Рассмотрено влияние параметров гибкой разделительной мембраны на порог чувствительности оптико-акустического приемника излучения ИК и ТГц диапазонов. Проведены обобщенные расчеты чувствительности мембран, выполненных на основе традиционных материалов: серебро, полиметилметакрилат, нитрид кремния. Анализируется перспективность применения однослойного графена, как наиболее перспективного материала для создания мембран. Показано, что графен является идеальным материалом для изготовления гибкой мембраны из-за его атомной толщины, высокой прочности, газонепроницаемости и высокой электропроводности. Представлены обобщенные расчеты чувствительности мембран из классического графена и его аллотропных модификаций. Показано, что повышение чувствительности при изготовлении мембран из классического графена составляет порядка 9 000, а из гексатриграфена порядка 300 000 по сравнению с наиболее чувствительными мембранами из полиметилметакрилата. Показано, что высокая прозрачность и высокая электропроводность графена являются решающими для выбора схемы приемник Хейса с динамическим конденсатором.
В настоящей работе проведено исследование закономерностей изменения стандартных энтальпии и энтропии образования соединений системы AIIIBV от порядкового номера элемента в Периодической системе. Построены зависимости стандартной энтальпии образования соединений системы AIIIBV от порядкового номера элемента А и элемента B в Периодической системе. Показано, что закономерности изменения характеристик соединений системы AIIIBV – стандартных энтальпий и энтропии в зависимости от положения элемента А и элемента В в Периодической системе аналогичны.
В настоящей работе проведено исследование закономерностей изменения стандартных энтальпии и энтропии образования соединений системы AIIIBV от порядкового номера элемента в Периодической системе. Построены зависимости стандартной энтальпии образования соединений системы AIIIBV от порядкового номера элемента А и элемента B в Периодической системе. Показано, что закономерности изменения характеристик соединений системы AIIIBV – стандартных энтальпий и энтропии в зависимости от положения элемента А и элемента В в Периодической системе аналогичны.
В настоящей работе проведено исследование закономерностей изменения стандартных энтальпии и энтропии образования соединений системы AIIIBV от порядкового номера элемента в Периодической системе. Построены зависимости стандартной энтальпии образования соединений системы AIIIBV от порядкового номера элемента А и элемента B в Периодической системе. Показано, что закономерности изменения характеристик соединений системы AIIIBV – стандартных энтальпий и энтропии в зависимости от положения элемента А и элемента В в Периодической системе аналогичны.
Проведен анализ диаграмм “плотность – давление” при одностороннем холодном прессовании смеси порошков меди и титана в закрытой пресс-форме. Выявлены основные этапы формования, их границы (по прикладываемому давлению) и характерные процессы, происходящие на каждом из них – разрушение/укладка структурных элементов и их упругая/пластическая деформация.
Исследованы электромагнитные характеристики двухслойных градиентных структур Mn-Zn ферритов, полученные электронно-лучевой обработкой. Проведен теоретический анализ и экспериментальное исследование полученных структур «немагнитный проводник–феррит», характеризующиеся повышением коэффициента затухания и уменьшением коэффициента отражения электромагнитной волны в 1,3–1,6 раза. Показана возможность получения тонких приповерхностных слоев, обедненных цинком, с повышенной электропроводностью.
В настоящей работе исследовано изменение спектральных характеристик и проводящих свойств тонких пленок фуллерена, осажденных из растворов ароматических и неароматических растворителей. Наглядно показано, что влияние природы растворителя существенно влияет на морфологию поверхности пленки. Прямые спектры видимого диапазона пленочных структур фуллерена С60 продемонстрировали максимумы коэффициента поглощения в диапазоне 330–500 нм. Расчёт оптической ширины запрещенной зоны явно демонстрирует возможность модернизации атомарной структуры плёнок посредством использования различных типов растворителей. Вольт-амперные характеристики показали увеличение кинетики заряда при облучении пленок фуллерена, осажденных посредством дихлорметана и тетрахлорметана. Дополнительно проведены исследования влияния частоты переменного тока на про-водящие параметры пленочных структур в диапазоне частот 1–100 кГц.
Исследованы электрофизические характеристики наноразмерных пленок оксида индий-олово (ITO), полученных методом реактивного магнетронного распыления мишени In/Sn в кислородосодержащей среде. Приведены результаты исследования изменения электропроводности пленок ITO в широком интервале температур и частот. Определены значения концентрации основных носителей заряда, их подвижности и положение уровня Ферми. Исследованы оптические свойства пленок в широком диапазоне длин волн.
Представлены результаты исследований, направленные на решение проблемы создания диэлектрических покрытий на поверхности проводников для придания им электроизоляционных свойств. Для создания покрытий применялось электронно-лучевое испарение керамики с помощью форвакуумного плазменного источника электронов. Измерены относительная диэлектрическая проницаемость, тангенс угла диэлектрических потерь, полное сопротивление осажденного электроизоляционного покрытия.
Проведено сравнение двух способов утонения обратной стороны матричного модуля антимонида индия (100) с применением абразивной и безабразивной шлифовки различными аналитическими методами. Показано, что включение дополнительного этапа механической шлифовки позволяет добиться существенного улучшения геометрии матричного модуля после финишной полировки в сравнении с безабразивной обработкой. Среднеарифметическое значение шероховатости поверхности после проведения всех этапов обработки не превышает допустимых значений. С помощью построения карт обратного пространства оценена степень влияния различных способов обработки на кристаллическую структуру материала.