Предлагаемое пособие представляет собой краткое без математических выводов и теоретических обоснований систематизированное изложение основных положений и закономерностей теории электрических цепей. Подробно описаны цепи с емкостными элементами при постоянном напряжении; большое внимание уделено определению и свойствам положительных вещественных входных функций двухполюсников, а также необходимым свойствам параметров пассивного четырехполюсника при его синтезе; даны несколько способов построения фазовых траекторий, таблица основных аппроксимирующих функций и способы определения их коэффициентов; рассмотрены девять методов расчета переходных процессов в нелинейных схемах; изложены основные положения электрических цепей с переменными в зависимости от времени параметрами. Книга состоит из двух частей: линейные электрические цепи и нелинейные электрические цепи. Методы анализа и синтеза, как правило, сопровождаются алгоритмами расчета и иллюстрирующими примерами. Материал для наглядности представлен в основном в виде таблиц. Предназначается для студентов электротехнических специальностей вузов.
Рассматриваются основные вопросы теории биполярных транзисторов с двумя р-n-переходами. Описываются электрические свойства полупроводников и теория р-n-перехода. Подробно анализируются процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, эквивалентные схемы и импульсный режим работы дрейфовых и бездрейфовых транзисторов. Предназначена для инженеров, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, и может быть полезной студентам вузов.
Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория р-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, импульсный режим работы, особенности транзисторов в интегральном исполнении. Кратко рассмотрены физические процессы, вольт-амперные характеристики и эквивалентные схемы МДП-транзисторов. Большое внимание уделено математическим моделям транзисторов. Рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, а также может быть полезной студентам вузов.
В книге описываются основные физические процессы, происходящие в электромагнитных экранах и определяющие их экранирующее действие. Рассматривается зависимость эффективности экранирования от размеров экрана, от материала и толщины стенок и от частоты. Большое внимание уделяется влиянию, оказываемому на эффективность экранирования отверстиями и щелями в экранах. Даются расчетные формулы и практические рекомендации по проектированию экранов. Книга рассчитана на широкие круги инженерно-технических работников в области радиоэлектроники в электросвязи, а также на преподавателей и студентов, соответствующих высших учебных заведений.
Изложены основные положения методики испытания ракетных двигателей как на основе повышения надежности в целом, так и в процессе проектирования отдельных узлов. Вопросы испытания и надежности представлены с учетом резервирования отдельных узлов, что обеспечивает заданную степень надежности. Теоретический материал подкреплен примерами и задачами, что позволяет приобрести практические навыки в решении прикладных задач и может быть широко использовано при курсовом и дипломном проектировании.
Учебник предназначен для студентов вузов, обучающихся по специальности 160302 «Ракетные двигатели» направления подготовки «Двигатели летательных аппаратов».
