Исследованы электрофизические характеристики и их термическая стабильность тонкопленочных резисторов на основе нитрида тантала (TaN), полученных методом реактивного магнетронного распыления. Определены оптимальные режимы процесса магнетронного распыления, обеспечивающие получение пленок фазового состава Ta2N со значением удельного электрического сопротивления 250 мкОм см и высокой термической стабильностью параметров. При использовании полученных результатов были изготовлены согласующие тонкопленочные резисторы для электрооптического модулятора Маха-Цендера на основе InP.
Заряженная нить, натянутая вдоль оси линейной электродинамической ловушки, совершает колебательно-вращательное движение, в результате которого заряженные частицы захватываются нитью в областях пучностей. Такая динамическая нить фактически является дополнительной ловушкой внутри ловушки Пауля.
Проведен анализ вольт-амперных характеристик в температурном диапазоне
гибридного органического материала C24H24N6O3Zn с целью определения перспектив использования этого соединения в качестве полупроводникового материала. Измерения выполнены в диапазоне температур 270–330 К. Проведён электрохимический анализ исследуемого координационного соединения, рассчитаны энергии уровней HOMO и LUMO. Описана методика получения, микроскопия, а также методика измерения температурных зависимостей электрических свойств полученных тонких пленок. Рассчитан ряд фундаментальных величин плёнок данного координационного соединения: энергия активации 0,88 эВ и подвижность носителей заряда 1,4710-11 см2 В-1 с-1.
Бурное развитие физики в последние десятилетия, состояние и темпы развития техники современного производства, переход на всеобщее среднее образование совершенно изменили расстановку тех педагогических целей и задач, к достижению и решению которых должна стремиться школа и которые должны реализовываться в учебниках. Традиционное стремление дать наибольшее количество различных сведений в учебниках и в преподавании изживает себя.
Более того, погоня за сообщением наибольшей информации, детализацией сведений о всех, хотя и очень интересных и важных новинках быстро развивающихся наук и техники нередко наносит ущерб развитию способности учащихся самостоятельно мыслить и применять основные законы физики, умению находить и воспринимать новые знания, продолжающимся всю жизнь. Это становится все более заметным затруднением для выпускников школы в начале их трудовой деятельности и при продолжении обучения в высшей школе.
Представлены результаты исследования процессов травления (~200 нм/мин) пленки ZnO фокусированным пучком электронов средней энергии (70 кэВ) при плотности потока 1021 см-2с-1 в условиях вакуума 910–5 Па. Показано, что модель травления пленки ZnO, основанная на процессах термодесорбции и электронно-стимулированной десорбции, не подтверждается расчетами. Предложен возможный механизм травле-ния, в основе которого лежит радиолиз, вызванный Оже-распадом в приповерхностных слоях пленок ZnO. Полученные результаты могут иметь важное значение как в исследовании радиационной стойкости устройств на основе ZnO, так и в развитии методов микронного и субмикронного травления данного материала.
Рассмотрен процесс получения высокотеплопроводных алюминий-графитовых композитных материалов методом пропитки пористых заготовок чешуйчатого графита расплавом алюминиевого сплава под давлением. Показано, что скорость проведения процесса, состав алюминиевого сплава обеспечивают формирование плотной, бездефектной и беспористой термоинтерфейсной границы между графитом и алюминиевым сплавом, отмечается отсутствие кристаллических включений третьих фаз, таких как SiC, Al4C3. Приведен пример оценки итоговой теплопроводности образца композитного материала с учетом влияния ориентации графитовых частиц и термоинтерфейсной теплопроводимости матрица-наполнитель.
Представлен анализ нескольких модификаций калориметрического метода измерения теплопритоков вакуумных корпусов-криостатов инфракрасных матричных фотоприёмных устройств. Проведены измерения теплопритоков как с учётом, так и без учёта теплоёмкости отходящих паров азота. Проанализирован процесс теплообмена между отходящими парами азота и стенками колодца криостата. Показано, что наиболее достоверные результаты получаются при применении подхода с калибровкой.
С использованием оптической микроскопии, РЭМ, атомно-силового микроскопа и профилометра определены форма, размеры и примесный состав локальных дефектов, возникающих в слое двуокиси кремния при диффузии фосфора. Причиной образования дефектов в пассивирующем окисле при диффузии фосфора является локальное плавление SiO2 при взаимодействии с жидкими каплями фосфорно-силикатного стекла. Снижение температуры процесса осаждения (загонки) фосфора и концентрации POCL3 в газовом потоке приводит к уменьшению плотности дефектов окисла.
Исследовано распределение чувствительности по площади пикселя матричного фотоприемника на основе антимонида индия с помощью неразрушающего метода сканирующей маски на основе открытой зондовой установки ускоренного тестирования.
Исследовано влияние внешнего магнитного поля с индукцией менее 150 Гс на картину вложения мощности в маломощный индуктивный разряд и на структуру продольных ВЧ-полей в плазме разряда. Показано, что вложение ВЧ-мощности в разрядную плазму, а также распределения амплитуды и фазы продольной компоненты магнитного ВЧ-поля вдоль оси системы немонотонно зависят от величины магнитного поля.