В монографии обобщены результаты математического и физического моделирования процессов механики при получении кристаллических материалов рядом технологически значимых промышленных технологий (выращивание технически ценных монокристаллов из расплава для микроэлектроники и из солевых растворов для фотоники, термическое прессование и кристаллизация из порошков для получения термоэлектрических материалов).
Приводятся результаты исследования влияния основных управляющих воздействий на гидромеханику жидкой фазы (расплава и солевого раствора), включая управление вращением кристалла, тигля и различного рода мешалок, тепловой секционный нагрев стенок тигля, сложные конструкции кристаллизатора, применение магнитных полей и условия микрогравитации.
Рассмотрены пути, обеспечивающие оптимизацию конструктивных узлов и технологических параметров, управляющих процессами переноса тепла и массы в жидкой и твердой фазах, включая значения напряжений соотношением их амплитуд деформациях в твердой фазе.
Рассматриваются программные комплексы для математического моделирования, в том числе с использованием дистанционной работы.
Монография предназначена для специалистов в области технологии кристаллических материалов, механики, теоретической физики, а также аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
В монографии обобщены результаты математического и физического моделирования процессов механики при получении кристаллических материалов рядом технологически значимых промышленных технологий (выращивание технически ценных монокристаллов из расплава для микроэлектроники и из солевых расплавов, из раствора, гидротермального и газотранспортного синтеза) и на основе других перспективных технологий.
Представлены результаты по получению кристаллов высокой оптической однородности и высокой лазерной прочности, а также кристаллов, обладающих пьезоэлектрическим и сегнетоэлектрическим эффектами, кристаллов, активных по линиям твердого тела, с нелинейными оптическими свойствами и магнитным моментом, перспективных для использования в технике и технологиях, в том числе микро- и наноэлектронике.
Актуальные результаты моделирования напряженного состояния в процессе роста кристаллов, распределения температуры, минутной формируемой напряженности электрического и магнитного полей, результата анализа напряженного и деформированного состояния, а также значительного числа представленных данных, могут быть использованы при разработке технологического моделирования, в том числе с возможностью дистанционной работы.
