SCI Библиотека

Рассматривается заимствование декоративных элементов в экстерьере первых петровских монет «европейского» вида и их предполагаемые зарубежные прототипы. Исследование проведено методом сравнительного анализа изображений нумизматического материала Европы XVII в. и номиналов первых петровских массовых выпусков (1700-1701 гг.). Прежде в специальной литературе данная тема затрагивалась вскользь, так как объектами рассмотрения становились только монетный портрет царя и гербовый орел на младших номиналах.

Цель исследования состоит в выявлении иностранных заимствований в оформлении экстерьера первых монет европейского образца, осуществленные лично Петром I. Комплексное изучение деталей монетного дизайна привело к выводу о том, что Петр I взял из европейского опыта оформления монетного пространства, наряду с круглой формой и самим словом «монета», перечень ключевых деталей изображения и их место в монетном поле. При заимствовании деталей изображения на монетах царь осуществлял выбор из огромного количества вариантов таких деталей, руководствуясь при этом личными предпочтениями.

В работе изучалось воздействие плазменной обработки в среде азота на DC-характеристики HEMT-транзисторов. Показано, что падение токов насыщения транзистора в результате плазменной обработки высокоэнергетичными ионами может быть связано с образованием на поверхности GaN cap-слоя транзисторной структуры зарядовых рассеивающих центров, которые приводят к кулоновскому рассеянию носителей в 2DEG канале, что приводит к падению тока насыщения приборов.

Представлен анализ нацистской оккупационной политики в сфере образования на территории Северо-Запада РСФСР. Работа основана на документах Государственного архива Российской Федерации, Центрального государственного архива историко-политических документов Санкт-Петербурга и Центрального государственного архива Санкт-Петербурга. Использованы документы и материалы Чрезвычайной государственной комиссии по установлению и расследованию злодеяний немецко-фашистских захватчиков и их сообщников, делопроизводственные документы партизан, документация, связанная с деятельностью органов оккупационной администрации в области школьного образования. Отдельной группой источников выступают документы личного происхождения (воспоминания), опубликованные в различных сборниках. Авторы показывают сокращение количества школ и численности обучающихся в регионе, анализируют изменения в содержании учебных планов и программ, исследуют мероприятия школьного оккупационных властей в отношении преподавательских кадров, рассматривают проблемы организации учебного процесса. В исследовании отмечено, что нацистская оккупационная политика в области образования была нацелена на искоренение из образовательного процесса советской идеологии, установление тотального контроля над подрастающим поколением, воспитание из детей и подростков рабочих кадров для Германии. Авторы приходят к выводу, что наладить полноценный учебно-воспитательный процесс на Северо-Западе РСФСР в условиях оккупации не удалось по многим причинам: из-за большого отсева учащихся, действий партизан, нехватки педагогических кадров, учебной литературы и школьных принадлежностей, помещений. Голод, лишения, смерть близких стали постоянными спутниками повседневной жизни детей и подростков в эти годы. Многие из них были лишены возможности посещать школу.

Рассмотрен метод синтеза плоских нанокристаллов галогенида серебра на желатиновой матрице методом двухструйной эмульсификации. Полученные кристаллы изучались с помощью атомно-силового микроскопа и оптического микроскопа Velomet. Формирование центров скрытого изображения на кристаллах галогенида серебра связано с наличием дефектов, на которых скапливаются ионы серебра, образуя кластеры. Учтен факт, изменения напряжённости электрического поля кластера с увеличением числа атомов серебра в кластере. Приведены теоретические расчеты длины пробега фотоэлектронов до их захвата центрами скрытого изображения. Сделан вывод о том, что эмульсионные нанокристаллы, размеры которых достигают 25–50 нм, являются наиболее оптимальными с точки зрения светочувствительности и разрешающей способности.

Исследовано влияние твердофазного спекания порошкового материала системы Cu-SiC на его структуру и свойства. Получены данные о коэффициенте теплового расширения, микроструктуре, плотности, пористости и фазовом составе композиционном материале Cu-SiC с различным содержанием карбида кремния.

