Книга посвящена развитию технической базы систем переработки микроэлектронным интегральным схемам и их технологии. Показан путь, пройденный микроэлектроникой за 2 5 лет ее развития от создания схем малой степени интеграции до сверхбольших схем. Большое внимание уделено новейшим направлениям развития микроэлектроники и молекулярной электроники. Рассматриваются различные виды кремниевых интегральных схем, а также вопросы обеспечения их надежности и методы проектирования. Анализируются как достижения, так и нерешенные проблемы новых направлений микроэлектроники.
С единых позиций исследованы дисперсионные свойства и структура разных типом волн в полупроводниковых пленках с отрицательной дифференциальной проводимостью. Особое внимание уделено ключевой проблеме граничных условий на поверхности дрейфовых потоков носителей заряда.
Для научных работников, преподавателей, аспирантов и инженеров, специализирующихся н области полупроводниковой электроники и радиофизики.
Изложены современные представления о жестких и композитных сверхпроводниках. Рассмотрены электродинамические, тепловые и механические процессы, в частности проблема устойчивости сверхпроводящего состояния, диссипация энергии в переменных полях, тепловое разрушение сверхпроводимости током. Общие результаты проиллюстрированы большим числом конкретных примеров. Существенное внимание уделено сопоставлению результатов теории и эксперимента.
Для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области исследования и применения сверхпроводимости, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
Изложены физические основы новых перспективных элементов микроэлектроники и оптоэлектроники - полупроводниковых приборов с зарядовой связью. Приведены результатъ; теоретического анализа и экспериментального исследования статических, динамических, фотоэлектрических, шумовых характеристик этих приборов. Рассмотрена зависимость основных параметров приборов с зарядовой связью от электрофизических свойств исходного полупроводникового материала. Проведена оценка предельных возможностей нового направления интегральной электроники, в основе которого лежит использование полупроводниковых приборов с зарядовой связью.
Для физиков и инженеров, занимающихся исследованием, разработкой, применением полупроводников и полупроводниковых приборов, а также для студентов старших курсов.
В монографии приведены последние данные по созданию
радиационно-стимулированных источников энергии с использованием
различных изотопов. Приводятся экспериментальные данные по
физическому моделированию бетавольтаического эффекта на электронном
микроскопе, которые позволили построить и верифицировать модель
источника тока. Приведены авторские экспериментальные и численные
результаты исследования бетавольтаического эффекта с использованием
изотопа 63Ni на p-n структурах, сформированных на моно- и
микроканальном кремнии.В работе впервые описывается эффект влияния
зарядки на процесс генерации носителей тока.
В монографии обобщаются и анализируются с единых позиций результаты авторских исследований полупроводниковых квантовых точек материалов групп А3В5 и А2В6. Рассматриваются особенности электронного спектра и связанные с ними особенности электрофизических свойств полупроводниковых квантовых точек, физические процессы в них, основные технологические методы их получения, приводятся и анализируются наиболее популярные методы исследования квантово-размерных объектов, некоторые наиболее важные приборные применения структур с полупроводниковыми квантовыми точками. Приводятся результаты авторских исследований, включающие теоретический анализ, отработку методик, методологию экспериментов по получению, анализ электрофизических и оптических свойств квантовых точек полупроводниковых материалов групп А3В5 и А2В6. Для ученых и специалистов соответствующих областей знания, студентов Института физики Саратовского университета, обучающихся по направлениям подготовки бакалавров и магистров «Электроника и наноэлектроника»и «Материаловедение и технология материалов». Книга будет полезна студентам и аспирантам других физических и инженерных специальностей и направлений.
Содержит подробную информацию о подборе компонентной базы для создания макета мозг-компьютерного интерфейса. Рассмотрены основные этапы разработки макета, а именно: определение требований к системе, анализ компонентов, выбор оптимальной компонентной базы и ее интеграция в модель мозг-компьютерного интерфейса. Дано описание различных компонентов, используемых в мозг-компьютерных интерфейсах, отмечены их преимущества и недостатки, а также различные методы их сравнения и выбора. Рассмотрены вопросы интеграции компонентов. Пособие будет полезно студентам и аспирантам, обучающимся по направлениям «Физика твердого тела», «Электротехника», а также преподавателям и научным сотрудникам, занимающимся разработкой мозг-компьютерных интерфейсов.
В книге излагаются теория протекания и ее различные применения. Несмотря на то что теория протекания возникла лишь в 1957 г., она успела завоевать прочные позиции в различных областях науки, преимущественно в физике и химии.
В книге содержатся необходимые сведения из элементарной теории вероятностей, подробно обсуждается метод Монте-Карло в применении к моделированию процессов протекания с помощью ЭВМ. Особое внимание уделяется связи между геометрическими и физическими свойствами системы в окрестности порога протекания. В качестве применений рассмотрены электропроводность примесных полупроводников, свойства ферромагнетиков с примесями и ряд других вопросов.
Книга содержит упражнения. Предназначена для старших школьников, студентов, преподавателей. Может использоваться в качестве пособия для факультативного изучения теории протекания.
