В современной электронике все большую роль играет микроэлектроника, но достаточно большое значение продолжает сохранять полупроводниковая техника, связанная с производством и применением дискретных приборов. Особое положение среди дискретных приборов занимают мощные полупроводниковые приборы и, в частности, мощные транзисторы. Они широко используются в различных электронных системах в качестве элементов управления, регулирования и стабилизации. Мощные полупроводниковые приборы — тиристоры и транзисторы — выступают в роли связующих элементов между электронной системой и исполнительными узлами и механизмами. В книге рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов. Издание предназначено для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных высокочастотных транзисторов.
Рассматриваются основные вопросы теории биполярных транзисторов с двумя р-n-переходами. Описываются электрические свойства полупроводников и теория р-n-перехода. Подробно анализируются процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, эквивалентные схемы и импульсный режим работы дрейфовых и бездрейфовых транзисторов. Предназначена для инженеров, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, и может быть полезной студентам вузов.
Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория р-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, импульсный режим работы, особенности транзисторов в интегральном исполнении. Кратко рассмотрены физические процессы, вольт-амперные характеристики и эквивалентные схемы МДП-транзисторов. Большое внимание уделено математическим моделям транзисторов. Рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, а также может быть полезной студентам вузов.
Рассмотрены рекомендации по выбору и построению усилительных схем, даны описания и сравнительная оценка различных схемных решений, обеспечивающих высокие качественные показатели и надежность. Большое внимание уделено вопросам выбора режима работы транзисторов, способам питания схем, стабилизации режима, а также описанию наиболее типичных схем. Приведены многочисленные примеры расчета. Настоящее второе издание дополнено главами, посвященными усилителям постоянного тока и высокочастотным избирательным усилителям. Кроме того, в него включены основные электрические свойства полевых транзисторов, выбор и стабилизация их режима, а также применение для повышения качественных показателей усилителей. Это делает книгу более полным пособием по проектированию усилительных устройств на транзисторах. Рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры.
В книге изложена методика расчета основных устройств на транзисторах с приведением конкретных числовых примеров. Кратко пояснены принципы действия схем. Работа устройств проиллюстрирована временными диаграммами.
Книга рассчитана на подготовленных радиолюбителей.
