Предложен метод плазмохимического получения поликристаллического кремния. Метод основан на разложении моносилана, подаваемого в реактор в виде сверхзвуковой струи и активированного с помощью электронного пучка. Проведено газодинамическое моделирование распределения потерь кремния в процессе осаждения. Определены коэффициент разложения моносилана с помощью масс-спектрометрических измерений, а также коэффициенты прилипания кремния к поверхности и коэффициент использования моносилана при помощи газодинамического моделирования и весовых измерений.
Учебное пособие разработано в соответствии с Федеральным государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования для базового уровня бакалавриата и предназначено для студентов сельскохозяйственных вузов очной и заочной форм обучения направления подготовки 35.03.06 (110800.62) «Агроинженерия (электрооборудование и электротехнологии в АПК», 13.03.02 (140400.62) «Электроэнергетика и электротехника», 13.03.01 (140100.62) «Теплоэнергетика и теплотехника» для базовой дисциплины «Физика», а также для других инженерно-технических специальностей, в учебный план которых входит курс физики. Учебное пособие может быть рекомендовано также для самостоятельной работы студентов.
Данное издание разработано в соответствии с требованиями Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования по направлению подготовки 03.06.01 Физика и астрономия (уровень подготовки кадров высшей квалификации) направленность 01.04.07 Физика конденсированного состояния и является частью учебно-методического комплекса дисциплины «Физика конденсированного состояния». Учебное пособие раскрывает современные представления о дефектах кристаллической структуры, существенно влияющих на прочность и пластичность твердых тел. Особое внимание уделяется дислокационным моделям образования поверхностных и объемных дефектов. Дается оценка роли субграниц, межфазных границ, границ зерен, а также несплошностей различного масштабного уровня в формировании свойств реальных кристаллов. Уточнен вклад указанных дефектов в развитие процесса пластической деформации и разрушения материалов. Учебное пособие предназначено для студентов-аспирантов направления подготовки 03.06.01 Физика и астрономия (уровень подготовки кадров высшей квалификации) направленность 01.04.07 Физика конденсированного состояния и может быть полезно научно-педагогическим работникам образовательных организаций, реализующих основные профессиональные образовательные программы бакалавриата и магистратуры укрупненной группы 03.00.00 Физика и астрономия, слушателям курсов повышения квалификации и научным работникам, изучающих проблемы физики конденсированного состояния. Также может быть полезно студентам, обучающимся по направлениям подготовки: 44.04.01 Педагогическое образование направленность (профиль) «Технология»; 43.03.01 Сервис (уровень бакалавриата) профиль «Сервис транспортных средств»; 44.03.01 Педагогическое образование (уровень бакалавриата) профиль «Технология»; 44.03.05 Педагогическое образование (с двумя профилями подготовки) с профилем «Технология».
Рассматривается возможности использования халькогенидных стеклообразных полупроводниковых пленок (ХСП) для записи голографических информации. Приведены схемы и результаты исследования дифракционный эффективности в зависимости от времени экспозиции и голографических характеристик халькогенидных стеклообразных полупроводниковых пленок под влиянием -облучения. Установлено, что в интервале доз облучения (103–109 Р Рентген,) оптические свойства ХСП пленок и дифракционные эффективности записанных голограмм практически не меняются. Также доказано, что срок хранения записанных голограмм при определенных условиях составляет 15 лет и более.
Материал, включенный в задачник, предназначен для изучения динамики как отдельных заряженных частиц, так и их потоков в однородных электрическом или магнитном полях отдельно или в их сочетании, в том числе в скрещенных полях; структуры электронных потоков при электростатической и магнитной фокусировке. В задачнике приведено более 50 задач; даны методические рекомендации и приведены примеры решения типовых задач. Задачник рассчитан на студентов и научных сотрудников, специализирующихся в области физической электроники.
