SCI Библиотека
SciNetwork библиотека — это централизованное хранилище научных материалов всего сообщества... ещё…
SciNetwork библиотека — это централизованное хранилище научных материалов всего сообщества... ещё…
Даны основные эксплуатационные характеристики, методика расчета режимов питания и выбора вариантов включения светоизлучающих диодов. Рассмотрены устройства регулирования, усиления, контроля и коммутации с применением светоизлучающих диодов. Приведены практические схемы некоторых устройств и справочные данные светоизлучающих диодов. Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием радиоэлектронной аппаратуры.
Систематизированы справочные данные по отечественным приемникам оптического излучения. Приведены классификация приемников оптическою излучения, краткое изложение физических принципов их действия, определения основных параметров и характеристик, технические данные: параметры, конструктивные размеры, относительные спектральные характеристики чувствительности, условия эксплуатации и др. Для инженерно-технических работников, занятых проектированием и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры.
Приведены данные по цифровым и аналоговым интегральным микросхемам, выпускаемым отечественной промышленностью. Даны классификация и общие характеристики интегральных микросхем, описаны корпуса. По каждой серии приведены: состав серии, принципиальные электрические или функциональные схемы, обозначения выводов, электрические параметры. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
В монографии приведены последние данные по созданию
радиационно-стимулированных источников энергии с использованием
различных изотопов. Приводятся экспериментальные данные по
физическому моделированию бетавольтаического эффекта на электронном
микроскопе, которые позволили построить и верифицировать модель
источника тока. Приведены авторские экспериментальные и численные
результаты исследования бетавольтаического эффекта с использованием
изотопа 63Ni на p-n структурах, сформированных на моно- и
микроканальном кремнии.В работе впервые описывается эффект влияния
зарядки на процесс генерации носителей тока.