Книга посвящена развитию технической базы систем переработки микроэлектронным интегральным схемам и их технологии. Показан путь, пройденный микроэлектроникой за 2 5 лет ее развития от создания схем малой степени интеграции до сверхбольших схем. Большое внимание уделено новейшим направлениям развития микроэлектроники и молекулярной электроники. Рассматриваются различные виды кремниевых интегральных схем, а также вопросы обеспечения их надежности и методы проектирования. Анализируются как достижения, так и нерешенные проблемы новых направлений микроэлектроники.
Книга содержит справочные таблицы физических величин, используемых при рентгеноспектральном анализе и работах по рентгеновской спектроскопии. Даны коэффициенты ослабления в интервале длин волн 0,1—250 А для основных линий всех элементов во всех поглощающих элементах, длины волн и энергии фотонов всех линий рентгеновского спектра для всех элементов, энергии, ширины и выходы флуоресценции уровней, сечения рассеяния, длины волн всех линий рентгеновского спектра в порядке
возрастания значений и соответствующие им углы дифракции и их синусы для многих кристаллов — анализаторов, функции интенсивности для энергий электррнов от 10 до 50 кэВ и углов скольжения их 60° и 90°, а также ряд других таблиц.
В третьем издании (второе вышло в 1970 г.) учебного пособия описаны экспериментальные и расчетные методики решения задач по рентгеноструктурному анализу, электронографии и электронной микроскопии, анализу дефектов кристаллического строения, качественному и количественному фазовому анализу, текстурному анализу и спектроскопии, анализу пленочных материалов с учетом новых методов структурного анализа н новых областей его применения. Приведены алгоритмы выполнения работ с использованием ЭВМ. Пособие снабжено большим
справочным материалом, необходимым для решения металловедческих задач.
Предназначено для студентов вузов, обучающихся по направлению «Материаловедение н технология новых материалов», а также рекомендуется для студентов металлургических и машиностроительных вузов, технических и технологических университетов, изучающих материаловедение и технологию материалов, физику металлов, обработку металлов давлением и др.
В книге доктора техн. наук В. В. Даниленко в систематическом виде рассматривается широкий круг вопросов, связанных со взрывом и использованием его энергии: элементы газовой динамики и теории ударных волн, уравнения состояния, теория детонации, кумуляция, фазовые превращения при ударном сжатии, высокоскоростной удар, методы измерений быстропротекающих процессов, свойства ВВ, взрывы в различных средах, средства инициирования взрыва, техника проведения взрывных работ, технологии динамического синтеза и спекания алмаза, в частности, детонационный синтез ультрадисперсных алмазов (или детонационных наноалмазов),
Для научных работников, инженеров, технологов, специализирующихся в области прикладной физики взрыва и взрывных технологий. Может быть полезна аспирантам и студентам вузов соответствующих специальностей.
В книге известного японского физика просто и доступно излагаются современные сведения по физике, химии н механике льда. Рассказывается о круговороте воды в природе, о переносе солнечной энергии и формировании климата Земли, о чудесных свойствах льда, возникающих из-за квазнжндкой структуры его поверхности, об открытиях огромных масс льда во Вселенной.
Для широкого круга читателей, интересующихся современным состоянием знаний по фнзнке, химии и механике льда.
В ч. I сделана попытка составить список наиболее интересных и фундаментальных физических и астрофизических проблем, кратко пояснить и прокомментировать их содержание, современное состояние соответствующих исследований, их возможную роль для использования в технике и т.п.
В ч. II вошли статьи и выступления, касающиеся методологии науки, а также некоторые другие. Ч. III содержит в основном очерки и воспоминания, посвященные памяти выдающихся физиков. В новом издании (1-е изд. — 1985 г.) переработана ч. I, добавлен ряд статей в ч. II и III.
Для физиков и астрофизиков — преподавателей физики средней и высшей школы, инженеров и научных работников, интересующихся путями развития науки.
Изложена теория ван-дер-ваальсова взаимодействия между атомами, молекулами, малыми частичками конденсированной фазы и макроскопическими телами. Рассмотрено влияние на взаимодействие анизотропии, геометрической формы тел, многочастичных и некоторых других эффектов. Большое внимание уделено физическому содержанию теории, прослежена взаимосвязь между различными подходами к описанию ван-дер-ваальсовых сил. Отражено современное состояние в исследованиях сил Ван-дер-Ваальса.
Для научных работников, аспирантов и студентов-старшекурсников физических и физико-химических специальностей.
Монография известного американского физика У. Харрисона, автора теории псевдопотенциала. В книге изложены современные представления об электронных свойствах твердых тел, основанные на квантовохимическом подходе. Представлены как учебный материал, так и новые простые и доступные методы расчета электрических, оптических и упругих свойств кристаллов.
На русском языке книга выходит в 2-х томах. В т. 1 рассмотрена структура электронных состояний в атомах, молекулах и твердых телах, подробно обсуждаются ковалентные кристаллы.
Для научных работников, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области физики и химии твердого тела.
Монография известного американского физика У. Харрисона, автора теории псевдопотенциала, в которой изложены современные представления об электронных свойствах твердых тел, основанные «а квантовохимическом подходе. Представлены как учебный материал, так и новые простые и доступные методы расчета электрических оптических и упругих свойств кристаллов.
На русском языке книга выходит в 2-х томах. В т. 2 рассмотрена структура электронных состояний ионных кристаллов, кристаллов инертных газов, а также простых и переходных металлов В конце книги приведена таблица, позволяющая рассчитать кристаллические параметры любого элемента периодической системы.
Для научных работников, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области физики и химии твердого тела.
С единых позиций исследованы дисперсионные свойства и структура разных типом волн в полупроводниковых пленках с отрицательной дифференциальной проводимостью. Особое внимание уделено ключевой проблеме граничных условий на поверхности дрейфовых потоков носителей заряда.
Для научных работников, преподавателей, аспирантов и инженеров, специализирующихся н области полупроводниковой электроники и радиофизики.
