Представлены результаты исследования влияния на вольтамперные характеристики (ВАХ) элементов матриц фоточувствительных элементов (ФЧЭ) на основе XBn-InGaAs структур характеристик формирования пассивирующего покрытия и используемых материалов, а также воздействие потока низкоэнергетичных ионов аргона. Пассивирующие покрытия получали методами магнетронного и резистивного напыления диэлектрических материалов сульфида цинка (ZnS), монооксида кремния (SiO) и фторида иттрия (YF3). Показано, что воздействие низкоэнергетичных ионов аргона приводит к катастрофическому увеличению темновых токов непассивированных элементов матриц.
Экспериментально и теоретически исследованы вольт-амперные характеристики высоковольтного российского карбидокремниевого диода Шоттки 5ДШ410А1 в диапазоне температур от 298 К до температуры жидкого азота. Установлено, что при снижении температуры от 298 К до 78 К значение прямого тока возрастает примерно в два раза (до 211 А), а обратное напряжение достигает 1450 В. Теоретически описаны прямые и обратные вольт-амперные характеристики при температуре 78 К. Продемонстрирована возможность стабильной работы диода Шоттки 5ДШ410А1 при низких температурах.
Показано, что предварительная термическая обработка в кислороде и азоте при 1150 С в течение нескольких часов значительно снижает неравномерность в распределении времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии, выращенном методом Чохральского, при последующих диффузионных процессах. Полученный результат объясняется образованием при отжиге приповехностной зоны с пониженной концентрацией кислорода, в которой подавляется рост кислородных преципитатов.
Пособие содержит теоретический материал по теории поля с подробным изложением разобранных практических задач. Приведены варианты контрольных работ, а также задач для самостоятельного решения. Рекомендовано для студентов, обучающихся по направлению 280100 «Природообустройство и водопользование». Может быть полезно для студентов, обучающихся по направлению 120700 «Землеустройство и кадастры».
Учебное пособие посвящено физическим и электродинамическим исследованиям многослойных структур методом матрицы. Решены задачи о распространении одномерных и электромагнитных волн при нормальном и наклонном (продольная и поперечная поляризации) падении на структуру, состоящую из произвольного числа сред с различными параметрами. Рассматриваются случаи однонаправленных и встречных волн. Определены матрицы распространения, связи, сопряжения, передачи, найдены амплитуды волн. Приведены зависимости коэффициентов отражения, прохождения и выхода от толщины сред при различных параметрах структуры. Пособие будет полезно студентам и аспирантам физических специальностей университетов и институтов, а также преподавателям, инженерам и научным работникам в области технических наук.
В электронном учебном пособии кратко излагаются основы физики твёрдого тела для изучения на физических или физико-математических факультетах педагогических институтов (университетов). Пособие разработано в соответствии с Государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования, утвержденным Министерством образования и науки Российской Федерации в 2005 г. Кроме традиционных тем физики твёрдого тела в пособии рассмотрены такие вопросы, как современные материалы (нанотрубки, графены, высокотемпературные сверхпроводники). Учебное пособие предназначено для студентов и преподавателей физических специальностей вузов.
В учебном пособии приведены теоретические основы проектирования основных устройств на цифровых интегральных микросхемах, основы алгебры логики, минимизация с помощью алгебраических методов, карт Карно, геометрических методов. Рассмотрены базовые элементы цифровой схемотехники на основе ТТЛ-технологии, КМОП-технологии, ЭСЛ-технологии, диодно-транзисторная логика и микросхемы с тремя состояниями. Приведены основные устройства цифровой микросхемотехники на основе триггеров, сумматоров, компараторов, узлов свертки по четности, кодирующих и декодирующих устройств. Рассмотрены счетчики, сумматоры, регистры. Приведены основы проектирования схем на мультиплексорах, рассмотрено применение алгебры логики при проектировании релейных схем.
Подробно изложена теория дифракции света в приближении Френеля применительно к различным преградам. Описывается методика выполнения лабораторных работ, приведены вопросы для самоконтроля, тесты и задачи, компьютерные модели, которые тесно связаны с теоретическим материалом. Предназначено для студентов очного и заочного отделений всех специальностей факультетов автоматики и электронного приборостроения, технической кибернетики и информатики Института радиоэлектроники и телекоммуникаций КАИ.
Структура и содержание учебного пособия соответствуют ГОС ВПО специальности «Физика». Приводятся классическая и квантовая теории свойств вещества в обобщенном виде. Материал пособия естественно продолжает курс «Физика конденсированного состояния» и изложен в форме, доступной для самостоятельного изучения и получения практических навыков расчета теплофизических параметров вещества. В приложении даны таблицы, содержащие теплофизические параметры металлов в области низких, средних и высоких температур. Предназначено для бакалавров, магистрантов, студентов, аспирантов и специалистов, обучающихся по направлению «Физика».
Учебное пособие, подготовленное преподавателями кафедры общей и экспериментальной физики факультета физики и информационных технологий МПГУ, содержит более 800 вопросов и задач, ответы к ним и рисунки. К наиболее сложным задачам даны развернутые ответы. Пособие соответствует программе по направлению 011200.62 «Физика».