ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Травление пленок ZnO фокусированным потоком электронов средних энергий (до 70 кэВ) (2021)

Читать онлайн

Представлены результаты исследования процессов травления (~200 нм/мин) пленки ZnO фокусированным пучком электронов средней энергии (70 кэВ) при плотности потока 1021 см-2с-1 в условиях вакуума 910–5 Па. Показано, что модель травления пленки ZnO, основанная на процессах термодесорбции и электронно-стимулированной десорбции, не подтверждается расчетами. Предложен возможный механизм травле-ния, в основе которого лежит радиолиз, вызванный Оже-распадом в приповерхностных слоях пленок ZnO. Полученные результаты могут иметь важное значение как в исследовании радиационной стойкости устройств на основе ZnO, так и в развитии методов микронного и субмикронного травления данного материала.

Consideration is given to the results of the study of etching processes ( 200 nm/min) of a ZnO film by a focused electron beam with medium energy (70 keV) under vacuum conditions of 910-5 Pa. It was shown that the construction of a model of the ZnO film etching during elec-tron bombardment, taking into account the likely thermal desorption and electron-stimulated desorption, is not confirmed by calculations. A possible etching mechanism based on the radiolysis caused by Auger decay in near-surface layers of ZnO films is proposed.

Ключевые фразы: оксид цинка, травление, поток электронов, zinc oxide, etching, electron flow
Автор (ы): Исмаилов Абубакр (Абакар) Магомедович
Соавтор (ы): Муслимов Арсен Эмирбегович
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
535.016. Оптические явления, зависящие от свойств поверхностей раздела
539.231. механическим путем, например напылением
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2021-5-75-80
eLIBRARY ID
47161069
Для цитирования:
ИСМАИЛОВ А. (., МУСЛИМОВ А. Э. ТРАВЛЕНИЕ ПЛЕНОК ZNO ФОКУСИРОВАННЫМ ПОТОКОМ ЭЛЕКТРОНОВ СРЕДНИХ ЭНЕРГИЙ (ДО 70 КЭВ) // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2021. № 5
Текстовый фрагмент статьи