Рассмотрены теоретические основы расчета и моделирования электромагнитных и температурных полей, приведена методика экспериментального определения основных параметров этих полей. Содержатся лабораторные работы по исследованию частных видов физических полей: электростатического поля многопроводной линии, электрического поля заземления, температурных полей. Для контроля уровня знаний студентов даны вопросы и задания для самостоятельной работы. Предназначено для студентов высших технических учебных заведений по направлению «Приборостроение», изучающих дисциплины «Основы теории физических полей» и «Электротехника», а также для аспирантов по специальности «Информационно-измерительные и управляющие системы». Пособие подготовлено в рамках основной образовательной программы бакалавров для обеспечения лабораторных работ по дисциплине «Основы теории физических полей», «Теоретические основы электротехники».
Представлены экспериментальные результаты исследования монокристаллического Si (111), легированного хромом. Исследования проводились с использованием метода спектроскопии комбинационного рассеяния света (Рамановская спектроскопия). Обнаружено, что легирование переходных элементов к чистому кремнию приводит к уменьшению интенсивности рамановских пиков в несколько раз, а также к образованию дополнительных пиков на спектрах.
Данное издание разработано в соответствии с требованиями Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования по направлению подготовки 03.06.01 Физика и астрономия (уровень подготовки кадров высшей квалификации) направленность 01.04.07 Физика конденсированного состояния и является частью учебно-методического комплекса дисциплины «Физика конденсированного состояния». Учебное пособие раскрывает современные представления о дефектах кристаллической структуры твердых тел, существенно влияющих на их прочность и пластичность.
Приводится краткая историография научных представлений о прочности твер-дых тел. Роль структурных дефектов рассматривается дифференцированно в зависимости от условной категории исследователя, масштаба исследуемых объектов и глубины решаемых задач. Выделена роль внутреннего строения (типа кристаллической решетки, характера межатомного взаимодействия) и его дефектов в формировании свойств кристаллических твердых тел. Представлена кристаллическая структура, геометрические и энергетические характеристики точечных дефектов.
Учебное пособие предназначено для студентов-аспирантов направления подготовки 03.06.01 Физика и астрономия (уровень подготовки кадров высшей квалификации) направленность 01.04.07 Физика конденсированного состояния и может быть полезно научно-педагогическим работникам образовательных организаций, реализующих основные профессиональные образовательные программы бакалавриата и магистратуры укрупненной группы 03.00.00 Физика и астрономия, слушателям кур-сов повышения квалификации и научным работникам, изучающих проблемы физики конденсированного состояния.
Также может быть полезно студентам, обучающимся по направлениям подготовки: 44.04.01 Педагогическое образование направленность (профиль) «Технология»; 43.03.01 Сервис (уровень бакалавриата) профиль «Сервис транспортных средств»; 44.03.01 Педагогическое образование (уровень бакалавриата) профиль «Технология»; 44.03.05 Педагогическое образование (с двумя профилями подготовки) с профилем «Технология».
Изучены процессы токопрохождения в диодных структурах pSi-nSi1-xSnx (0 x 0,04). Из полученных результатов видно, что в исследованных образцах, при малых напряжениях ток подчиняется закону Ома. А при дальнейшем увеличении напряжения начинается рост тока по нелинейному закону. На основе анализа зависимости установлено, что нелинейность обусловлена полевым эффектом Пула-Френкеля. На основе выполненных анализов полученных результатов обоснована перспективность использования твердых растворов Si1-xSnx (0 x 0,04), выращенных на кремниевых подложках, в качестве активного материала в преобразователях тепловой энергии в электрическую энергию на основе термовольтаического эффекта.
Пособие содержит учебно-тренировочные тесты, составленных с учетом реальных вариантов вступительных испытаний, проводимых ВолгГТУ самостоятельно, а также некоторые сведения из физики, знание которых позволит избежать ошибок, обычно допускаемых учащимися при решении задач. Предназначено для абитуриентов, учащихся выпускных классов школ, лицеев, гимназий, колледжей, слушателей факультета довузовской подготовки ВолгГТУ.