ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Влияние режимов диффузии фосфора на формирование дефектов в окисле (2021)

Читать онлайн

С использованием оптической микроскопии, РЭМ, атомно-силового микроскопа и профилометра определены форма, размеры и примесный состав локальных дефектов, возникающих в слое двуокиси кремния при диффузии фосфора. Причиной образования дефектов в пассивирующем окисле при диффузии фосфора является локальное плавление SiO2 при взаимодействии с жидкими каплями фосфорно-силикатного стекла. Снижение температуры процесса осаждения (загонки) фосфора и концентрации POCL3 в газовом потоке приводит к уменьшению плотности дефектов окисла.

Using optical microscopy, SEM, atomic force microscope and profilometer, the shape, size and impurity composition of local defects occurring in the silicon dioxide layer during phosphorus diffusion were determined. The reason for the formation of defects in the passivating oxide during phosphorus diffusion is the local melting of SiO2 in interaction with liquid drops of phosphoric-silicate glass. A decrease in the temperature of the phosphorus deposition process and the concentration of POCL3 in the gas stream leads to a decrease in the density of oxide defects.

Ключевые фразы: диффузия, дефекты, окисел, режим, фосфор, двуокись кремния, diffusion, defects, OXIDE, mode, phosphorus, silicon dioxide
Автор (ы): Вильдяева Мария Николаевна
Соавтор (ы): Макарова Элина Алексеевна, Климанов Евгений Алексеевич, Малыгин Владислав Анатольевич
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383. Фотоэлектроника
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2021-5-53-57
eLIBRARY ID
47161066
Для цитирования:
ВИЛЬДЯЕВА М. Н., МАКАРОВА Э. А., КЛИМАНОВ Е. А., МАЛЫГИН В. А. ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА НА ФОРМИРОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В ОКИСЛЕ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2021. № 5
Текстовый фрагмент статьи