SCI Библиотека

В монографии систематизированы и обобщены результаты разработок методов прогнозирования надежности полупроводниковых лавинных диодов и исследований механизмов их деградации. Авторы существенно опираются на собственные исследования и разработки в этой области. Проанализированы различные механизмы деградации полупроводниковых лавинных диодов с p-n перехоом, гетеропереходом, барьером Шоттки. Рассмотрены пути повышения их надежности. Для облегчения понимания процессов деградации лавинных диодов приведено краткое изложение физических основ лавинного разряжения и результатов экспериментального изучения параметров, характеризующих процессы ударной ионизации в полупроводниках.
Для научных работников и инженеров, связанных с исследованием и применением лавинных диодов, а также студентов вузов и аспирантов.