SCI Библиотека

В статье говорится о существующих современных методах
литографии. Описаны общие шаги процесса литографии в
полупроводниковом производстве. Рассмотрены тенденции развития
полупроводниковой промышленности в целом.
Произведен анализ методов литографии на основе информации о
современной полупроводниковой промышленности, и выбран наиболее
инновационный метод литографии: электронная лучевая литография, – как
метод, позволяющий повысить технологически уровень полупроводниковой
промышленности

Получение, обработка, передача и хранение информации является неотъемлемой частью
созидательной деятельности современного общества. Прогресс XX века во многом обусловлен
развитием методов и средств передачи и обработки информационных сигналов с использова-
нием электромагнитных волн [1–5]. Появление полупроводниковой микроэлектроники [6, 7],
лазерной техники [8–12] и оптоволоконных линий связи [13, 14] привело к созданию гло-
бальной сети Интернет, повсеместному распространению средств коммуникации, вычисли-
тельных устройств и персональных компьютеров, цифровых средств радио-электронной и
оптико-электронной регистрации и мониторинга, а также компактных систем хранения дан-
ных. Развитие технологий матричных фото-детекторов типа ПЗС и КМОП привело к по-
явлению цифровой фотографии и цифрового видео. В результате количество генерируемой
и накапливаемой цифровой информации имеет тенденции экспоненциального роста, и по
современным оценкам [15] объём глобальной датасферы к 2025 году может достичь 175 ЗБ
(ЗеттаБайт или 1021 Байт). Параллельно с этим, подчиняясь закону Мура, возрастают требо-
вания к вычислительной способности систем обработки больших массивов данных. Уровень
современных вычислительных задач, требует применение устройств [16] с производительно-
стью 1018 вычислительных операций в секунду (OPS). В этой связи создание сверхшироко-
полосных коммуникационных систем с высокой пропускной способностью и стабильностью,
систем надёжного и компактного хранения данных, а также систем обработки с высокой
вычислительной мощностью и низким энергопотреблением является одними из важнейших
задач в современных информационных технологиях.
Использование света для формирования, передачи и детектирования информационных
сигналов является привлекательным благодаря высокой собственной частоте колебаний элек-
тромагнитных волн оптического диапазона (300 ГГц ÷ 3 ПГц), а также возможности сво-
бодного и независимого распространения световых сигналов по воздуху, в стекле и в других
известных прозрачных мате

В пособии представлены методические материалы по курсу «Оптические
системы записи, хранения и отображения информации». Кратко изложены
основные принципы действия оптических, как голографических, так и по-
битовых, систем хранения памяти, сведения об используемых в них свето-
чувствительных материалах, представлены сведения о принципах действия
устройств отображения информации (дисплеев) различных систем.
Учебное пособие предназначено для студентов СПбГУ ИТМО спе-
циальностей NN 2006006802, 010500. Рекомендовано к печати Ученым Со-
ветом факультета фотоники и оптоинформатики, протокол N5 от 18 февра-
ля 2009 г

Вопросы обнаружения засыпанных биообъектов, рукотворных объектов, взрывных устройств, мин, в укрывающих средах ( грунте, воде, растительности, снеге) с использованием ряда методов и устройств. Приведены физические эффекты ив основе средств обнаружения объектов в укрывающих средах.

The book covers important
details of structural properties, bandstructure, transport, optical and magnetic properties
of semiconductor structures. Effects of low-dimensional physics and strain – two important
driving forces in modern device technology – are also discussed. In addition to conven-
tional semiconductor physics the book discusses self-assembled structures, mesoscopic
structures and the developing field of spintronics

Установка «КРАУДИОН-ИПО-11/2» предназначена для ионно-
плазменной обработки наружных поверхностей и внутренних ка-
налов корпусов из ситалла, применяемых в производстве ЭВП.
Установка «КРАУДИОН-ИПО-11/2» обеспечивает проведение
следующих технологических операций:

• загрузка изделия в камеру ионно-плазменной обработки;
• безмасляная высоковакуумная откачка вакуумной технологиче-
  ской камеры;
• напуск технологического газа/смеси газов;
• инициирование плазменного разряда и проведение техноло-
  гического процесса ионно-плазменной обработки наружных по-
  верхностей/внутренних каналов изделия в инертных газах и их
  смесях с кислородом;
• разгерметизация камеры с напуском инертного газа и выгрузка
  изделия