SCI Библиотека
SciNetwork библиотека — это централизованное хранилище научных материалов всего сообщества... ещё…
SciNetwork библиотека — это централизованное хранилище научных материалов всего сообщества... ещё…
В настоящее время очень хорошо прослеживается динамика развития ведущих производителей электронных полупроводниковых приборов США, Японии и Западной Европы. Совсем недавно достаточно громко заявила о себе Южная Корея, в основном благодаря научно-техническому прогрессу фирмы SAMSUNG.
В связи с тем, что в странах бывшего СССР появилось огромное количество разнообразной электронной аппаратуры зарубежного производства, возникла необходимость в создании подобного справочника, охватывающего почти всю гамму зарубежных полупроводниковых приборов.
При составлении справочника использовалась техническая документация 1999-2000 г.г. некоторых фирм-производителей электронных полупроводниковых приборов, систематизирована информация, взятая из нескольких справочников, из данных в Европе и самого популярного в США справочника “ECG Semiconductor Master Replacement Guide” 1998 г. Иногда составителю встречались некоторые расхождения между характеристиками электронных полупроводниковых приборов, описанных в справочниках, изданных в Европе и в технической документации фирм-производителей. Подобные расхождения были откорректированы.
Справочник предназначен в первую очередь для инженерно-технического персонала, занимающегося сервисным обслуживанием зарубежного электронного оборудования и, надеемся, будет также полезен радиолюбителям.
Рассмотрены режимы работы диодов и тиристоров, разработана методика их выбора для применения в системах преобразовательных установок (устройств). Описаны методы обеспечения надежной работы диодов и тиристоров. Приведены примеры расчетов.
Для специалистов, занимающихся разработкой, проектированием и эксплуатацией полупроводниковых преобразовательных устройств.
В монографии рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А3В5 в силовых диодах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового принципа действия, основанного на электронно-дырочном переносе неравновесных носителей заряда.
Для студентов, аспирантов, инженерно-технических работников, преподавателей вузов.
Рассмотрены режимы работы диодов и тиристоров, разработана методика их выбора для применения в системах преобразовательных установок (устройств). Описаны методы обеспечения надежной работы диодов и тиристоров. Приведены примеры расчетов.
Для специалистов, занимающихся разработкой, проектированием и эксплуатацией полупроводниковых преобразовательных устройств.