, Al4C3. Приведен пример оценки итоговой теплопроводности образца композитного материала с учетом влияния ориентации графитовых частиц и термоинтерфейсной теплопроводимости матрица-наполнитель.
Представлен анализ нескольких модификаций калориметрического метода измерения теплопритоков вакуумных корпусов-криостатов инфракрасных матричных фотоприёмных устройств. Проведены измерения теплопритоков как с учётом, так и без учёта теплоёмкости отходящих паров азота. Проанализирован процесс теплообмена между отходящими парами азота и стенками колодца криостата. Показано, что наиболее достоверные результаты получаются при применении подхода с калибровкой.
С использованием оптической микроскопии, РЭМ, атомно-силового микроскопа и профилометра определены форма, размеры и примесный состав локальных дефектов, возникающих в слое двуокиси кремния при диффузии фосфора. Причиной образования дефектов в пассивирующем окисле при диффузии фосфора является локальное плавление SiO2 при взаимодействии с жидкими каплями фосфорно-силикатного стекла. Снижение температуры процесса осаждения (загонки) фосфора и концентрации POCL3 в газовом потоке приводит к уменьшению плотности дефектов окисла.
Исследовано влияние внешнего магнитного поля с индукцией менее 150 Гс на картину вложения мощности в маломощный индуктивный разряд и на структуру продольных ВЧ-полей в плазме разряда. Показано, что вложение ВЧ-мощности в разрядную плазму, а также распределения амплитуды и фазы продольной компоненты магнитного ВЧ-поля вдоль оси системы немонотонно зависят от величины магнитного поля.
Экспериментально исследовано удаление примесей изопропилового спирта с начальной объёмной концентрацией 20 % в ячейке с объёмом рабочей зоны 831 см3 в водном потоке с мелкодисперсными воздушными пузырьками с расходом раствора 2 м3/час квазиобъемным электрическим разрядом, получаемым с помощью многоэлектродной системы секционированных игольчатых электродов. При переменном напряжении промышленной частоты 50 Гц создание мелкодисперсной фазы с пузырьками воздуха в электроразрядной ячейке повышает эффективность удаления изопропилового спирта из потока воды на 6 %.
Исследованы спектральные характеристики излучения импульсного разряда в цезий–ртуть-ксеноновой смеси при формировании плазменного канала с момента зажигания до выхода в номинальный режим работы импульсной лампы. Показано, что по мере наращивания электрической мощности разряда спектральные линии излучения паров ртути изменяют свою интенсивность, а линии цезия самообращаются. Выявлено, что интенсивность спектральных линий в разных областях плазменного канала отличается в связи с наличием продольных градиентов температуры.
Ранее в наносекундным вакуумном разряде (НВР) с дейтерированным Pd-анодом наблюдалось появление DD-нейтронов не только на хорошо изученной квазистационарной стадии, где в межэлектродном пространстве возникает виртуальный катод (ВК), но и на самой начальной стадии разряда. Анализ эксперимента показывает, что автоэлектронный пучок может играть роль своего рода триггера для запуска процессов DD-синтеза на поверхности или в объеме Pd-анода, но его механизм на начальной стадии разряда оставался неясным. В данной работе проведено PIC-моделирование возможного частичного проникновения пучка автоэлектронов внутрь полых анодных Pd-трубок. Это приводит к образованию короткоживущих ВК очень малых размеров внутри отдельных Pd-трубок, где, начиная с величины тока в 100 А, оказывается возможен DD-микросинтез. Показано, что в устройствах с осциллирующими ионами скейлинг мощности DD-синтеза, которая увеличивается с уменьшением радиуса ВК, может сохраняться вплоть до rВК 0,02 см.
Экспериментально исследованы электрические характеристики разряда с микрополым катодом в воздухе при атмосферном давлении. Установлено, что разряд с микрополым катодом развивается в самопульсирующем режиме при среднем потребляемом токе сотни микроампер – единицы миллиампер. На основании экспериментальных данных сделан вывод о том, что частота самопульсации линейно зависит от потребляемого тока. Получены данные о напряжении зажигания самопульсирующего разряда с микрополым катодом при различных диаметрах отверстия в катоде 200–500 мкм.
Измерена напряжённость электрического поля в канале разряда с жидким электролитным катодом при атмосферном давлении в воздухе в диапазоне токов 20–90 мА. Найдены зависимости напряжённости поля от величины разрядного тока для водных растворов с разным составом и с разными значениями рН, но с одной и той же удельной электропроводностью 300 мкСм/см. Показано, что эти зависимости мало отли-чаются друг от друга. Получена усреднённая по составу раствора зависимость напряжённости поля в разряде с жидким катодом от тока разряда.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400