Предложен и реализован в эксперименте метод измерения профилей концентрации активных ионов в поликристаллическом Cr2+: ZnSe, с использованием пироэлектрической камеры и непрерывного волоконного тулиевого лазера в качестве источника монохроматического излучения на 1,9 мкм. В результате сравнения с методом сканирования остросфокусированным пучком Tm3+: YLF лазера было показано, что оба метода дают близкие результаты при измерении концентрационного профиля в поверочном образце Cr2+: ZnSe, однако предложенный метод обладает большей универсальностью и значительно сокращает время на проведение исследований.

Рассмотрена возможность использования сенсора с трансдьюсером, содержащим квантовые точки на основе полупроводникового коллоидного материала на основе CdSe/CdS/ZnS (квантовые точки) для анализа I2 в газовых и жидких средах, в том числе в продуктах переработки облученного ядерного топлива. Установлен эффект сильного тушения люминесценции квантовых точек молекулярным йодом. Обсуждены возможные причины этого явления. Проведен синтез квантовых точек с полупроводниковой оболочкой с максимумом длины волны люминесценции при 633 нм. Проведена модификация их поверхности органосиланами, что позволило получить высокую фотостабильность, совместимость с водными и водно-спиртовыми средами, а также получить значение квантового выхода люминесценции не ниже, чем для квантовых точек до модификации (85%). Для получения чувствительного элемента квантовые точки были введены в пористую матрицу из фторсодержащего сополимера F-42. Приведена кинетика тушения и разгорания люминесценции в процессе сорбции и десорбции паров йода. Оценена чувствительность метода, которая составила 10-5 мг/л.

Идентифицируется личный состав 857-го артиллерийского полка первого формирования 316-й стрелковой дивизии. Несмотря на многочисленные макростатистические исследования и активные базы данных, посвященные Великой Отечественной войне, все еще много защитников Родины 1941-1945 гг. остаются неназванными и неизвестными. Чтобы заполнить эти пробелы в знаниях, авторы сосредоточиваются на исследовании 316-й стрелковой дивизии, сформированной в Алма-Ате, с призванными из Средне-Азиатского военного округа. Методологический подход включал перекрестный текстовый и дискурсивный анализ полковых и дивизионных документов из Центрального архива Министерства обороны Российской Федерации и сопоставление полученных материалов с выводами из научной литературы о боевых действиях в ходе обороны Москвы в 1941 г. Результатом исследования стала комплексная реконструкция организации, оснащения, должностных обязанностей личного состава 857-го артиллерийского полка. Разделение данных на установленные штатным расписанием Красной армии и фактические цифры на местах позволило проследить изменения в динамике в ходе боевых действий. Результатом исследования стало уточнение личного состава и боевого пути 857-го артиллерийского полка, что имеет важное значение для дальнейшего изучения действий более крупных воинских соединений.

Работа посвящена использованию индия для формирования низкоомных микроконтактов к контактным слоям арсенида галлия гетероэпитаксиальных QWIP-структур для изготовления матричного фотоприёмника излучения ИК-диапазона. В технологии изготовления фоточувствительных элементов металлические контакты к контактным слоям GaAs нижнего и верхнего уровней с необходимыми свойствами получают вакуумным напылением никеля и золота с последующим быстрым отжигом при температуре 450 оС в атмосфере водорода. Эта технология включает проведение ряда трудоемких последовательных операций: изготовление фотошаблонов, фотолитография, травление меза-элементов, напыление металлов на два уровня, осуществление которых на тестовых образцах небольших размеров (краевые сегменты пластин) крайне затруднено. В настоящей работе проведено исследование возможности альтернативных способов создания низкоомных контактов к контактным слоям QWIP GaAs/AlGaAs-структур.

В данной статье представлен анализ зонных диаграмм барьерных фоточувствительных структур на основе CdxHg1-xTe (КРТ) для средней и дальней области излучения инфракрасного диапазона, работающих при температурах, близких к комнатным. Целью работы было формирование методики расчёта профилей энергетических зон в подобных структурах, учитывающей особенности реальных структур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведены расчёты зонных диаграмм реальной фоточувствительной структуры на основе КРТ, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии в ИФП СО РАН (Новосибирск).